JFET

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "JFET".
Bild 1: Um einen Normally-OFF-Betrieb zu erlauben, sind die SiC-JFETs und ein Si-MOSFET als Kaskode in Reihe geschaltet. Der MOSFET-Chip ist physikalisch auf dem JFET-Source-Pad gestapelt.
Automotive-Wide-Bandgap-Halbleiter im E-Auto

Wie Siliziumkarbid der Elektromobilität den Weg ebnet

12.06.2020- FachartikelDie Nachfrage nach Elektroautos ist riesig. Aber die Technologieentwicklung steht vor großen Herausforderungen. Effizientere Antriebsstränge mit Siliziumkarbid-Halbleitern sind ein Weg zu weiteren Fortschritten. mehr...

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Tim McCune, President Linear Systems
Personen-Interview mit Tim McCune, President Linear Systems

Improved-Standard-Products-Linie: Besser als das Orginal

12.12.2019- Sponsored PostRauscharme monolithische Dual-JFETs für das Large Scale Synoptic Telescope und die Improved-Standard-Products-Linie zur verbesserten Produktion. Wie das funktionieren kann, erläutert Tim McCune. mehr...

SiC-FETs
Leistungselektronik-Leistungsverluste minimieren

United-SiC entwickelt SiC-FETs mit einem RDS(on) unter 10 Milliohm

11.12.2019- ProduktberichtUnited-SiC stellt vier neue SiC-FETs (Siliziumkarbid-Feldeffekttransistoren) mit RDS(on)-Werten bis zu einem Minimum von 7 Milliohm vor. mehr...

Die SiC-FETs der UJ3C- und UF3C-Serie von United SiC können als direkter Ersatz vorheriger Bausteine dienen, ohne dass die Gate-Treiberspannung geändert werden muss.
Automotive-SiC-Leistungshalbleiter

United SiC erweitert sein 650-V-Angebot um 7 SiC-FETs

20.05.2019- ProduktberichtUnited SiC ergänzt die UJ3C- (universal) und UF3C- (hart geschaltet) Serien seiner 650-V-SiC-FETs um sieben neue Varianten in TO220-3L- und D2PAK-3L-Gehäusen. mehr...

Bild 1: SiC-JFET mit vertikaler Trench-Zelle, der im Vergleich zu einer lateralen GaN-HEMT-Zelle (High Electron Mobility Transistor) einen sehr geringen Durchlasswiderstand aufweist.
Leistungselektronik-Ein starkes Gespann in der Leistungselektronik

Kaskodenbausteine aus Si-MOSFET und SiC-JFET

09.08.2018- FachartikelWenn die physikalischen Eigenschaften einzelner Halbleiterwerkstoffe den schaltungstechnischen Anforderungen nicht genügen, kann eine Kombination wie die Kaskode aus Si-MOSFET und SiC-JFET die optimale Lösung für Hochleistungsanwendungen sein. United SiC erörtert die Problemsituation und stellt einen passenden Kaskodenbaustein vor. mehr...

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Leistungselektronik-Siliziumkarbid

Semisouth zeigt Demo-Board mit SiC-JFETs

24.04.2012- ProduktberichtSemisouth Laboratories präsentiert seine SiC-JFETs in einer Kaskaden-Halbbrücken-Anwendung. mehr...

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Leistungselektronik-Hohe Line­ari­tät für Anwen­dungen im High-End-Audio-Bereich

SiC-JFETs von Semisouth

22.08.2011- ProduktberichtSemisouth Laboratories hat moderne SiC-JFETs auf den Markt gebrachte, die mit hervor­ragender Line­ari­tät für Anwen­dungen im High-End-Audio-Bereich überzeugen sollen. mehr...

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