Leistungselektronik

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "Leistungselektronik".
Si-Leistungs-MOSFETs und SiC-MOSFETs weisen eine vertikale Struktur auf, GaN-HEMTs eine laterale.
Leistungselektronik-Si oder Wide-Bandgap?

SiC, GaN, Si: Wann Silizium in Schaltnetzteilen die bessere Wahl ist

01.04.2020- FachartikelDamit Vorteile von Wide-Bandgap-Bauelementen wie SiC und GaN in Schaltnetzteilen auch zum Tragen kommen, braucht es mehr als nur Silizium zu ersetzen –  manchmal ist Si auch die bessere Wahl. mehr...

Magna Chip will sich mit dem Verkauf des Foundry-Business laut CEO Y. J. Kim auf das OLED-Display-Treibergeschäft und Leistungselektronik konzentrieren.
Firmen und Fusionen-Konzentration auf OLED-Display-Treiber und Leistungselektronik

Magnachip verkauft sein Foundry-Business und die Fab 4

31.03.2020- NewsUm Schulden abzubauen und die Bilanz zu stärken, veräußert Magnachip sein Foundry-Business und die Fab 4 an SPC. Damit soll der Fokus stärker auf Treiber für OLED-Displays und auf Leistungselektronik gelegt werden. mehr...

High-Voltage-Haube
Leistungselektronik-Alles ein Frage der Verbindung

Leistungshalbleiter zum Test richtig kontaktieren

31.03.2020- FachartikelZum Test müssen Leistungshalbleiter mit dem Messgerät verbunden werden. Der Beitrag zeigt Wege zum Verbinden von Bauelementen in verschiedenen Gehäusetypen und geht auch auf die On-Wafer-Charakterisierung ein. mehr...

900- und 1200-V-SiC-MOSFETs von On Semiconductor
Leistungselektronik-SiC-MOSFETs erhöhen Leistungsfähigkeit und Wirkungsgrad

On Semiconductor stellt neue 900- und 1200-V-SiC-MOSFETs vor

26.03.2020- ProduktberichtOn Semiconductor bringt zwei neue Serien von SiC-MOSFETs auf den Markt. Diese Bausteine bieten geringere Verluste, höhere Betriebstemperaturen, schnelleres Schalten, verbesserte EMI und sind zuverlässiger. mehr...

Bridge-Switch-IC von Power Integrations
Leistungselektronik-Hochspannungs-Halbbrücken-Motortreiber

Power Integrations erweitert Bridge-Switch-Familie auf 400 W

16.03.2020- ProduktberichtDie 400-W-Bridge-Switch-ICs BRD1167 und BRD1267 erweitern die Familie integrierter Halbbrücken-Motortreiber von Power Integrations auf 400 W. mehr...

Die Messe PCIM wird in den Juli verschoben
Leistungselektronik-Messe und Kongress

Corona: Auch die PCIM ist verschoben

13.03.2020- NewsDer Messeveranstalter Mesago hat die Messe PCIM sowie den angeschlossenen Kongress auf später im Jahr verschoben. Der Termin steht bereits fest. mehr...

Anwendungsgebiete für kabelloses Laden wie Automotive- und mobile Anwendungen.
Leistungselektronik-Sichere kabellose Stromversorgung

Komplett-Lösungen von Infineon laden Industrieanwendungen kabellos

19.02.2020- FachartikelKabelloses Laden bietet eine Reihe an Vorteilen. Allerdings bringt die Technologie auch einige Herausforderungen für Entwickler mit sich. Infineon bietet in Zusammenarbeit mit Spark Connected Komplettlösungen für das kabellose Laden. mehr...

Mikrochips auf schwarzem Hintergrund mit anwendungsbezogenen Piktogrammen
Leistungselektronik-Für lange Betriebszeiten

Power-Management-IC von Rohm für NXPs I.MX-8M-Prozessoren

12.02.2020- ProduktberichtRohm bietet mit dem BD71850MWV einen hochintegrierten Power-Management-IC für die I.MX-8M-Nano-Applikationsprozessoren von NXP an. mehr...

Wireless Charging eines Smartphones
Leistungselektronik-Wireless Charging

Macnica offeriert 5-W-Drahtlos-Leistungsempfänger

10.02.2020- ProduktberichtMit dem Drahtlosempfänger KTE7000 von Kinetic Technologies erweitert Macnica sein Produktportfolio im Bereich Wireless Charging. mehr...

2ED-Compact-DSO-8 von Infineon
Leistungselektronik-Für 650-V-Halbbrücken

Infineon offeriert SOI-Treiberfamilien mit integrierten Bootstrap-Dioden

31.01.2020- ProduktberichtInfineon erweitert sein Eice-Driver-Portfolio um 650-V-Halbbrückentreiber, die auf der Silicon-on-Insulator-Technologie (SOI) des Unternehmens basieren. mehr...

EDAG forscht am induktiven Laden für Taxis
Automotive-Gemeinschaftsprojekt

Lane Charge: EDAG forscht am induktiven Laden von Taxen

16.01.2020- NewsZusammen mit der Hochschule Hannover, Sumida Components & Modules und der TU Braunschweig entwickelt EDAG einen Taxi-Stand mit induktiven Ladespulen. Dadurch sollen künftig  kleine Kapazitäten bei den Akkus ausreichen. mehr...

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Steffen Weinreich, Head of Cabinet Components and PCB Connections bei WAGO
Interview mit Steffen Weinreich, Head of Cabinet Components and PCB Connections bei WAGO

Kompakt, einfach und stark lautet die Devise

12.12.2019- Sponsored PostHöchste Leistung auf kleinstem Bauraum ist gefordert. Doch passgenaue Lösungen entstehen erst durch die Kombination aus kompakter Leistungsstärke, intuitiver Handhabung und kompetenter Unterstützung im Design-in-Prozess. mehr...

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Helmut Nolden, Gründer und Geschäftsführer EA Elektro-Automatik
Personen-Interview mit Helmut Nolden, Gründer und Geschäftsführer von EA Elektro-Automatik

Unsere bidirektionalen Laborstromversorgungen sind kaskadierbar

12.12.2019- Sponsored PostBei Laborstromversorgungen und elektronischen Lasten hat EA Elektro-Automatik schon lange eine führende Position. Helmut Nolden beschreibt, warum das so ist. mehr...

Toyota und Denso gründen ein Joint-Venture
Automotive-Leistungselektronik, Sensorik und SoCs

Toyota und Denso entwickeln Halbleiter für die künftige Mobilität

11.12.2019- NewsDie japanischen Unternehmen gründen das Joint Venture Mobility Innovative Research Institute for Semiconductors, um neue Halbleiter für das vernetzte und autonome Fahren zu entwickeln. mehr...

SiC-FETs
Leistungselektronik-Leistungsverluste minimieren

United-SiC entwickelt SiC-FETs mit einem RDS(on) unter 10 Milliohm

11.12.2019- ProduktberichtUnited-SiC stellt vier neue SiC-FETs (Siliziumkarbid-Feldeffekttransistoren) mit RDS(on)-Werten bis zu einem Minimum von 7 Milliohm vor. mehr...

TDK-Leistungskondensatoren für WBG-Halbleiter
Passive Bauelemente-Dank Kombination von zwei Basismaterialien

Leistungskondensatoren von TDK für Wide-Band-Gap-Halbleiter

28.11.2019- ProduktberichtWide-Bandgap-Technologien halten Einzug in die Leistungselektronik und lösen damit Halbleiter auf Silizium-Basis ab. GaN- und SiC-Halbleiter stellen aber hohe Ansprüche an die passiven Bauelemente. mehr...

650-V-GaN-FET GAN063-650WSA
Leistungselektronik-Robuster und skalierbarer Prozess

Nexperia stellt GaN-FET mit hohem Wirkungsgrad vor

27.11.2019- ProduktberichtNexperia stellt den 650-V-GaN-FET GAN063-650WSA vor, ein robustes Bauelement mit einer Gate-Source-Spannung von ±20 V. mehr...

Drei wesentliche Wertschöpfungsnetzwerke im Bereich der Elektromobilität
Automotive-Künftige Wertschöpfungsnetzwerke

NPM: Nachholbedarf bei Leistungselektronik für E-Mobility

04.11.2019- NewsNicht alle Kompetenzen entlang der Wertschöpfung im Bereich Leistungselektronik für die Elektromobilität werden von der deutschen Industrie abgedeckt. Laut Nationaler Plattform Zukunft der Mobilität besteht ein zum Teil beträchtlicher Nachholbedarf im internationalen Vergleich. mehr...

Fraunhofer IAF
Branchenmeldungen-HEMTs

Fraunhofer IAF stellt erstmals AlScN per MOCVD her

23.10.2019- NewsZudem gelang auch die Herstellung der ersten AlScN-Schichten für Transistoren. Mit einem Widerstand von 200 Ω/sq., einer Beweglichkeit von 600 cm²/Vs und einer Ladungsträgerdichte von 4,0 x 1013 cm-2 erreichen diese Schichten nach Einschätzung der Forscher bereits vielversprechende Ergebnisse. mehr...

SiC bietet im Vergleich zu Silizium eine höhere elektrische Leitfähigkeit und ermöglicht so höhere Schaltgeschwindigkeiten in der Leistungselektronik.
Automotive-Geringeres Gewicht, mehr Effizienz

E-Mobilität: SiC-Halbleiter von Bosch erhöhen die Reichweite

07.10.2019- NewsIn seinem Werk in Reutlingen fertigt Bosch nun auch ICs auf Basis des Wide-Bandgap-Halbleiters Siliziumkarbid (SiC). Das Material bringt bei Schaltgeschwindigkeit, Wärmeverlusten und Baugröße viele Vorteile in der Elektromobilität. mehr...

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