IGBT

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "IGBT".
Die Testlösung zur Prüfung der Platinen eines Thermosystems für Elektrofahrzeuge besteht aus einem End-of-Line-Tester und einer Teststation mit integriertem Laser-Profilsensor.
Labormesstechnik-Steueraufgaben in der Elektromobilität

Prüfsystem von MCD Elektronik testet Steuergeräte unter hohen Spannungen

06.11.2020- ProduktberichtMCD Elektronik bietet für Hersteller von elektronischen Thermosystemen in Elektrofahrzeugen zwei zusammengehörige Testsysteme an. Damit erfolgt die funktionale Prüfung der Steuerplatinen für die jeweiligen Module. mehr...

ON Semiconductor wird Danfoss Silicon Power zukünftig mit IGBTs und Dioden für Leistungsmodule in Elektrofahrzeugen beliefern.
Automotive-Leistungsbauelemente für Wechselrichter-Traktionsmodule

E-Mobility: ON Semiconductor liefert IGBTs und Dioden an Danfoss

08.07.2020- NewsON Semiconductor wird Danfoss Silicon Power mit Hochleistungs-IGBTs und Dioden für Wechselrichter-Traktionsmodule im schnell wachsenden Markt für Elektrofahrzeuge beliefern. mehr...

Vertrag mit Infineon zu Belieferung mit Leistungshalbleitern ab.
Branchenmeldungen-Elektromobilität

Infineon liefert langfristig Leistungshalbleiter an Danfoss

17.06.2020- NewsInfineon liefert Chipsätze aus IGBTs und Dioden an die Danfoss-Geschäftseinheit Silicon Power, die diese vor allem in Leistungsmodulen für Wandler zur Antriebssteuerung in Elektrofahrzeugen verbaut. mehr...

Bild 1: Um einen Normally-OFF-Betrieb zu erlauben, sind die SiC-JFETs und ein Si-MOSFET als Kaskode in Reihe geschaltet. Der MOSFET-Chip ist physikalisch auf dem JFET-Source-Pad gestapelt.
Automotive-Wide-Bandgap-Halbleiter im E-Auto

Wie Siliziumkarbid der Elektromobilität den Weg ebnet

12.06.2020- FachartikelDie Nachfrage nach Elektroautos ist riesig. Aber die Technologieentwicklung steht vor großen Herausforderungen. Effizientere Antriebsstränge mit Siliziumkarbid-Halbleitern sind ein Weg zu weiteren Fortschritten. mehr...

Bild 2: Relevante Gehäuse für durchkontaktierte und oberflächenmontierte Bauelemente für Leistungshalbleiter in Kraftfahrzeugen.
Automotive-Spannungsfeld Leistung, Robustheit und Kosten

Leistungshalbleiter-Technologien für die Elektromobilität

09.06.2020- FachartikelBei Elektroantrieben gilt es, die Systeme so effizient wie möglich zu gestalten. Dabei spielt die Leistungselektronik eine entscheidende Rolle, denn mit einem Anteil von rund 20 Prozent trägt sie erheblich zum elektrischen Gesamtverlust bei. Dabei ist zu beachten, dass die Wahl der Leistungshalbleiter immer ein Kompromiss zwischen Leistung, Robustheit und Kosten ist. mehr...

Bild 1: Strangkühlkörper aus Aluminium liefern unzählige effiziente Konzepte sowie Möglichkeiten zur Entwärmung von elektronischen Bauelementen oder -gruppen.
Wärmemanagement-Cool bleiben bei hohen Verlustleistungen

Hochleistungskühlkörper stellen die Wärmeabfuhr sicher

12.12.2019- FachartikelStranggepresste Kühlkörper sind bei der Entwärmung elektronischer Bauteile häufig im Einsatz. Die vielfältigen Entwärmungsmöglichkeiten machen für Anwender die richtige Auswahl oftmals zu einer Herausforderung. mehr...

Bild 1: Um bei einem Heizer die Wärme besser verteilen zu können, bietet sich die Parallelschaltung mehrerer Zweige an.
Automotive-Insassen, Sicherheit, Energiespeicher

IGBT-Hochvoltheizer klimatisiert E-Autos und konditioniert Batterien

09.09.2019- FachartikelElektrische Fahrzeuge sind deutlich effizienter als Fahrzeuge mit Verbrennungsmotoren. Deshalb reicht die Motorabwärme nicht mehr aus, um den Fahrzeuginnenraum ausreichend zu beheizen. Eine neue Generation an Hochvoltheizern kann helfen. mehr...

Der Ausbau des IGBT-Portfolios ist eine Reaktion Rohms auf den erhöhten Bedarf vor allem im Bereich der Elektromobilität.
Automotive-Hohe Effizienz und Miniaturisierung

IGBTs von Rohm mit niedrigen Leistungsverlusten

03.07.2019- ProduktberichtRohm erweitert sein IGBT-Produktspektrum um vier weitere, für Automobilanwendungen qualifizierte 1.200-V-Varianten mehr...

Die isolierten Gatetreiber von Texas Instruments bieten integrierte Sensing-Funktionen für IGBTs und SiC-MOSFETs.
Automotive-Für Automotive- und Industrieanwendungen

Isolierte Gatetreiber von TI schützen Hochspannungssysteme

03.05.2019- ProduktberichtDie Gatetreiber von Texas Instruments ermöglichen Entwicklern die Realisierung kompakterer und leistungsfähigerer Designs in Traktionswechselrichtern, Bord-Ladegeräten oder PV-Wechselrichtern. mehr...

ST Microelectronics IGBTs erhöhen die Effizienz der Induktionserwärmung in Haushaltsgeräten.
Leistungselektronik-Optimiert für Soft Switching

Mit IGBT von ST Microelectronics bessere Energiewerte erzielen

20.04.2019- ProduktberichtOptimiert für hohe Leitungs- und Schaltleistung in Soft-Switching-Schaltungen erhöhen die 650-V-IGBTs ST-POWER-Familie von ST Microelectronics die Energieeffizienz von Resonanzwandlern. mehr...

Bild 2: Motoren-Verkleinerungen und Direkteinspritzung als Maßnahmen zur Einhaltung von Abgasnormen haben direkten Einfluss auf den Zündungs-IGBT als Kernstück der Zündungsanlage.
Automotive-Ignition-IGBTs der fünften Generation

Wie aktuelle Zündsysteme helfen, Abgasnormen einzuhalten

28.01.2019- FachartikelInsulated-Gate-Bipolar-Transistoren in der Zündung können zu einer korrekten Funkenbildung und Verbrennung im Benzinmotor beitragen. Wie sich die Anforderungen und Spezifikationen an dieses Zündungs-IGBT weiterentwickeln, zeigt folgender Beitrag auf All-Electronics.de. mehr...

Im Bereich der Automobilelektronik zeigt ON Lösungen für Radar, Lidar und autonomes Fahren.
Automotive-Energieeffiziente Halbleiterlösungen

Neuerungen bei Automobilelektronik, Leistungswandlung und IoT

30.10.2018- ProduktberichtON Semiconductor zeigt an seinem 400 m² großen Stand Produkte und Demos aus den aufstrebenden Märkten Automobil, Leistungstungswandlung und IoT und ist mit Präsentationen auf der Automotive Conference vertreten. mehr...

Modern semiconductor transistors, isolated on white
Leistungselektronik-Verluste minimieren, Durchlassverhalten optimieren

Technologische Fortschritte bei Si-IGBTs im Spannungsbereich bis 1200 V

30.05.2018- FachartikelFortschritte im Herstellungsprozess von Silizium-IGBTs verbessern das Schaltverhalten und verringern die Verluste im Durchlasszustand. Für den Anwender bleibt jedoch die Frage nach dem für eine Anwendung am besten geeigneten Leistungsschalter. Der Beitrag betrachtet diese Frage aus einer technischen Perspektive im Licht aktueller Entwicklungen bei Si-IGBTs mit Fokus auf Sperrspannungen von 600 bis 750 V. mehr...

HY-Line Power Components auf der PCIM HY-Line Power Components
Leiterplattenfertigung-Spitzenleistung bereitstellen und schalten

Treiberbausteine für kompakte Stromversorgungen

14.05.2018- ProduktberichtHY-Line Power Components zeigt IGBT-, IPM-, MOSFET- und Gleichrichtermodule, insbesondere Wideband-SiC- und GaN-Schalter von Mitsubishi und Transphorm. Universelle IGBT- und MOSFET-Treiber sowie auf einem Chip integrierte Treiber und Stromversorgungen komplettieren das Portfolio. mehr...

Die Acepack-Power-Module von ST Microelectronics sind für die Leistungswandlung in Anwendungen wie industrielle Antriebe, Klimaanlagen und Schweißgeräte im Leistungsbereich von 3 kW bis 30 kW geeignet.
Leistungselektronik-Flach und platzeffizienz

Acepack-Power-Module für hochintegrierte Leistungwandlung

07.05.2018- ProduktberichtST Microelectronics stellt mit den Acepack-Power-Modulen eine Lösung für die kosteneffektive und hochintegrierte Leistungswandlung in industriellen und Elektromobilitäts-Anwendungen vor. mehr...

Das Power-Lab von Rohm Semiconductor in Willich-Münchheide soll Entwicklern leistungselektronischer Systeme technischen Support auf der Applikationsebene direkt vor Ort bieten.
Leistungselektronik-Technischer Support auf der Applikationsebene

Power-Lab unterstützt Entwickler beim Test von Leistungs-Komponenten

03.05.2018- FachartikelIn seinem europäischen Standort Willich-Münchheide bei Düsseldorf bietet Rohm Semiconductor in seinem Power-Lab umfangreichen Support und eine State-of-the-Art-Testumgebung für die Analyse von leistungselektronischen Komponenten. Das 300 m² große Labor soll dabei helfen, Produkte und Systeme einfacher ihrer Nutzung zuzuführen und an die Bedürfnisse und Anforderungen der Kunden anzupassen. mehr...

Blockdiagramm mit einem IGBT.
Leistungselektronik-IGBTs und MOSFETs treiben

Steuerspannung sicher und zuverlässig galvanisch getrennt ans Gate

11.12.2017- Application NoteHy-Line erklärt in diesem Whitepaper, was es bei der Verwendung einesIGBT zu beachten gibt und wie sie einzusetzen sind. mehr...

Seit 2009 ging es auf dem Markt für Transistoren ständig auf und ab. In Zukunft soll der Markt aber beständig wachsen.
Branchenmeldungen-Nach unbeständigen Jahren

Transistoren-Markt erholt sich

28.09.2017- NewsNach einem Bericht von IC Insights werden die Verkäufe von Transistoren in den kommenden Jahren  konstant steigen. Damit stabilisiert sich die Branche nach einigen holprigen Jahren. Gründe sehen die Analysten in einem erhöhten Bedarf an Transistoren in Elektrofahrzeugen sowie bei Anwendungen für erneuerbare Energien. mehr...

Der Gate-Treiber-Optokoppler TLP5214A von Toshiba eignet sich für Anwendungen, in denen schnelles Schalten erforderlich ist.
Leistungselektronik-Für IGBT- und Power-MOSFETs

Intelligenter Gate-Treiber-Optokoppler für Leistungselektronik

25.09.2017- ProduktberichtToshiba stellt mit dem TLP5214A einen intelligenten Optokoppler für IGBT- und Power-MOSFET-Gate-Ansteuerung vor. Der Baustein eigenet sich für den Einsatz in Industrie- und Photovolaikanlagen sowie unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS). mehr...

Bild 1: Die Primepack-Leistungsmodule basieren auf IGBTs der fünften Generation mit einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175 °C.
Leistungselektronik-Mit hoher Leistungsdichte lange leben

1800 A: Chip- und Leistungsmodul-Technologien machen es möglich

13.09.2017- FachartikelMit der .XT-Aufbau- und Verbindungstechnologie und IGBTs der fünften Generation von Infineon lassen sich kompakte Leistungsmodul-Topologien realisieren. mehr...

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