GaN

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "GaN".
Mouser hat einen Online-Rechner für das Ohmsche Gesetz in sein Technical Resource Center aufgenommen. Entwickler aller Wissensstände können den Rechner kostenlos verwenden.
Distribution-Online-Rechner für das Ohmsche Gesetz

Mouser vertreibt OPVs von ADI, GaN-SiPs von STM und bietet neuen Service

11.11.2020- NewsMouser hat die Operationsverstärker LTC6228 und LTC6229 von ADI sowie die Mastergan1-SiPs in sein Programm aufgenommen und bietet im Technical Resource Center einen Online-Rechner für das Ohmsche Gesetz. mehr...

Texas Instruments hat sein Portfolio um GaN-FETs für Automotive-und Industrial-Anwendungen erweitert, die über einen integrierten schnell schaltenden Treiber sowie Schutz- und Temperatursensor-Funktionen verfügen.
Automotive-Für Bordladegeräte und industrielle Stromversorgungen

TI stellt Automotive-GaN-FET mit integriertem Treiber vor

09.11.2020- ProduktberichtTI erweitert sein Portfolio um GaN-FETs mit integriertem Treiber, Schutzfunktionen und aktivem Power Management, die für Automotive- und Industrieanwendungen ausgelegt sind. mehr...

Das MinE-CAP-IC ermöglicht es Entwicklern, beim Eingangs-Ladekondensator im AC-DC-Wandler auf Modelle mit geringer Nennspannung zurückzugreifen.
Stromversorgungen-Deutlich kleinerer Eingangs-Ladekondensator

MinE-CAP-IC von Power Integrations spart bis zu 40 % Platz im AC-DC-Wandler

29.10.2020- ProduktberichtDas MinE-CAP-IC von Power Integrations ermöglicht eine deutliche Reduktion der Größe des Eingangs-Ladekondensators in AC-DC-Wandlern und verringert den Einschaltstrom um bis zu 95 Prozent. mehr...

Messaufbau des Design-Tests von Traco Power.
Stromversorgungen-Potenziale voll ausnutzen

Mit GaN-Transistoren hohe Wirkungsgrade in Netzteilen erzielen

23.07.2020- FachartikelMit Wide-Bandgap-Halbleitertechnologien lassen sich enorm kurze Schaltzeiten erreichen. Das führt zu verschiedenen Vorteilen. Allerdings müssen Entwickler bei der Verwendung solcher Bauteile einige Dinge beachten. mehr...

Nexperia lädt am 2. und 3. Juli zur Power-Live-Tagung ein.
Branchenmeldungen-Online-Event am 2. und 3.7.

Power Live: Nexperia diskutiert über Trends in der Leistungselektronik

29.06.2020- NewsNexperia lädt am 2. und 3.7. zu Live-Diskussionen über GaN, SiGe, Automotive-Anwendungen und Gehäusetechnologie bei seinem Online-Event Power Live ein. Abgerundet wird die Veranstaltung durch Videos. mehr...

Bei den GaN-FETs für 650 V der H2-Generation von Nexperia fällt die Chip-Größe durch Epi-Vias um 24 Prozent kleiner aus.
Automotive-Im TO-247- und proprietären CCPAK-Gehäuse

Nexperia stellt H2-Generation an GaN-FETs für 650 V vor

09.06.2020- NewsDie nächste Generation der Galliumnitrid-FETs mit 650 V von Nexperia zielt auf die Märkte Automotive, 5G und Datenzentren ab und ist im TO-247-Gehäuse oder als SMD-Variante mit Gullwings (CCPAK) verfügbar. mehr...

Si-Leistungs-MOSFETs und SiC-MOSFETs weisen eine vertikale Struktur auf, GaN-HEMTs eine laterale.
Leistungselektronik-Si oder Wide-Bandgap?

SiC, GaN, Si: Wann Silizium in Schaltnetzteilen die bessere Wahl ist

01.04.2020- FachartikelDamit Vorteile von Wide-Bandgap-Bauelementen wie SiC und GaN in Schaltnetzteilen auch zum Tragen kommen, braucht es mehr als nur Silizium zu ersetzen –  manchmal ist Si auch die bessere Wahl. mehr...

Die IEEE hat einen strategische Roadmap für Wide-Bandgap-Halbleiter wie Siliziumkarbid und Galliumnitrid vorgestellt
Leistungselektronik-Wegweiser für SiC und GaN

IEEE stellt strategische Roadmap für Wide-Bandgap-Halbleiter vor

27.03.2020- NewsImmer mehr Wide-Bandgap-Bauelemente basierend auf Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) kommen in der Leistungselektronik zum Einsatz. Die IEEE hat nun eine Roadmap für die Technologie vorgestellt. mehr...

Bild 2: Der Gate-Treiber ISL71040M hält auch bei LDR-Strahlungsbelastung seine Spannung konstant.
Stromversorgungen-Weltraumtaugliche FETs, Controller und Treiber

Galliumnitrid zur Stromversorgung von Kleinsatelliten im LEO

27.03.2020- FachartikelMit der Verfügbarkeit von GaN-FETs im Enhancement Mode sowie strahlungstoleranten PWM-Controllern und GaN-FET-Treibern lassen sich PWM-Anwendungen mit GaN-Bauelementen für den Einsatz im Orbit realisieren. mehr...

Eine monolithische GaN-Leistungsstufe
Leistungselektronik-GaN: Kleiner, schneller und leistungsfähiger als Silizium

48 V, Lidar, Motorsteuerung: GaN erobert leistungshungrige Anwendungen

23.03.2020- FachartikelEntwickler evaluieren den Einsatz von GaN-Bauteilen in kostensensitiven Anwendungen wie Stromversorgungen oder im Automotive-Bereich. Denn in einer starken Wertschöpfungskette konnten die Produktionskosten für den Wide-Bandgap-Halbleiter gesenkt werden. mehr...

Prof. Leo Lorenz von Infineon
Leistungselektronik-Neue Testvorschriften für Leistungshalbleiter

Wo die Probleme beim Langzeiteinsatz von SiC und GaN liegen

10.02.2020- NewsWide-Bandgap-Halbleiter wie SiC und GaN bieten viele Vorteile im E-Auto, dennoch ist die Branche äußerst zurückhaltend bei ihrem Einsatz. Prof. Leo Lorenz von Infineon erklärt, wo das wirkliche Problem beim Langzeiteinsatz liegt. mehr...

Auch 2020 stehen Wide-Bandgap-Halbleiter, Energiespeicher und die Elektromobilität im Zentrum der PCIM
Leistungselektronik-Schwerpunkte der Leistungselektronikmesse 2020

PCIM legt Fokus auf Elektromobilität, Batterien und WBG-Halbleiter

10.02.2020- News2020 zählen Batterien für Elektrofahrzeuge und stationäre Energiespeicher, Wide-Bandgap-Halbleiter sowie 3D-druckbare Komponenten zu den Schwerpunkten der Leistungselektronik-Fachmesse PCIM und der begleitenden Konferenz in Nürnberg (5. bis 7. Mai). mehr...

GaN-Ausfallanalyse
Leistungselektronik-Vertrauen in neue Leistungshalbleitertechnologien

Zuverlässigkeit von GaN-Hochspannungs-Schalttransistoren

02.12.2019- Application NoteDie Markteinführung neuer Leistungshalbleitertechnologien bedeutet für einen Hersteller von Leistungselektronikgeräten großes Vertrauen in zuverlässig funktionierende neue Halbleiter. mehr...

650-V-GaN-FET GAN063-650WSA
Leistungselektronik-Robuster und skalierbarer Prozess

Nexperia stellt GaN-FET mit hohem Wirkungsgrad vor

27.11.2019- ProduktberichtNexperia stellt den 650-V-GaN-FET GAN063-650WSA vor, ein robustes Bauelement mit einer Gate-Source-Spannung von ±20 V. mehr...

Bild 2: Querschnitt eines SiC-MOSFETs.
Leistungselektronik-Das Wide-Bandgap-Ökosystem

Wide-Bandgap-Halbleiter erfordern disruptive Simulationsumgebungen

20.08.2019- FachartikelWide-Bandgap-Halbleiter sind herkömmlichen Siliziumhalbleitern in vielerlei Hinsicht überlegen, weshalb die Nachfrage steigt. Dabei ist die Modellierung solcher Halbleiter anspruchsvoll und nicht jede Entwicklungsumgebung liefert zuverlässige Ergebnisse. mehr...

Die ICs sind vorgesehen für Sperrwandlerschaltungen wie etwa in USB-PDs und Hochstrom-Ladeschaltungen/Netzadaptern für mobile Geräte, Set-Top-Boxen, Bildschirme, Haushaltsgeräte, Netzwerk- und Gaming-Produkte.
Leistungselektronik-Für höhere Leistung und Energieeffizienz

GaN-Technologie ermöglicht höhere Leistung und Energieeffizienz

20.08.2019- ProduktberichtPower Integrations hat seine Innoswitch3-Familie von Offline-CV/CC-Sperrwandler-ICs erweitert. Die neuen ICs erreichen einen Wirkungsgrad von bis zu 95 Prozent über den vollen Lastbereich und ermöglichen Netzadapter in geschlossener Bauweise mit Ausgangsleistungen bis 100 W, die keinen Kühlkörper erfordern. mehr...

Das Referenzdesign für ein On-Board-Ladegerät von VisIC basiert auf GaN-Bauelementen und eignet sich für den Einsatz in Hybrid- und vollelektrischen Fahrzeugen.
Automotive-Kompaktes Referenzdesign

On-Board-Ladegeräte: GaN-Schalter erhöhen Leistungsdichte

03.05.2019- ProduktberichtVisIC stellt ein Referenzdesign für ein On-Board-Ladegerät mit 6,7 kW vor. Das GaN-basierte Design für Elektrofahrzeuge bietet eine Leistungsdichte von 3 kW/L und wiegt dabei nur 4,5 kg. mehr...

Reliability on Chrome Carabine with White Ropes.
Leistungselektronik-Vier-Phasen-Plan zur Qualifikation von GaN-Leistungstransistoren

Halbleiterindustrie nutzt verstärkt GaN-on-Si-HEMT-Technologie

29.03.2019- FachartikelAnwender setzen verstärkt Leistungsbauelemente ein, die auf Halbleitern mit großem Bandabstand basieren: Die GaN-on-Si-HEMT-Technologie bietet Vorteile beim Wirkungsgrad sowie geringere Gesamtbetriebskosten. mehr...

Bild 1: Die Bauelementestrukturen Superjunction-Transistor, GaN-HEMT und SiC-MOSFET im Vergleich. Alle drei Konzepte treten im 600-V-Bereich an.
Leistungselektronik-Der Königsweg der Leistungshalbleiter

Das unterscheidet die Bauelementekonzepte GaN, SiC, Superjunction

25.03.2019- FachartikelWide-Bandgap-Leistungshalbleiter treten in der 600-V-Klasse mit der Superjunction-Technologie, den GaN-HEMTs und SiC-MOSFETs an. Welches Bauelement dabei für welche Schlüsselapplikation überzeugt. mehr...

Bild 3: Die Pebble-Laptop-PSU ist nur 115 x 52 x 36 mm3 groß und wiegt gerade mal 180 g.
Stromversorgungen- Hohe Zuverlässigkeitsforderungen

So entwickeln Sie Schaltnetzteile für extreme Umgebungen

04.03.2019- FachartikelDie Anforderungen an Stromversorgungen in rauen Umgebungen sind hoch. Grundvoraussetzung für ihre Entwicklung sind die besten Materialien, Technologien und Topologien. Der Beitrag zeigt, wo Leistungsverluste schaltender Stromversorgungen auftreten und erläutert Verbesserungen. mehr...

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