Der Ausgang verkraftet als Stromsenke bis zu 1 A und als Stromquelle bis zu 0,6 A, um das Gate eines externen N-Kanal-Synchrongleichrichtungs-MOSFET anzusteuern. (Bild: ST Microelectronics)
Der für schnelles Einschalten mit minimaler Verzögerung ausgelegte und mit einer adaptiven Abschaltlogik ausgestattete SRK1001 maximiert die Dauer der Einschaltphase des Synchrongleichrichter-MOSFET, um einen optimalen Wirkungsgrad und minimale Schaltverluste zu erzielen. Das Design des SRK1001 kommt ohne externe Kompensationsschaltungen aus und eliminiert damit die Auswirkungen parasitärer Induktivitäten.
Zudem verfügt der SRK1001 über eine hohe Wandler-Effizienz, wenn die Last gering ist und die Synchrongleichrichtung keine Vorteile mehr bietet. Der Baustein wechselt deshalb automatisch in einen Stromspar-Modus, sobald die Einschaltdauer des MOSFET auf die programmierte Mindest-Einschaltzeit absinkt oder er feststellt, dass der primärseitige Controller im Burst-Modus arbeitet. Die Ruhestromaufnahme in dieser Betriebsart beträgt 160 µA. Der SRK1001 lässt sich sowohl in Quasiresonanz-Wandlern (QR) als auch im Festfrequenz-Betrieb bei bis zu 300 kHz mit Wechsel zwischen nicht-lückendem und lückendem Betrieb (Continuous/Discontinuous Current Mode, CCM/DCM) einsetzen. Eine programmierbare Austastzeit soll nach Unternehmensangaben Robustheit gewährleisten, was verhindert, dass Störungen zu einem nicht vorgesehenen Verhalten führen.
Der SRK1001 eignet sich für Anwendungen mit Ausgangsspannungen bis zu 24 V und kann im nicht-lückenden Betrieb Ausgangsspannungen bis 2 V herab regeln. Sein Eingangsspannungsbereich beträgt 4,5 V bis 32 V. Der Ausgang verkraftet als Stromsenke bis zu 1 A und als Stromquelle bis zu 0,6 A, um das Gate eines externen N-Kanal-Synchrongleichrichtungs-MOSFET anzusteuern.
Ein spezieller Disable/Synchronization-Pin dient dazu, den Synchrongleichrichtungs-MOSFET abzuschalten und von außen den Wechsel in den Stromspar-Modus zu veranlassen, oder das Abschalten des MOSFET im nicht-lückenden Betrieb zu synchronisieren. Zusätzlich gibt es einen Anschluss, über den die Drain-Source-Spannung des externen MOSFET von bis zu 185 V überwacht werden kann.
(prm)
