Die Bausteine SJEP120R100A und SJEP120R063A punkten mit Verzerrungsarmut und sind mit gängigen Gate-Treiber-ICs kompatibel. Beide Ausführungen haben einen positiven Temperaturkoeffizienten und lassen sich dadurch problemlos parallelschalten. Weitere Besonderheiten: eine hohe Schaltgeschwindigkeit, kein ‘Tail’-Strom bis zur maximalen Betriebstemperatur von 150 °C und ein niedriger RDS(on)max von 0,100 bzw. 0,063 Ω. Die Bausteine verfügen über ein TO-247-Gehäuse. Die 100mΩ-Versiongibt es auch als ungehäuster Chip zur Integration in Modulen.
Kaum Verzerrungen und eine hohe Linearität weisen die SiC JFETs SJEP120R100A und SJEP120R063A auf.Semisouth
“Die Bauteile eignen sich besonders für High-End-Audioverstärker, bei denen es auf größtmögliche Linearität und minimale Verzerrung ankommt“, betont Semisouths Vertriebschef Dieter Liesabeths und nennt einen weiteren Vorteil: “Wir haben die Preise dieser Bauteile im Vergleich zu herkömmlichen SiC-JFETs für Leistungsanwendungen um etwa 15 % reduziert, um den Wünschen der Kunden zu entsprechen.”
Wie sieht das Feedback vom Anwender aus? “Während der vergangenen 40 Jahre habe ich die Vorzüge von Kleinleistungs-JFETs in Audio-Schaltungen zu schätzen gelernt, und beim Experimentieren mit den wenigen Exemplaren von Leistungs-JFETs, die zu kriegen waren, ist mir klar geworden, welches Potenzial in diesen Bauteilen steckt“, erklärt Nelson Pass, Gründer des Audioverstärker-Herstellers Nelson Pass. “Mit den SiC-Leistungs-JFETs von Semisouth ist dieses Potenzial jetzt nutzbar – in Form von zuverlässigen analogen Leistungsverstärkern. In Brückenschaltungen verringern sie die Verzerrungen um 50 bis 70% und in gewöhnlichen Gegentaktschaltungen fast um den Faktor 10. Derzeit produzieren wir profitabel einen kleinen High-End-Audio-Verstärker mit dem SJEP120R100A und entwickeln weitere Verstärker mit höherer Leistung auf Basis des Abreicherungstyps SJDP120R085.“
(eck)
