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GaN

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "GaN".
Bild 2: Querschnitt eines SiC-MOSFETs.
Leistungselektronik-Das Wide-Bandgap-Ökosystem

Wide-Bandgap-Halbleiter erfordern disruptive Simulationsumgebungen

20.08.2019- FachartikelWide-Bandgap-Halbleiter sind herkömmlichen Siliziumhalbleitern in vielerlei Hinsicht überlegen, weshalb die Nachfrage steigt. Dabei ist die Modellierung solcher Halbleiter anspruchsvoll und nicht jede Entwicklungsumgebung liefert zuverlässige Ergebnisse. mehr...

Die ICs sind vorgesehen für Sperrwandlerschaltungen wie etwa in USB-PDs und Hochstrom-Ladeschaltungen/Netzadaptern für mobile Geräte, Set-Top-Boxen, Bildschirme, Haushaltsgeräte, Netzwerk- und Gaming-Produkte.
Leistungselektronik-Für höhere Leistung und Energieeffizienz

GaN-Technologie ermöglicht höhere Leistung und Energieeffizienz

20.08.2019- ProduktberichtPower Integrations hat seine Innoswitch3-Familie von Offline-CV/CC-Sperrwandler-ICs erweitert. Die neuen ICs erreichen einen Wirkungsgrad von bis zu 95 Prozent über den vollen Lastbereich und ermöglichen Netzadapter in geschlossener Bauweise mit Ausgangsleistungen bis 100 W, die keinen Kühlkörper erfordern. mehr...

Das Referenzdesign für ein On-Board-Ladegerät von VisIC basiert auf GaN-Bauelementen und eignet sich für den Einsatz in Hybrid- und vollelektrischen Fahrzeugen.
Automotive-Kompaktes Referenzdesign

On-Board-Ladegeräte: GaN-Schalter erhöhen Leistungsdichte

03.05.2019- ProduktberichtVisIC stellt ein Referenzdesign für ein On-Board-Ladegerät mit 6,7 kW vor. Das GaN-basierte Design für Elektrofahrzeuge bietet eine Leistungsdichte von 3 kW/L und wiegt dabei nur 4,5 kg. mehr...

Reliability on Chrome Carabine with White Ropes.
Leistungselektronik-Vier-Phasen-Plan zur Qualifikation von GaN-Leistungstransistoren

Halbleiterindustrie nutzt verstärkt GaN-on-Si-HEMT-Technologie

29.03.2019- FachartikelAnwender setzen verstärkt Leistungsbauelemente ein, die auf Halbleitern mit großem Bandabstand basieren: Die GaN-on-Si-HEMT-Technologie bietet Vorteile beim Wirkungsgrad sowie geringere Gesamtbetriebskosten. mehr...

Bild 1: Die Bauelementestrukturen Superjunction-Transistor, GaN-HEMT und SiC-MOSFET im Vergleich. Alle drei Konzepte treten im 600-V-Bereich an.
Leistungselektronik-Der Königsweg der Leistungshalbleiter

Das unterscheidet die Bauelementekonzepte GaN, SiC, Superjunction

25.03.2019- FachartikelWide-Bandgap-Leistungshalbleiter treten in der 600-V-Klasse mit der Superjunction-Technologie, den GaN-HEMTs und SiC-MOSFETs an. Welches Bauelement dabei für welche Schlüsselapplikation überzeugt. mehr...

Bild 3: Die Pebble-Laptop-PSU ist nur 115 x 52 x 36 mm3 groß und wiegt gerade mal 180 g.
Stromversorgungen- Hohe Zuverlässigkeitsforderungen

So entwickeln Sie Schaltnetzteile für extreme Umgebungen

04.03.2019- FachartikelDie Anforderungen an Stromversorgungen in rauen Umgebungen sind hoch. Grundvoraussetzung für ihre Entwicklung sind die besten Materialien, Technologien und Topologien. Der Beitrag zeigt, wo Leistungsverluste schaltender Stromversorgungen auftreten und erläutert Verbesserungen. mehr...

Bild: Die flächendeckende Stromversorgung für Elektrofahrzeuge soll in Zukunft weiter ausgebaut werden.
Automotive-Innovationstreiber Galliumnitrid

Wie GaN-Halbleiter Größe, Gewicht und Kosten des E-Autos reduzieren

25.01.2019- FachartikelDer Markt für Elektrofahrzeuge wächst zehnmal schneller als sein Pendant bei den Verbrennungsmotoren, wofür auch verbesserte Batterie- und Elektroniksysteme sowie Systemkomponenten verantwortlich sind. Welche Stellung dabei der Wide-Bandgap-Halbleiter GaN einnehmen soll, erklärt der Beitrag auf All-Electronics.de. mehr...

In Kooperation mit GaN Systems hat Osram Opto Semiconductors einen Laser-Treiber für vierkanalige Lidar-Systeme entwickelt, der hohe Reichweiten und Auflösungen erreicht und dabei die Sicherheit für das menschliche Auge sicherstellt.
Automotive-Mehr Reichweite und Sicherheit

Schneller Laser-Treiber für mehrkanalige Lidar-Systeme angekündigt

04.01.2019- NewsOsram Opto Semiconductors wird einen schnellen Laser-Treiber mit einem leistungsstarken, mehrkanaligen SMT-Laser (Surface Mount Technology) für Lidar-Systeme vorstellen. mehr...

CoolGaN-600V
Leistungselektronik-Anleitung zum Umstieg von Silizium auf Galliumnitrid

Neue GaN-HEMTs für hocheffiziente Leistungswandler

13.12.2018- Application NoteBesser als Si-MOSFETs eignen sich Galliumnitrid-Transistoren der Serie CoolGaN für hocheffiziente und hochfrequente Leistungswandlerschaltungen, insbesondere für Halbbrücken-Topologien. mehr...

Bild 1a: Prinzipaufbau des 22 mOhm-Schalters.
Leistungselektronik-Selbstsperrende Kaskode

GaN-Schaltbaustein mit Positiv-Logik vereinfacht die Ansteuerung

05.12.2018- FachartikelEinzelne GaN-HEMTs sind unbeschaltet selbstleitend und umständlich anzusteuern. Visic entwickelte daraus einen intergrierten Schaltbaustein mit funktionaler Sicherheit, der in Positiv-Logik arbeitet und dadurch die Ansteuerung vereinfacht. Der Beitrag erläutert die Besonderheiten und Vorteile dieser GaN-Leistungsschalter. mehr...

PFC: Die "GaNdalf" Entwicklungsplattform
Distribution-Brückenlose Leistungsfaktorkorrektur bei Lasten bis 1 kW

PFC-Entwicklungsboard mit hohem Wirkungsgrad

16.11.2018- NewsFuture Electronics hat seine GaN-basierte Entwicklungsplattform „Gandalf“ auf der Electronica in München vorgestellt. mehr...

Panasonic zeigt am Stand seine Lösungen in den Bereichen Mobility, IoT und Energiespeicher vor.
Passive Bauelemente-Komponenten, Geräte und Module

Lösungen zu Mobility, IoT-Konnektivität und Energiespeicher

30.10.2018- ProduktberichtPanasonic stellt am Stand sein Technologieportfolio an Elektronikbauteilen, Geräten und Modulen sowie Komplettlösungen und Fertigungsanlagen vor. mehr...

Texas Instruments zeigt Lösungen rund um Smarte Technologien wie Smart Driving, Smart Building und Smart Factory.
Aktive Bauelemente-Smart Driving, Smart Building, Smart Factory

Smarte Technologien für Industrie und Automotive

30.10.2018- ProduktberichtTexas Instruments zeigt unter dem Motto „Designing Tomorrow“ in Demonstrationen und Präsentationen Fortschritte bei Analog- und Embedded-Processing-ICs für den Automobil- und Industrie-Markt. mehr...

ferrite ring on circuit board, close up
Branchenmeldungen-Auswahl und Einsatz von GaN-Technologie

WBG-Leistungsschalter für effiziente Leistungsumwandlung

16.08.2018- FachartikelModerne Anwendungen der Leistungselektronik sollen zunehmend energieeffizienter und zuverlässiger sein, aber gleichzeitig auch die Gesamtgröße des Systems verringern. Die Anwendungsbeispiele sind zahlreich, aber die gängigen Technologie-Lösungen kommen diesen hohen Anforderungen nur bedingt nach. Leistungsschalter mit breiter Bandlücke können Abhilfe schaffen, sind aber nicht immer einfach zu handhaben. mehr...

Die X-GaN-Leistungstransistoren von Panasonic ermöglichen den Normal-Aus-Betrieb bei sehr hohen Schaltfrequenzen.
Leistungselektronik-Gate-Injection-Transistoren

X-GaN-Leistungstransistoren mit 600 V Source-Drain-Spannung

29.06.2018- ProduktberichtDie 600-V-X-GaN-Transistoren von Panasonic verbessern die Leistungsdichte und den Wirkungsgrad von Energieumwandlungssystemen. Sie bewältigen dabei entscheidende technische Herausforderungen, mit denen GaN-Leistungsmodule typischerweise konfrontiert sind. mehr...

Die Volumenproduktion von Cool-GaN 400 V- und 600 V-HEMTs im E-Modus wird bis Ende 2018 starten.
Leistungselektronik-Effizienz und weniger Systemkosten

GaN fürs Strommanagement und SiC fürs Auto

27.06.2018- ProduktberichtAuf der PCIM drehte sich am Stand von Infineon alles um GaN und SiC. Noch 2018 soll die Cool-Gan-Serie für den Telekommunikationsbereich sowie das kabellose Laden in die Serienproduktion gehen. Die Cool-SiC-Serie hingegen zielt auf den Automotive Markt ab. mehr...

Typischer Aufbau einer SiC- und einer GaN-JFET-Zelle von United-SiC.
Stromversorgungen-Direkter Austausch möglich

1200-V-SiC-FETs als Ersatz für IGBTs und MOSFETs

26.06.2018- ProduktberichtAufgrund hoher Nennspannnung und geringem Durchlasswiderstand können SiC-JFET-Kaskoden von United SiC IGBTs und MOSFETs ersetzen. Design-Upgrades sind so einfacher möglich. mehr...

Zu Exagans strategischen Partnern gehören unter anderem X-FAB Silicon Foundries und das Forschungszentrum CEA-Leti für die 200-mm-GaN-Technologie.
Leistungselektronik-Für kleine und effiziente Wandler

Intelligente GaN-Power-Lösungen für Industrial und Automotive

26.06.2018- ProduktberichtExagan stellte auf der PCIM 2018 die G-FET-Leistungstransistoren und die intelligenten G-Drive-Lösungen mit hohen Schaltfrequenzen vor. G-Drive integriert dabei Treiber und Transistor in einem Gehäuse. mehr...

Rohm
Leistungselektronik-Leistungshalbleiter

Rohm kooperiert zu GaN und baut SiC-Produktionskapazitäten aus

05.06.2018- NewsMehrere Neuigkeiten bei Rohm: Der Leistungshalbleiteranbieter plant zum einen eine Zusammenarbeit mit GaN Systems zur Entwicklung von Galliumnitrid-basierter (GaN) Leistungselektronik. Auf der anderen Seite sollen im japanischen Chikugo die Kapazitäten für die Produktion von SiC-Power-Bauteilen erweitert werden. mehr...

Bild 1: Mit WBG-Halbleitern werden leistungselektronische Systeme effizienter und sorgen damit für Fortschritte im Transportwesen sowie in der Energie- und Kommunikationsbranche.
Leistungselektronik-Wide-Bandgap-Bauteile besser verstehen

Herausforderungen bei parametrischen Messungen an WBG-Halbleitern

09.05.2018- FachartikelHalbleiterbauelemente auf der Basis von Materialien mit großer Bandlücke versprechen höhere Energieeffizienz, Sicherheit und Zuverlässigkeit in einsatzkritischen Anwendungen – deshalb wächst die Nachfrage danach beständig. Für ein besseres Verständnis des Verhaltens dieser Bauteile ist eine umfassende Charakterisierung sowohl der Fertigungsprozesse als auch der Bauteilarchitekturen notwendig. mehr...

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