Eindhoven, 11. Oktober 2005 – Royal Philips Electronics (NYSE: PHG, AEX: PHI) stellt unter der Bezeichnung QUBiC4X die neueste Ergänzung seiner aus hochleistungsfähigen BiCMOS-Prozesstechnologien (Bipolar CMOS) bestehenden QUBiC4-Familie vor. Der neue Prozess beruht auf einer Silizium-Germanium-Carbon-Technologie (SiGe:C) und gestattet die Herstellung von Transistoren mit fT-Werten über 130 GHz. Sie eignet sich damit für Mikrowellen-Applikationen im Bereich von 10 bis 30 GHz zum Beispiel für für Satteliten-TV-Empfänger und Abstandswarn-Radarsystemen in Kraftfahrzeugen zur Vermeidung von Kollosionen. Durch sein äußerst geringes Rauschen bietet sich der Prozess überdies für den Einsatz in empfindlichen HF-Empfängern an, wie sie unter anderem in leistungsfähigen Mobiltelefonen benötigt werden
Hinsichtlich der Verstärkung und des Rauschmaßes reichen die Bipolartransistoren des QUBiC4X-Prozesses bereits an das Niveau von Gallium-Arsenid-Transistoren heran. Gleichzeitig gestattet der Prozess jedoch die Integration von CMOS-Logik, CMOS-HF-Schaltungen und leistungsfähigen passiven Bauelementen hoher Güte. Der QUBiC4X-Prozess ebnet den Weg für neue konsumentenorientierte Mikrowellen-Applikationen, die aufgrund der Kosten und der Vorteile bei der Massenfertigung auf siliziumbasierte Technologien angewiesen sind. Außerdem können durch den QUBiC4X-Prozess gegenwärtige Hybrid-Lösungen aus separaten Silizium und Gallium-Arsenid-Bauelementen durch Bauteile mit wesentlich höherem Integrationsgrad ersetzt werden.
„Mit der Einführung des QUBiC4X-Prozesses profitieren Designer von einer leistungsfähigen, kosteneffektiven und zuverlässigen Prozesstechnologie, die den Anforderungen anspruchsvoller Konsumprodukte, aber auch professioneller Applikationen in Bezug auf Leistungsfähigkeit, Großserienfertigung und Integrationsdichte gerecht werden kann“, erläutert Patrice Gamand, Technology Manager beim RF Innovation Center von Philips Semiconductors.
Das Anwendungsspektrum der QUBiC4X-Technologie reicht von Mobiltelefon-Transceivern, in denen die Kombination aus geringem Rauschen und niedrigem Kollektorstrom zu höherer Betriebszuverlässigkeit und längerer Batterielebensdauer führt, bis zu mit 30 GHz arbeitenden Radarsystemen für Kraftfahrzeuge und kurzen Mikrowellen-Funkstrecken. Weitere geeignete Anwendungen sind LNAs (Low-Noise Amplifiers), wie sie beispielsweise für rauscharme Satellitenfernseh-Empfänger erforderlich sind, sowie HF-Leistungsverstärker.
