IGBT

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "IGBT".
Bild 1: Um bei einem Heizer die Wärme besser verteilen zu können, bietet sich die Parallelschaltung mehrerer Zweige an.
Automotive-Insassen, Sicherheit, Energiespeicher

IGBT-Hochvoltheizer klimatisiert E-Autos und konditioniert Batterien

09.09.2019- FachartikelElektrische Fahrzeuge sind deutlich effizienter als Fahrzeuge mit Verbrennungsmotoren. Deshalb reicht die Motorabwärme nicht mehr aus, um den Fahrzeuginnenraum ausreichend zu beheizen. Eine neue Generation an Hochvoltheizern kann helfen. mehr...

Der Ausbau des IGBT-Portfolios ist eine Reaktion Rohms auf den erhöhten Bedarf vor allem im Bereich der Elektromobilität.
Automotive-Hohe Effizienz und Miniaturisierung

IGBTs von Rohm mit niedrigen Leistungsverlusten

03.07.2019- ProduktberichtRohm erweitert sein IGBT-Produktspektrum um vier weitere, für Automobilanwendungen qualifizierte 1.200-V-Varianten mehr...

Die isolierten Gatetreiber von Texas Instruments bieten integrierte Sensing-Funktionen für IGBTs und SiC-MOSFETs.
Automotive-Für Automotive- und Industrieanwendungen

Isolierte Gatetreiber von TI schützen Hochspannungssysteme

03.05.2019- ProduktberichtDie Gatetreiber von Texas Instruments ermöglichen Entwicklern die Realisierung kompakterer und leistungsfähigerer Designs in Traktionswechselrichtern, Bord-Ladegeräten oder PV-Wechselrichtern. mehr...

ST Microelectronics IGBTs erhöhen die Effizienz der Induktionserwärmung in Haushaltsgeräten.
Leistungselektronik-Optimiert für Soft Switching

Mit IGBT von ST Microelectronics bessere Energiewerte erzielen

20.04.2019- ProduktberichtOptimiert für hohe Leitungs- und Schaltleistung in Soft-Switching-Schaltungen erhöhen die 650-V-IGBTs ST-POWER-Familie von ST Microelectronics die Energieeffizienz von Resonanzwandlern. mehr...

Bild 2: Motoren-Verkleinerungen und Direkteinspritzung als Maßnahmen zur Einhaltung von Abgasnormen haben direkten Einfluss auf den Zündungs-IGBT als Kernstück der Zündungsanlage.
Automotive-Ignition-IGBTs der fünften Generation

Wie aktuelle Zündsysteme helfen, Abgasnormen einzuhalten

28.01.2019- FachartikelInsulated-Gate-Bipolar-Transistoren in der Zündung können zu einer korrekten Funkenbildung und Verbrennung im Benzinmotor beitragen. Wie sich die Anforderungen und Spezifikationen an dieses Zündungs-IGBT weiterentwickeln, zeigt folgender Beitrag auf All-Electronics.de. mehr...

Im Bereich der Automobilelektronik zeigt ON Lösungen für Radar, Lidar und autonomes Fahren.
Automotive-Energieeffiziente Halbleiterlösungen

Neuerungen bei Automobilelektronik, Leistungswandlung und IoT

30.10.2018- ProduktberichtON Semiconductor zeigt an seinem 400 m² großen Stand Produkte und Demos aus den aufstrebenden Märkten Automobil, Leistungstungswandlung und IoT und ist mit Präsentationen auf der Automotive Conference vertreten. mehr...

Modern semiconductor transistors, isolated on white
Leistungselektronik-Verluste minimieren, Durchlassverhalten optimieren

Technologische Fortschritte bei Si-IGBTs im Spannungsbereich bis 1200 V

30.05.2018- FachartikelFortschritte im Herstellungsprozess von Silizium-IGBTs verbessern das Schaltverhalten und verringern die Verluste im Durchlasszustand. Für den Anwender bleibt jedoch die Frage nach dem für eine Anwendung am besten geeigneten Leistungsschalter. Der Beitrag betrachtet diese Frage aus einer technischen Perspektive im Licht aktueller Entwicklungen bei Si-IGBTs mit Fokus auf Sperrspannungen von 600 bis 750 V. mehr...

HY-Line Power Components auf der PCIM HY-Line Power Components
Leiterplattenfertigung-Spitzenleistung bereitstellen und schalten

Treiberbausteine für kompakte Stromversorgungen

14.05.2018- ProduktberichtHY-Line Power Components zeigt IGBT-, IPM-, MOSFET- und Gleichrichtermodule, insbesondere Wideband-SiC- und GaN-Schalter von Mitsubishi und Transphorm. Universelle IGBT- und MOSFET-Treiber sowie auf einem Chip integrierte Treiber und Stromversorgungen komplettieren das Portfolio. mehr...

Die Acepack-Power-Module von ST Microelectronics sind für die Leistungswandlung in Anwendungen wie industrielle Antriebe, Klimaanlagen und Schweißgeräte im Leistungsbereich von 3 kW bis 30 kW geeignet.
Leistungselektronik-Flach und platzeffizienz

Acepack-Power-Module für hochintegrierte Leistungwandlung

07.05.2018- ProduktberichtST Microelectronics stellt mit den Acepack-Power-Modulen eine Lösung für die kosteneffektive und hochintegrierte Leistungswandlung in industriellen und Elektromobilitäts-Anwendungen vor. mehr...

Das Power-Lab von Rohm Semiconductor in Willich-Münchheide soll Entwicklern leistungselektronischer Systeme technischen Support auf der Applikationsebene direkt vor Ort bieten.
Leistungselektronik-Technischer Support auf der Applikationsebene

Power-Lab unterstützt Entwickler beim Test von Leistungs-Komponenten

03.05.2018- FachartikelIn seinem europäischen Standort Willich-Münchheide bei Düsseldorf bietet Rohm Semiconductor in seinem Power-Lab umfangreichen Support und eine State-of-the-Art-Testumgebung für die Analyse von leistungselektronischen Komponenten. Das 300 m² große Labor soll dabei helfen, Produkte und Systeme einfacher ihrer Nutzung zuzuführen und an die Bedürfnisse und Anforderungen der Kunden anzupassen. mehr...

Blockdiagramm mit einem IGBT.
Leistungselektronik-IGBTs und MOSFETs treiben

Steuerspannung sicher und zuverlässig galvanisch getrennt ans Gate

11.12.2017- Application NoteHy-Line erklärt in diesem Whitepaper, was es bei der Verwendung einesIGBT zu beachten gibt und wie sie einzusetzen sind. mehr...

Seit 2009 ging es auf dem Markt für Transistoren ständig auf und ab. In Zukunft soll der Markt aber beständig wachsen.
Branchenmeldungen-Nach unbeständigen Jahren

Transistoren-Markt erholt sich

28.09.2017- NewsNach einem Bericht von IC Insights werden die Verkäufe von Transistoren in den kommenden Jahren  konstant steigen. Damit stabilisiert sich die Branche nach einigen holprigen Jahren. Gründe sehen die Analysten in einem erhöhten Bedarf an Transistoren in Elektrofahrzeugen sowie bei Anwendungen für erneuerbare Energien. mehr...

Der Gate-Treiber-Optokoppler TLP5214A von Toshiba eignet sich für Anwendungen, in denen schnelles Schalten erforderlich ist.
Leistungselektronik-Für IGBT- und Power-MOSFETs

Intelligenter Gate-Treiber-Optokoppler für Leistungselektronik

25.09.2017- ProduktberichtToshiba stellt mit dem TLP5214A einen intelligenten Optokoppler für IGBT- und Power-MOSFET-Gate-Ansteuerung vor. Der Baustein eigenet sich für den Einsatz in Industrie- und Photovolaikanlagen sowie unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS). mehr...

Bild 1: Die Primepack-Leistungsmodule basieren auf IGBTs der fünften Generation mit einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175 °C.
Leistungselektronik-Mit hoher Leistungsdichte lange leben

1800 A: Chip- und Leistungsmodul-Technologien machen es möglich

13.09.2017- FachartikelMit der .XT-Aufbau- und Verbindungstechnologie und IGBTs der fünften Generation von Infineon lassen sich kompakte Leistungsmodul-Topologien realisieren. mehr...

Die dritte Generation der IGBTs von Rohm Semiconductor in Trench-Gate-Technologie und mit Field-Stop besitzt eine geringe Schwellspannung und gewähtleistet hohe Schaltgeschwindigkeiten.
Leistungselektronik-Dünnes Substrat und optimierte Dotierung

IGBTs für 650 V in Trench-Gate-Technologie

18.05.2017- ProduktberichtRohm Semiconductor erweitert sein Angebot an IGBTs mit hoher Stromtragfähigkeit, niedriger Sättigungsspannung und geringen Schaltzeiten um eine dritte Generation. Die Bausteine eignen sich für den Einsatz in industriellen Anwendungen und Haushaltsgeräten, die sanftes und effizientes Schalten erfordern. mehr...

Bild 1: Temperaturverlauf in der Chipfläche.
Leistungselektronik-Die virtuelle Chiptemperatur und was sie bedeutet

Auch an virtuellen Temperaturen kann man sich verbrennen

10.05.2017- FachartikelFrüher war vieles einfacher und besser, so heißt es gelegentlich. Bei Halbleitertemperaturen könnte man das durchaus meinen. Vor Jahren stand in Datenblättern noch eine maximal zulässige Chiptemperatur Tjmax. Das war eine klare Aussage: heißer darf der Chip nicht werden! Heute findet sich stattdessen eine virtuelle Chiptemperatur Tvjmax. mehr...

Die optischen Kontakte sind nun sicher im DIN-41612-Gehäuse untergebracht.
Stecker + Kabel-Elektrisch stecken – optisch übertragen

Optische Kontakte im DIN-41612-Gehäuse

08.05.2017- FachartikelIGBT-Halbleiterelemente steuern leistungsstarke, elektrische Antriebe an. Um die nötige Isolation zu gewähren, erfolgt ihr Anschluss über Kunststofflichtwellenleiter. Diese Lösung ist jedoch platzintensiv und empfindlich. Harting bietet eine neue, miniaturisierte Lösung für die IGBT-Ansteuerung. mehr...

Gate-Treiber der Serie Scale I-Driver für IGBTs und MOSFETs liefern maxiale Ausgangsströme von 2,5 bis bis 8 A.
Leistungselektronik-Neues aus der Power-Fraktion

Ein kurzer Streifzug durch die Welt neuer Leistungselektronik-Bauteile

02.06.2016- FachartikelDie Halbleitertechnologien auf Basis von Galliumnitrid und Siliziumcarbid bringen durch ­eine höhere Leistungsfähigkeit und -dichte ganz neue Formen von Leistungselektronik-ICs mit vielfältiger und teilweise neuartiger Funktionalität hervor. Die Redaktion wirft einen Blick auf einige der Neuheiten. mehr...

Bild 1: Leistungsmodule der Generation Primepack in IGBT5-Technologie für Spannungsklassen von 1200 und 1700 V.
Leistungselektronik-IGBT-Chiptechnologie

Neue Freiheitsgrade in der IGBT-Leistungselektronik

11.05.2016- FachartikelLeistungsmodule der Generation Primepack mit IGBT5-Technologie basieren auf einem robusten Gehäusekonzept und erreichen eine höhere Leistungsdichte als ihre Vorgänger. Rutronik erklärt wesentliche Verbesserungen gegenüber der IGBT4-Technologie und zeigt Vorteile anhand einiger Industrieanwendungen auf. mehr...

Bild 1: Im Bereich der Leistungselektronik eröffnen Halbleiter auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) neue Dimensionen.
Leistungselektronik-Leistungshalbleiter

Siliziumkarbid-Halbleiter auf der Überholspur

20.01.2016- FachartikelDie Anforderungen an Leistungselektronik wachsen erheblich, sodass Halbleiterbausteine mit höherer Leistungsdichte, Effizienz und Zuverlässigkeit gefragt sind. Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) setzen bezüglich Schaltspannung und -geschwindigkeit, Schaltverluste und Baugröße neue Maßstäbe. mehr...

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