Hochfrequenzmosfets

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "Hochfrequenzmosfets".
Der MOSHEMT des Fraunhofer IAF erreicht eine Grenzfrequenz von 640 GHz
Branchenmeldungen-Metalloxidhalbleiter-HEMTs

Fraunhofer IAF entwickelt MOSHEMTs mit Grenzfrequenz von 640 GHz

08.01.2020- NewsForschern am Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF ist es gelungen, eine neue Art von Transistoren mit extrem hohen Grenzfrequenzen zu entwickeln: Metalloxidhalbleiter-HEMTs, kurz MOSHEMTs. mehr...

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Leistungselektronik-Den Durchblick haben

Hochfrequenzmosfets ARF300 und ARF301

06.11.2008- ProduktberichtMicrosemi präsentiert mit dem ARF301 einen 500-Volt-P-Channel-Hochfrequenz-Mosfet mit 300 Watt Ausgangsleistung, der sich insbesondere für den Einsatz in industriellen, wissenschaftlichen und medizintechnischen Anwendungen (ISM-Anwendungen) sowie Plasma-Applikationen eignet. mehr...

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