Halbleiterfertigung

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "Halbleiterfertigung".
Die Arbeiten an der 300-mm-Halbleiterfabrik von Bosch in Dresden sind so weit fortgeschritten, dass Ende des Jahres das erste Equipment in die Reinräume einziehen kann.
Branchenmeldungen-ASICs für die Sensordaten-Vorverarbeitung

Boschs 300-mm-Pilotlinie in Dresden soll Ende 2021 starten

10.10.2019- NewsAuf der Baustelle der 300-mm-Fab von Bosch in Dresden hat sich in den letzten Monaten viel getan: Bereits Ende des Jahres soll das erste Equipment in die Reinräume des Werks einziehen. mehr...

SiC bietet im Vergleich zu Silizium eine höhere elektrische Leitfähigkeit und ermöglicht so höhere Schaltgeschwindigkeiten in der Leistungselektronik.
Automotive-Geringeres Gewicht, mehr Effizienz

E-Mobilität: SiC-Halbleiter von Bosch erhöhen die Reichweite

07.10.2019- NewsIn seinem Werk in Reutlingen fertigt Bosch nun auch ICs auf Basis des Wide-Bandgap-Halbleiters Siliziumkarbid (SiC). Das Material bringt bei Schaltgeschwindigkeit, Wärmeverlusten und Baugröße viele Vorteile in der Elektromobilität. mehr...

Communication Satellite Orbiting Planet Earth. 3D Scene.
Aktive Bauelemente-Simulation kosmischer Strahlung

Missionskritische Raumfahrtsysteme bleiben strahlenfest

07.08.2019- FachartikelUm Strahlungseffekte auf elektronische Systeme und Komponenten in Sateliten zu verstehen, ist es sinnvoll, zunächst die Quelle der Strahlung zu betrachten und die Auswirkungen zu simulieren. mehr...

Für die 7-nm-Serienfertigung und zur Beschleunigung der Entwicklungsarbeiten in Richtung 5- und 3-nm-Technologie baut TSMC personell um mehr als 3000 Stellen auf.
Branchenmeldungen-5- und 3-nm-Technologien in den Startlöchern

5G, KI und Automotive: TSMC baut 7-nm-Kapazitäten aus

29.07.2019- NewsDer 7-nm-Prozess entwickelt sich zunehmend zu TSMCs lukrativster Technologie. Deshalb und zur Beschleunigung der Entwicklungen in Richtung 5- und 3-nm-Technologie stockt die Foundry auch personell auf. mehr...

Forscher des Imec haben ein feldfreies Schaltkonzept für SOT-MRAM vorgestellt, das mit hoher Endurance und Schreibgeschwindigkeiten im Sub-Nanosekundenbereich L1/L2-SRAM-Chache ersetzen könnte.
Branchenmeldungen-Nichtflüchtige Speicher

Feldfreier Schaltbetrieb von Spin-Orbit-Torque-MRAM vorgestellt

24.06.2019- FachartikelForscher des Imec haben erstmals eine fertigungsgerechte Lösung für den feldfreien Schaltbetrieb von Spin-Orbit-Torque-MRAM-Bauelementen vorgestellt. mehr...

city scape and network connection concept
Aktive Bauelemente-Halbleiter-Innovation für mehr Intelligenz in der Stadt

Smart City: SOTB-Technologie eignet sich fürs Energy-Harvesting

16.05.2019- FachartikelMit der Silicon-on-Thin-Buried-Oxide-Technologie lassen sich Bausteine fürs Energy Harvesting realisieren, die im Gegensatz zur Bulk-Silizium-Technologie weniger Strom verbrauchen und sich gut für die Entwicklung intelligenter Sensoren eignen. mehr...

Bild 1: Am Anfang der Technologiereplikation steht die Lokalisierung der GDSII-Maskendaten des Originalbauteils und deren Übertragung in die Zieltechnologie.
Aktive Bauelemente-Äquivalenz auf Transistorebene bei ASICs und Standardprodukten

Wie sich mit Technologiereplikation Abkündigungsprobleme lösen lassen

29.01.2019- FachartikelHalbleiter-ASICs und -Standardprodukte unterliegen Abkündigungen, woraus sich ein Bedarf an Ersatzprodukten ergibt, die deckungsgleich mit den Originalen sein müssen. Das Verfahren der Technologiereplikation gilt dafür als Ansatz mit dem geringsten Risiko und der größten Kosteneffizienz. mehr...

Rochester Electronics fertigt im Falle der Abkündigigung elektronischer Komponenten originalgetreue Produktreplikationen nach Originaldaten des OEMs.
Aktive Bauelemente-Volle Software-Kompatibilität

Produktreplikationen nach Hersteller-Originaldaten

30.10.2018- ProduktberichtWenn Originalhersteller ein benötigtes Halbleiterprodukt nicht mehr produziert und das Bauelement nicht mehr vorrätig ist, übernimmt Rochester nach Originaldaten des OEMs den Nachbau des Produkts, vom Die-Design über die Bestückung bis hin zum Test und zur Qualifizierung. mehr...

silicon ICs wafer
Aktive Bauelemente-28 nm und weiter – Ferroelektrische Speicherzellen

Skalierbare FeFETs für anspruchsvolle High-Performance-Anwendungen

25.10.2018- FachartikelDie Fertigung der meisten Mikrocontroller findet heute in 40-nm-Technologie statt. Kleinere Technologieknoten versprechen zwar mehr Leistung und geringeren Stromverbrauch, jedoch gestaltet sich die Implementierung des notwendigen Flash-Speichers als zunehmend schwierig und kostenintensiv. Hier können ferroelektrische Speicher auf Hafniumoxid-Basis trumpfen, denn sie lassen sich unkompliziert herstellen und skalieren auch unterhalb von 28 nm problemlos. mehr...

Die Semicon Europa 2018 richtet sich an ein Publikum aus allen Segmenten der europäischen Mikroelektronik-Branche.
Branchenmeldungen-Semicon Europa 2018

Aktuelle Bedürfnisse der Halbleiterbranche im Fokus

24.10.2018- NewsMit der Semicon Europa, die zur Electronica 2018 stattfindet, erweitert die Messe für Komponenten, Systeme und Anwendungen der Elektronik ihr Angebot im Bereich der Halbleiterfertigungsindustrie. mehr...

Bild 2: Rückstreu- und Emissionsspektrum der gefüllten Siliziumstruktur, angeregt mit einer blauen Laserdiode.
Optoelektronik-Pixelierte Leuchtstoffe

Leuchtstoff-Design für hochauflösende und kontrastreiche Weißlichtquellen

02.10.2018- FachartikelMit Leuchtstoff gefüllte Siliziumstrukturen ermöglichen eine deutlich höhere räumliche Auflösung und ein besseres Kontrastverhältnis als herkömmlich verwendete Leuchtstoffe. Die neuartigen Strukturen sorgen zusätzlich für eine aktive Kühlung des Leuchtstoffs. Damit stellen sie eine vielversprechende Alternative zu LED-Matrixsystemen und Flüssigkristallanzeigen (LCD) dar, insbesondere bei Anwendungen mit einem sehr hohen Auflösungsvermögen. mehr...

Bild 1: Die nachgebauten Bauelemente sind ASICs in 0,35-µm-Technologie basierend auf den Originaldaten von LSI, untergebracht im Original-BGA-Gehäuse.
Aktive Bauelemente-Nimmt Abkündigungen den Schrecken

Bauelemente-Replikationen für Systeme mit langfristigen Lebenszyklen

21.09.2018- FachartikelBei Systemen mit langfristig angelegten Lebenszyklen stellen Abkündigungen von Bauelementen den Hersteller vor ein großes Problem. Für ein Nachrüsten oder ein Neudesign des Systems und die erforderlichen Requalifizierungen fehlen häufig die Zeit und Ressourcen. Begegnen lässt sich diesem Problem mit einer Produkt-Recreation. Was darunter zu verstehen ist und welche Möglichkeiten das Konzept bietet, beschreibt dieser Beitrag. mehr...

DNA-100-Prozessor
Aktive Bauelemente-Künstliche Intelligenz für Autonomes Fahren und IoT

Cadence stellt DNA-100-Prozessor für neuronale Netzwerke vor

20.09.2018- NewsCadence Design Systems hat mit der Cadence Tensilica DNA 100 Prozessor IP eine Deep-Neural-Network-Accelerator-Prozessor-IP (DNA) präsentiert. Mit einer Rechenleistung von 0,5 TeraMAC (TMAC) bis zu einigen 100 TMACs eignet sie sich für On-Device-Inferenz-Anwendungen von neuronalen Netzen. mehr...

Dr. Thomas Caulfield, CEO von Globalfoundries, richtet das Technologieportfolio der Foundry neu aus und stellt die Arbeiten für die 7-nm-Technologie ein. Das Unternehmen will sich stärker auf die Weiterentwicklung am 14/12--nm Knoten konzentrieren.
Branchenmeldungen-Fokus auf 14/12-nm-FinFET

Globalfoundries stoppt Entwicklungsarbeiten für 7-nm-Technologie

31.08.2018- NewsGlobalfoundries richtet seine Technologie-Roadmap neu aus und stellt die Entwicklungsarbeiten für die 7-nm-Technologie bis auf weiteres ein. Laut Dr. Thomas Caulfield, seit März 2018 CEO des Unternehmens, will sich die Foundry damit stärker auf die Bereitstellung von Technologien für schnell wachsende Märkte konzentrieren. mehr...

Die III-V-Verbundhalbleiter-Foundry Sanan IC mit Firmensitz in Xiamen City ist eine Tochtergesellschaft des LED-Chipherstellers Sanan Optoelectronics.
Branchenmeldungen-Für HF-, Opto- und Leistungselektronik

III-V-Verbundhalbleiter aus China für den Weltmarkt

28.08.2018- NewsDie Verbundhalbleiter-Foundry Sanan IC steigt mit seiner III-V-Technologieplattform in den europäischen, nordamerikanischen und asiatisch-pazifischen Markt ein. Mutterkonzern und strategischer Partner des Unternehmens ist Sanan Optoelectronics. mehr...

FeFETs sind CMOS-kompatible Speicherlösungen, die auf der ferroelektrischen Kristallphase dotierten Hafniumoxids beruhen.
Speicher-Mit Hafniumoxid voll CMOS-kompatibel

FeFETs läuten eine neue Ära für nichtflüchtige Speicher ein

11.07.2018- FachartikelDie Ferroelectric Memory GmbH (FMC) aus Dresden stellt mit ihren FeFETs (ferroelektrischen FETs) eine Speichertechnologie vor, die die ferroelektrischen Eigenschaften einer Kristallkonfiguration von dotiertem Hafniumoxid (HfO2) nutzt. Skalierbar, CMOS-kompatibel und rein auf einem Feldeffekt beruhend lassen sich mit der Technologie Speicher mit hoher Geschwindigkeit und signifikant reduzierter Leistungsaufnahme fertigen. mehr...

FMCs CEO Dr. Stefan Müller is confident the FeFET will start a new era of non-volatile memories.
Speicher-Emerging memory technologies with tremendous potential

FeFET – Next generation low power consumption non-volatile memory

11.07.2018- FachartikelThis technology has tremendous potential: Ferroelectric Memory Company (FMC) of Dresden presents FeFETs (ferroelectric FETs), a memory technology that uses the ferroelectric properties of a crystalline configuration of doped hafnium oxide (HfO2). Scalable, CMOS compatible and writing/reading purely based on a field effect, the technology allows the fabrication of high speed memory devices with significantly reduced power consumption. mehr...

Yole Développement prognostiziert eine Zunahme des Waferbedarfs durch More-than-Moore-Produkte von zehn Prozent bis 2023.
Branchenmeldungen-Marktprognose 2017 bis 2023

More-than-Moore-Geräte lassen Wafernachfrage um zehn Prozent ansteigen

09.07.2018- NewsDie Nachfrage nach Substraten für More-than-Moore-Geräte soll im Zeitraum von 2017 bis 2023 um etwa 10 Prozent zulegen, prognostiziert Yole Développement in einem seiner aktuellsten Marktforschungs-Berichte. mehr...

Modern semiconductor transistors, isolated on white
Leistungselektronik-Verluste minimieren, Durchlassverhalten optimieren

Technologische Fortschritte bei Si-IGBTs im Spannungsbereich bis 1200 V

30.05.2018- FachartikelFortschritte im Herstellungsprozess von Silizium-IGBTs verbessern das Schaltverhalten und verringern die Verluste im Durchlasszustand. Für den Anwender bleibt jedoch die Frage nach dem für eine Anwendung am besten geeigneten Leistungsschalter. Der Beitrag betrachtet diese Frage aus einer technischen Perspektive im Licht aktueller Entwicklungen bei Si-IGBTs mit Fokus auf Sperrspannungen von 600 bis 750 V. mehr...

Bild 2: AMD stellte die Architektur seines Zeppelin-SoCs vor, einem Baustein für Serveranwendungen in 14-nm-FinFET-Technologie.
Branchenmeldungen-Halbleiter-Innovationen – Ist die Party vorüber?

Prozessoren, 5G, Sensoren – Highlights von der ISSCC 2018

08.03.2018- FachartikelDie ISSCC 2018 (International Solid-State Circuits Conference) in San Francisco ist die Flaggschiff-Konferenz der IEEE Solid-State Circuits Society und präsentiert jährlich die aktuellsten technologischen Entwicklungen der Halbleiterindustrie. In diesem Jahr fand die Konferenz zum 65. Mal statt und zog etwa 3000 Teilnehmer aus Forschung, Entwicklung und Herstellung an, ihre Ergebnisse zu präsentieren, sich auszutauschen und ihr Netzwerk zu erweitern. mehr...

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