Leistungs-MOSFET

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "Leistungs-MOSFET".
Christian André (links) im Interview mit AUTOMOBIL-ELEKTRONIK-Chefredakteur Alfred Vollmer)
Automotive-Interview mit dem Chairman von Rohm Semiconductor Europe

Christian André, Rohm: SiC löst viele Probleme

29.09.2020- FachartikelDer Bauelementehersteller Rohm hat sich vom Anbieter von Widerständen zu einem großen Halbleiterhersteller entwickelt, der auch passive Bauelemente fertigt. Jetzt steht mit dem stärkeren Fokus auf Leistungselektronik eine weitere Veränderung an. AUTOMOBIL-ELEKTRONIK hat sich bei Christian André, Chairman von Rohm Semiconductor Europe, nach den Details auch jenseits der E-Mobilität erkundigt. mehr...

Das SupIR-SMD-Gehäuse ist gemäß JANS nach MIL-PRF-19500 qualifiziert.
Leistungselektronik-Strahlungsfeste MOSFETs für Raumfahrt-Anwendungen

Infineon: QPL-qualifiziertes SupIR-SMD-Gehäuse

30.06.2020- ProduktberichtIR Hirel, ein Tochterunternehmen von Infineon, hat ein oberflächenmontierbaren SupIR-SMD-Gehäuse für Raumfahrtanwendungen entwickelt. Hiervon sind 14 strahlungsfeste MOSFET-Varianten erhältlich. mehr...

Im Vergleich zur Vorgängerversion ist der Einschaltwiderstand der SiC-MOSFETs der 4. Generation von Rohm um 40 Prozent niedriger.
Branchenmeldungen-Für Elektrofahrzeuge und Industrieanlagen

Rohm: SiC-MOSFETs der 4. Generation senken RDS(on) um 40 Prozent

19.06.2020- NewsDie SiC-MOSFETs der vierten Generation für 1200 V von Rohm sind für Automobil-Antriebsstränge, einschließlich des Hauptantriebs-Wechselrichters, sowie für Stromversorgungen in Industrieanlagen ausgelegt. mehr...

SiC-Lösungen von Microchip
Leistungselektronik-SiC-MOSFETs und SiC-Schottky-Barrieredioden

Die Zukunft beginnt mit SiC-Lösungen

02.06.2020- ProduktberichtSiliziumkarbid (SiC)-Halbleiter sind innovative, neue Optionen zur Verbesserung der Systemeffizienz, zur Unterstützung höherer Betriebstemperaturen und zur Kostensenkung in Leistungselektronik-Designs. mehr...

700- und 600-V Hochspannungs-MOSFETs im DFN5×6- und DFN8×8-SMD-Gehäuse.
Leistungselektronik- Optimiert für Stromversorgungssysteme mit hoher Dichte und geringer Bauhöhe

AOS stellt 700- und 600-V-Hochspannungs-MOSFETs vor

09.04.2020- ProduktberichtAlpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) bringt 700- und 600-V-αMOS5-SuperJunction-MOSFET-Familien in DFN5×6- und DFN8×8-SMD-Gehäusen auf den Markt. mehr...

High-Voltage-Haube
Leistungselektronik-Alles ein Frage der Verbindung

Leistungshalbleiter zum Test richtig kontaktieren

31.03.2020- FachartikelZum Test müssen Leistungshalbleiter mit dem Messgerät verbunden werden. Der Beitrag zeigt Wege zum Verbinden von Bauelementen in verschiedenen Gehäusetypen und geht auch auf die On-Wafer-Charakterisierung ein. mehr...

XPH4R10ANB und XPH6R30ANB
Automotive-Effizienz von Automotive-Systemen verbessern

Toshiba: 100-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

04.02.2020- ProduktberichtToshiba Electronics Europe stellt seine ersten 100-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Automotive-Anwendungen vor, die im kleinen SMD-SOP-Advance-/WF-Gehäuse erhältlich sind. mehr...

Loader-Icon