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GaN

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "GaN".
Bild 1: Mit WBG-Halbleitern werden leistungselektronische Systeme effizienter und sorgen damit für Fortschritte im Transportwesen sowie in der Energie- und Kommunikationsbranche.
Leistungselektronik-Wide-Bandgap-Bauteile besser verstehen

Herausforderungen bei parametrischen Messungen an WBG-Halbleitern

09.05.2018- FachartikelHalbleiterbauelemente auf der Basis von Materialien mit großer Bandlücke versprechen höhere Energieeffizienz, Sicherheit und Zuverlässigkeit in einsatzkritischen Anwendungen – deshalb wächst die Nachfrage danach beständig. Für ein besseres Verständnis des Verhaltens dieser Bauteile ist eine umfassende Charakterisierung sowohl der Fertigungsprozesse als auch der Bauteilarchitekturen notwendig. mehr...

Bild 3: PM-Kern mit drei Luftspalten. Der zweite und dritte Spalt wird durch das symmetrische Gegenstück gebildet.
Passive Bauelemente-Effizienz – jedes Zehntelprozent zählt

Materialien und Designs für passive Bauelemente in Stromversorgungen

08.05.2018- FachartikelDie Effizienzsteigerung ist neben der Miniaturisierung das wichtigste Entwicklungsziel beim Design von Stromversorgungen – jedes Zehntelprozent zählt. Neben den Leitungshalbleitern sind es die passiven Bauelemente und hier vor allem Ferritkerne und Kondensatoren, die für den Wirkungsgrad entscheidend sind. Der Beitrag beschreibt ein neues Ferritmaterial, verbesserte Kern-Geometrien sowie aktuelle Designs für Kondensatoren. mehr...

Bild 1: Der Markt für Leistungsgeräte wächst beständig, wobei die Fahrzeug-Elektrifizierung für einen massiven Schub sorgt.
Leistungselektronik-Strahlende Zukunft für Leistungselektronik

EV/HEV treibt Innovationen und Markt-Wachstum in der Leistungsbranche

02.05.2018- Fachartikel2017 ist der gesamte Markt für Leistungshalbleiter auf einen Wert von 32,4 Milliarden US-Dollar gewachsen. Kein System kann ohne Energie existieren und mit Zunahme innovativer Technologien ist es notwendig, die Evolution der Leistungshalbleiterbranche auf Kurs zu halten. Der Beitrag beleuchtet die Hauptursachen hinter diesem Marktwachstum und konzentriert sich dabei vor allem auf das EV/HEV-Segment – spielt es doch zunehmend eine Schlüsselrolle auf dem Markt für Leistungshalbleiter. mehr...

Nur ein optimales Platinen-Layout ermöglicht die hohe Leistungsfähigkeit der GaN-Halbleiterbausteine.
Leistungselektronik-Schnelle Schaltzeiten

GaN-Halbbrücke mit 50 Volt pro Nanosekunde

12.12.2017- Application NoteTI erklärt, mit welchen entscheidenden Layout-Maßnahmen GaN-Leistungshalbleiter ihre maximale Effizienz erreichen können. mehr...

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Leistungselektronik-Wide-Bandgap-Halbleiter durchbrechen Barrieren

GaN- und GaAs erhöhen Leistung und Bandbreite von HF-Verstärkern

24.11.2017- FachartikelHöhere Datenraten in Telekommunikationsanwendungen und Industriesystemen mit höherer Auflösung lassen die Arbeitsfrequenzen der darin enthaltenen Elektronikschaltungen in die Höhe schnellen. GaAs- und GaN-Transistoren mit kürzeren Gate-Längen in Verbindung mit verbesserten Techniken zur Entwicklung von Schaltkreisen ermöglichen Bausteine, die gut bei Frequenzen im Millimeterbereich arbeiten können und somit neue Anwendungen erschließen. mehr...

GaNonSi-Leistungstransistor
Leistungselektronik-Flughafenüberwachung im L-Band

GaN-on-Si-Leistungstransistor für Radar-Überwachungssysteme

16.10.2017- ProduktberichtMacom stellt mit dem GaN-on-Si-Leistungstransistor MAGX-101214-500 ein Bauelement für gepulste L-Band-Radarsysteme vor. Der Transistor ist für Flughafenüberwachungs-Radarsysteme (Airport Surveillance Radar, ASR) im Frequenzbereich von 1,2 bis 1,4 GHz ausgelegt. mehr...

Aufmacher_EV-Charger-with-ESS
Leistungselektronik-Treiben von SiC- und GaN-Leistungswandlern der nächsten Generation

Von der Schaltung zum IC-Ökosystem

12.09.2017- FachartikelUm die Vorteile der SiC- und GaN-Schalter in Leistungswandlern nutzen zu können, sind IC-Ökosysteme mit aufeinander abgestimmten Komponenten nötig. mehr...

Bild 1: Referenzdesign für einen Dreiphasen-GaN-Wechselrichter mit hoher Schaltfrequenz.
Leistungselektronik-GaN erschließt neues Terrain

Transistoren für schnelle Antriebe mit hoher Leistungsdichte

04.09.2017- FachartikelAnders als Schaltnetzteile arbeiten Wechselrichter für Dreiphasen-Motoren überwiegend mit niedrigen Schaltfrequenzen im zweistelligen Kilohertzbereich. Motoren mit hoher Leistung waren und besaßen Wicklungen mit hoher Induktivität. Infolge der Weiterentwicklung der Motortechnik nehmen jedoch Leistungsdichte und Drehzahl zu, was höhere Ansteuerfrequenzen erfordert. Um Leitungs- und Schaltverluste trotzdem niedrig zu halten, kommen hier vermehrt GaN-Transistoren im Wechselrichter zum Einsatz. mehr...

Peter Schiefer (links, im Gespräch mit Alfred Vollmer, Chefredakteur AUTOMOBIL-ELEKTRONIK): „Derzeit sind in einem Durchschnittsfahrzeug Halbleiter im Wert von etwa 380 US-Dollar verbaut. Dabei beläuft sich der Halbleiterwert für die Automatisierung gemäß Level 2 heute auf 130 US-Dollar, und bis 2025 für die Automatisierung gemäß Level 3 wird dieser Wert auf 550 US-Dollar steigen.“
Automotive-Interview mit Peter Schiefer, President der Automotive Division bei Infineon Technologies

Halbleiter mit Systemverständnis

24.08.2017- InterviewAUTOMOBIL-ELKEKTRONIK sprach mit Peter Schiefer, President der Automotive Division bei Infineon, über Systemdenken, Services, Sensoren, autonomes Fahren, Elektromobilität, Security und vieles mehr. mehr...

Anwendungsgebiete für den GaN-MMIC-Verstärker finden sich vor allem in kabellosen Übertragungsnetzwerken.
Passive Bauelemente-Für Mobilfunk-Anwendungen

Breitbandiger GAN-MMIC-Verstärker für kompaktes Design

11.07.2017- ProduktberichtDer neue GaN-MMIC-Verstärker von Analog Devices verbindet gute Performance und kompaktes Design. Er kann beispielsweise in Radar- oder Mobilfunk-Anwendungen zum Einsatz kommen. mehr...

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Branchenmeldungen-PCIM 2017 in Bildern

Lächelnde Oszilloskope, schnelles GaN und gut bewachtes SiC

24.05.2017- BildergalerieEin gutes Jahr für die PCIM: Rund 10.800 Besucher sahen sich Produkte und Lösungen der 465 Aussteller an. In diesem Jahr bildete die Messe das gesamte Spektrum der Leistungselektronik ab, wobei aktuell die Autoindustrie mit Neuentwicklungen im Bereich E-Mobility das größte Wachstumspotenzial aufweist. Unser Redaktionsteam war auf der PCIM unterwegs und hat seine Eindrücke in dieser Bildergalerie gesammelt. mehr...

Hexagonaler GaN-Einkristall mit einem Durchmesser von 2 Zoll. Die Herstellung dieser Einkristalle ist schwierig und teuer, was derzeit den größten Stolperstein für GaN-Bauelemente auf den Weg in den Hochspannungsbereich darstellt.
Leistungselektronik-Bye-bye Silizium

Wide-Bandgap-Halbleiter übernehmen die Leistungselektronik

25.04.2017- FachartikelSeit über 50 Jahren nimmt Silizium die führende Rolle in der Leistungselektronik ein. Die Ausgereiftheit der Silizium-Halbleitertechnologie hat dazu geführt, dass Leistungsbauelemente auf Silizium-Basis kostengünstig, in großen Stückzahlen und mit hoher Zuverlässigkeit herstellbar sind. In der Leistungselektronik erreicht das Material jedoch aufgrund steigender Ansprüche an Leistungsschaltkreise seine Grenzen und wird immer mehr von Materialien mit höheren Energie-Bandlücken verdrängt. mehr...

Francois Perraud, Team-Leiter Power and Automotive Solutions bei Panasonic.
Leistungselektronik-Interview mit Francois Perraud, Team-Leiter Power and Automotive Solutions bei Panasonic

„Die GaN-Technik sorgt für sehr hohe Effizienz und Leistungsdichte“

06.04.2017- InterviewLeistungshalbleiter auf Galliumnitrid-Basis (GaN) ermöglichen besonders effiziente Stromversorgungen, allerdings gab es in der Vergangenheit Probleme mit dem Current-Collapse-Phänomen. Im Interview erläutert Francois Perraud, Team-Leiter Power and Automotive Solutions bei Panasonic, wie sich die Verfügbarkeit von Bauelementen mit Hybrid-Drain-Gate-Injection-Transistor-Struktur (HD-GIT) auswirken wird. mehr...

Greg Henderson, Vice President RF and Microwave Business bei Analog Devices. Das Unternehmen baut mit der Übernahme von One Tree Microdevices sein Angebot an ICs für Breitband-Kabelnetze aus.
Firmen und Fusionen-GaN-Verstärker für Breitband-Kabelnetze

Analog Devices übernimmt One Tree Microdevices

03.04.2017- NewsAnalog Devices erweitert mit der Übernahme des kalifornischen Unternehmens One Tree Microdevices sein Mixed-Signal-Portfolio um Verstärker auf GaAs- und GaN-Basis. Damit vervollständigt das Unternehmen sein Angebot an ICs für Breitbandnetze (CATV und FTTH) der nächsten Generation. mehr...

Neue Materialien ermöglichen hohe Taktfrequenzen: Fraunhofer ISE entwickelt resonanten DC/DC-Wandler (Demonstrator) mit 2,5 MHz für die Luftfahrtanwendung.
Stromversorgungen-GaN-Transistoren ermöglichen Schaltfrequenzen von 2,5 MHz

Schnelltaktende DC/DC-Wandler für die Luftfahrt

26.01.2017- FachartikelIm Projekt GaN-resonant haben Freiburger Forscher vom Fraunhofer ISE gemeinsam mit Projektpartnern einen resonanten Spannungswandler speziell auf die Anforderungskriterien der Luftfahrtelektronik entwickelt. Die im Projekt erzielten Ergebnisse lassen sich zukünftig auf weitere Anwendungen übertragen. mehr...

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