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GaN

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "GaN".
Bild: Die flächendeckende Stromversorgung für Elektrofahrzeuge soll in Zukunft weiter ausgebaut werden.
Automotive-Innovationstreiber Galliumnitrid

Wie GaN-Halbleiter Größe, Gewicht und Kosten des E-Autos reduzieren

25.01.2019- FachartikelDer Markt für Elektrofahrzeuge wächst zehnmal schneller als sein Pendant bei den Verbrennungsmotoren, wofür auch verbesserte Batterie- und Elektroniksysteme sowie Systemkomponenten verantwortlich sind. Welche Stellung dabei der Wide-Bandgap-Halbleiter GaN einnehmen soll, erklärt der Beitrag auf All-Electronics.de. mehr...

In Kooperation mit GaN Systems hat Osram Opto Semiconductors einen Laser-Treiber für vierkanalige Lidar-Systeme entwickelt, der hohe Reichweiten und Auflösungen erreicht und dabei die Sicherheit für das menschliche Auge sicherstellt.
Automotive-Mehr Reichweite und Sicherheit

Schneller Laser-Treiber für mehrkanalige Lidar-Systeme angekündigt

04.01.2019- NewsOsram Opto Semiconductors wird einen schnellen Laser-Treiber mit einem leistungsstarken, mehrkanaligen SMT-Laser (Surface Mount Technology) für Lidar-Systeme vorstellen. mehr...

CoolGaN-600V
Leistungselektronik-Anleitung zum Umstieg von Silizium auf Galliumnitrid

Neue GaN-HEMTs für hocheffiziente Leistungswandler

13.12.2018- Application NoteBesser als Si-MOSFETs eignen sich Galliumnitrid-Transistoren der Serie CoolGaN für hocheffiziente und hochfrequente Leistungswandlerschaltungen, insbesondere für Halbbrücken-Topologien. mehr...

Bild 1a: Prinzipaufbau des 22 mOhm-Schalters.
Leistungselektronik-Selbstsperrende Kaskode

GaN-Schaltbaustein mit Positiv-Logik vereinfacht die Ansteuerung

05.12.2018- FachartikelEinzelne GaN-HEMTs sind unbeschaltet selbstleitend und umständlich anzusteuern. Visic entwickelte daraus einen intergrierten Schaltbaustein mit funktionaler Sicherheit, der in Positiv-Logik arbeitet und dadurch die Ansteuerung vereinfacht. Der Beitrag erläutert die Besonderheiten und Vorteile dieser GaN-Leistungsschalter. mehr...

PFC: Die "GaNdalf" Entwicklungsplattform
Distribution-Brückenlose Leistungsfaktorkorrektur bei Lasten bis 1 kW

PFC-Entwicklungsboard mit hohem Wirkungsgrad

16.11.2018- NewsFuture Electronics hat seine GaN-basierte Entwicklungsplattform „Gandalf“ auf der Electronica in München vorgestellt. mehr...

Panasonic zeigt am Stand seine Lösungen in den Bereichen Mobility, IoT und Energiespeicher vor.
Passive Bauelemente-Komponenten, Geräte und Module

Lösungen zu Mobility, IoT-Konnektivität und Energiespeicher

30.10.2018- ProduktberichtPanasonic stellt am Stand sein Technologieportfolio an Elektronikbauteilen, Geräten und Modulen sowie Komplettlösungen und Fertigungsanlagen vor. mehr...

Texas Instruments zeigt Lösungen rund um Smarte Technologien wie Smart Driving, Smart Building und Smart Factory.
Aktive Bauelemente-Smart Driving, Smart Building, Smart Factory

Smarte Technologien für Industrie und Automotive

30.10.2018- ProduktberichtTexas Instruments zeigt unter dem Motto „Designing Tomorrow“ in Demonstrationen und Präsentationen Fortschritte bei Analog- und Embedded-Processing-ICs für den Automobil- und Industrie-Markt. mehr...

ferrite ring on circuit board, close up
Branchenmeldungen-Auswahl und Einsatz von GaN-Technologie

WBG-Leistungsschalter für effiziente Leistungsumwandlung

16.08.2018- FachartikelModerne Anwendungen der Leistungselektronik sollen zunehmend energieeffizienter und zuverlässiger sein, aber gleichzeitig auch die Gesamtgröße des Systems verringern. Die Anwendungsbeispiele sind zahlreich, aber die gängigen Technologie-Lösungen kommen diesen hohen Anforderungen nur bedingt nach. Leistungsschalter mit breiter Bandlücke können Abhilfe schaffen, sind aber nicht immer einfach zu handhaben. mehr...

Die X-GaN-Leistungstransistoren von Panasonic ermöglichen den Normal-Aus-Betrieb bei sehr hohen Schaltfrequenzen.
Leistungselektronik-Gate-Injection-Transistoren

X-GaN-Leistungstransistoren mit 600 V Source-Drain-Spannung

29.06.2018- ProduktberichtDie 600-V-X-GaN-Transistoren von Panasonic verbessern die Leistungsdichte und den Wirkungsgrad von Energieumwandlungssystemen. Sie bewältigen dabei entscheidende technische Herausforderungen, mit denen GaN-Leistungsmodule typischerweise konfrontiert sind. mehr...

Die Volumenproduktion von Cool-GaN 400 V- und 600 V-HEMTs im E-Modus wird bis Ende 2018 starten.
Leistungselektronik-Effizienz und weniger Systemkosten

GaN fürs Strommanagement und SiC fürs Auto

27.06.2018- ProduktberichtAuf der PCIM drehte sich am Stand von Infineon alles um GaN und SiC. Noch 2018 soll die Cool-Gan-Serie für den Telekommunikationsbereich sowie das kabellose Laden in die Serienproduktion gehen. Die Cool-SiC-Serie hingegen zielt auf den Automotive Markt ab. mehr...

Typischer Aufbau einer SiC- und einer GaN-JFET-Zelle von United-SiC.
Stromversorgungen-Direkter Austausch möglich

1200-V-SiC-FETs als Ersatz für IGBTs und MOSFETs

26.06.2018- ProduktberichtAufgrund hoher Nennspannnung und geringem Durchlasswiderstand können SiC-JFET-Kaskoden von United SiC IGBTs und MOSFETs ersetzen. Design-Upgrades sind so einfacher möglich. mehr...

Zu Exagans strategischen Partnern gehören unter anderem X-FAB Silicon Foundries und das Forschungszentrum CEA-Leti für die 200-mm-GaN-Technologie.
Leistungselektronik-Für kleine und effiziente Wandler

Intelligente GaN-Power-Lösungen für Industrial und Automotive

26.06.2018- ProduktberichtExagan stellte auf der PCIM 2018 die G-FET-Leistungstransistoren und die intelligenten G-Drive-Lösungen mit hohen Schaltfrequenzen vor. G-Drive integriert dabei Treiber und Transistor in einem Gehäuse. mehr...

Rohm
Leistungselektronik-Leistungshalbleiter

Rohm kooperiert zu GaN und baut SiC-Produktionskapazitäten aus

05.06.2018- NewsMehrere Neuigkeiten bei Rohm: Der Leistungshalbleiteranbieter plant zum einen eine Zusammenarbeit mit GaN Systems zur Entwicklung von Galliumnitrid-basierter (GaN) Leistungselektronik. Auf der anderen Seite sollen im japanischen Chikugo die Kapazitäten für die Produktion von SiC-Power-Bauteilen erweitert werden. mehr...

Bild 1: Mit WBG-Halbleitern werden leistungselektronische Systeme effizienter und sorgen damit für Fortschritte im Transportwesen sowie in der Energie- und Kommunikationsbranche.
Leistungselektronik-Wide-Bandgap-Bauteile besser verstehen

Herausforderungen bei parametrischen Messungen an WBG-Halbleitern

09.05.2018- FachartikelHalbleiterbauelemente auf der Basis von Materialien mit großer Bandlücke versprechen höhere Energieeffizienz, Sicherheit und Zuverlässigkeit in einsatzkritischen Anwendungen – deshalb wächst die Nachfrage danach beständig. Für ein besseres Verständnis des Verhaltens dieser Bauteile ist eine umfassende Charakterisierung sowohl der Fertigungsprozesse als auch der Bauteilarchitekturen notwendig. mehr...

Bild 3: PM-Kern mit drei Luftspalten. Der zweite und dritte Spalt wird durch das symmetrische Gegenstück gebildet.
Passive Bauelemente-Effizienz – jedes Zehntelprozent zählt

Materialien und Designs für passive Bauelemente in Stromversorgungen

08.05.2018- FachartikelDie Effizienzsteigerung ist neben der Miniaturisierung das wichtigste Entwicklungsziel beim Design von Stromversorgungen – jedes Zehntelprozent zählt. Neben den Leitungshalbleitern sind es die passiven Bauelemente und hier vor allem Ferritkerne und Kondensatoren, die für den Wirkungsgrad entscheidend sind. Der Beitrag beschreibt ein neues Ferritmaterial, verbesserte Kern-Geometrien sowie aktuelle Designs für Kondensatoren. mehr...

Bild 1: Der Markt für Leistungsgeräte wächst beständig, wobei die Fahrzeug-Elektrifizierung für einen massiven Schub sorgt.
Leistungselektronik-Strahlende Zukunft für Leistungselektronik

EV/HEV treibt Innovationen und Markt-Wachstum in der Leistungsbranche

02.05.2018- Fachartikel2017 ist der gesamte Markt für Leistungshalbleiter auf einen Wert von 32,4 Milliarden US-Dollar gewachsen. Kein System kann ohne Energie existieren und mit Zunahme innovativer Technologien ist es notwendig, die Evolution der Leistungshalbleiterbranche auf Kurs zu halten. Der Beitrag beleuchtet die Hauptursachen hinter diesem Marktwachstum und konzentriert sich dabei vor allem auf das EV/HEV-Segment – spielt es doch zunehmend eine Schlüsselrolle auf dem Markt für Leistungshalbleiter. mehr...

Nur ein optimales Platinen-Layout ermöglicht die hohe Leistungsfähigkeit der GaN-Halbleiterbausteine.
Leistungselektronik-Schnelle Schaltzeiten

GaN-Halbbrücke mit 50 Volt pro Nanosekunde

12.12.2017- Application NoteTI erklärt, mit welchen entscheidenden Layout-Maßnahmen GaN-Leistungshalbleiter ihre maximale Effizienz erreichen können. mehr...

powerful fist
Leistungselektronik-Wide-Bandgap-Halbleiter durchbrechen Barrieren

GaN- und GaAs erhöhen Leistung und Bandbreite von HF-Verstärkern

24.11.2017- FachartikelHöhere Datenraten in Telekommunikationsanwendungen und Industriesystemen mit höherer Auflösung lassen die Arbeitsfrequenzen der darin enthaltenen Elektronikschaltungen in die Höhe schnellen. GaAs- und GaN-Transistoren mit kürzeren Gate-Längen in Verbindung mit verbesserten Techniken zur Entwicklung von Schaltkreisen ermöglichen Bausteine, die gut bei Frequenzen im Millimeterbereich arbeiten können und somit neue Anwendungen erschließen. mehr...

GaNonSi-Leistungstransistor
Leistungselektronik-Flughafenüberwachung im L-Band

GaN-on-Si-Leistungstransistor für Radar-Überwachungssysteme

16.10.2017- ProduktberichtMacom stellt mit dem GaN-on-Si-Leistungstransistor MAGX-101214-500 ein Bauelement für gepulste L-Band-Radarsysteme vor. Der Transistor ist für Flughafenüberwachungs-Radarsysteme (Airport Surveillance Radar, ASR) im Frequenzbereich von 1,2 bis 1,4 GHz ausgelegt. mehr...

Aufmacher_EV-Charger-with-ESS
Leistungselektronik-Treiben von SiC- und GaN-Leistungswandlern der nächsten Generation

Von der Schaltung zum IC-Ökosystem

12.09.2017- FachartikelUm die Vorteile der SiC- und GaN-Schalter in Leistungswandlern nutzen zu können, sind IC-Ökosysteme mit aufeinander abgestimmten Komponenten nötig. mehr...

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