Der industrietaugliche SiC-MOFET NTHL080N120SC1 und der AEC-Q101-Automotive-Grade-qualifizierte NVHL080N120SC1 ermöglichen es Entwicklern, die Leistungsvorteile der Wide-Bandgap-Technologie in wachstumsstarken Anwendungsbereichen wie Automotive-DC/DC- und -Onboard-Ladegeräte für Elektrofahrzeuge sowie Solarapplikationen und unterbrechungsfreien Stromversorgungen für Server zu nutzen. Die Bausteine  für 1200 V (80 mΩ) sind robust und entsprechen laut Herstellerangabe den Anforderungen aktueller Hochfrequenzdesigns. Sie kombinieren eine hohe Leistungsdichte mit geringer Gesamtsystemgröße und reduzieren den Aufwand für das Wärmemanangement.

Der SiC-MOSFET NVHL080N120SC1 von ON Semiconductor ist mit einer maximalen Betriebstemperatur von +175 °C für den Einsatz im Fahrzeug geeignet.

Der SiC-MOSFET NVHL080N120SC1 von ON Semiconductor ist mit einer maximalen Betriebstemperatur von +175 °C für den Einsatz im Fahrzeug geeignet. ON Semiconductor

Zu den Hauptmerkmalen und den damit verbundenen Designvorteilen der SiC-MOSFETs gehören der niedrige Ableitstrom, eine schnelle intrinsische Diode mit niedriger Reverse-Recovery-Ladung, die eine steile Leistungsverlustreduzierung ermöglicht und einen Betrieb mit höherer Frequenz und höherer Leistungsdichte unterstützt, sowie ein niedriges Eon und Eoff, also schnelles Ein- und Ausschalten, in Kombination mit einer niedrigen Vorwärtsspannung, um die Gesamtleistungsverluste und damit den Kühlbedarf zu reduzieren.

Der NVHL080N120SC1 wurde entwickelt, um hohen Stoßströmen standzuhalten. Die AEC-Q101-Qualifizierung des MOSFETs und anderer angebotener SiC-Bauelemente stellt sicher, dass sie in Fahrzeuganwendungen nutzbar sind. Eine maximale Betriebstemperatur von 175°C verbessert die Eignung für den Einsatz im Automobilbau sowie für andere Zielanwendungen, bei denen hohe Dichte und Platzbeschränkungen die typischen Umgebungstemperaturen in die Höhe treiben.