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Leistungshalbleiter bipolar

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "Leistungshalbleiter bipolar".
Leistungselektronik-Chance Energieverbrauch erheblich zu reduzieren

Auf GaN-on-Si basierende Leistungsbausteine

26.10.2010- FachartikelDurch den Einsatz von besseren Lastarchitekturen lässt sich der weltweite Energieverbrauch erhebliche Senkung. Insgesamt können mehr als 25% des jährlichen Weltenergieverbrauchs durch den breiten (d.h. >90%) Einsatz dieser effizienten Lasttechnologien eingespart werden, die durch die moderne Leistungselektronik, zum Beispiel mit auf GaN-on-Si basierenden Leistungsbausteinen, ermöglicht werden. mehr...

Leistungselektronik-Power QFN (Power Quad Flat No-Lead)

Leiterplattenbestückung mit diskreten PQFN-Gehäusen

07.10.2010- FachartikelDie 14-seitige Application Note AN-1136 von International Rectifier beschäftigt sich mit der speziell im Leistungsbereich einsetzbaren oberlächenmontierbaren Gehäusebauform Power QFN. Im Mittelpunkt stehen dabei Anwendungen mit bleifreien MOSFETs. Es werden detaillierte Angaben zum Substratlayout und Schablonendesign gemacht, um diese Bauelemente an beliebiges Produktionsequipment anpassen zu können. mehr...

Leistungselektronik-Gleichstrom-Rating bei Leistungshalbleitern

Kontinuierliches DC-Strom-Rating in großen Halbleitergehäusen

07.10.2010- FachartikelDer kontinuierlich fließende maximale Gleichstrom eines FETs ist selten der von den Herstellern publizierte Wert IDmax, besonders bei Bauelementen für niedrige Spannungen und hohe Ströme. Die International Rectifier Application Note AN-1140 von K. Teasdale geht zunächst auf das klassische Strom-Rating für Leistungshalbleiter ein und anschließend detailliert auf einzelne Parameter wie Sperrschicht-, Drahtbond- und Anschlusskontakt-Temperaturen. Außerdem wird auf den Einfluss der Bestückungsmethode eingegangen. mehr...

Leistungselektronik-SmartRectifier Control IC IR1167

Sekundärseitige Gleichrichtung mit SmartRectifier-IC

07.10.2010- FachartikelIn der 32-seitigen Application Note AN-1087 schildern die Autoren M. Salato, A. Lokhandwala und M. Soldano wie der intelligente, sekundärseitige Treiber-IC IR1167S von International Rectifier für die Ansteuerung von N-Kanal Leistungs-MOSFETs für die synchrone Gleichrichtung in isolierten Flyback-Wandlern genutzt werden kann. Der 8-polige IC kann einen oder parallel mehrere MOSFETs steuern, um das Verhalten von Schottky-Diode-Gleichrichtern zu emulieren. mehr...

Leistungselektronik-RC-Drives

Kostengünstige IGBTs für Consumer-Bereich

06.10.2010- FachartikelInfineon hat in den vergangenen 20 Jahren die Trench Field Stop IGBT Technology (TRENCHSTOP) weiterentwickelt, und stellt sie für Spannungen von 600 V bis 6500 V zur Verfügung. Die RC-Drives Technologie basiert auf dieser Plattform und ermöglicht kostengünstige, hochvolumige Anwendungen im Consumer-Bereich durch die monolithische Integration der Freilaufdiode in den IGBT-Chip, was zu einer spürbaren Einsparung von Chipfläche führt. Die 25-seitige Application Note von Davide Chiola gibt Details zu Technologie und Anwendung. mehr...

Leistungselektronik-Von Brick-Stromversorgungen bis Motorantrieben

Verbesserung von Wirkungsgrad und Leistungsdichte

01.10.2010- FachartikelDie Nachfrage nach höherer Energieeffizienz, einer gesteigerten Leistungsdichte sowie höherer Zuverlässigkeit stellen große Herausforderungen für die Entwickler von Stromversorgungen dar, und das wird immer so bleiben. Ähnlich werden optimierte Gehäusetechnologien stets von größter Bedeutung sein, um die erforderlichen Verbesserungen zu liefern. Die PQFN-Technologie sorgt für eine flexible, offene Gehäuseplattform. mehr...

Branchenmeldungen-Lieb Schwesterlein mein

PCIM China: Der chinesische Leistungselektronikmarkt boomt

25.08.2010- FachartikelWer an China im Zusammenspiel mit (Leistungs-)Elektronik denkt, hat meistens Plagiate oder billige Komponenten im Kopf, die schnell ihren Geist aufgeben. Alles Vorurteile: Im Land der Mitte hat sich ein komplettes Umdenken vollzogen: Energieeffizienz, Umweltbewusstsein und Qualität stehen im Fokus, die Aufholjagd in Bezug auf hochwertige Leistungsbausteine hat begonnen. Was sich die Unternehmen auf ihre To-Do-Liste geschrieben haben, zeigte eindrucksvoll die PCIM China. mehr...

Leistungselektronik-Into the sky

Leistungselektronisches System für Hybrid- und Elektrofahrzeuge

20.07.2010- FachartikelE-Mobility ist in aller Munde. Logisch, dass auch die Leistungshalbleiterhersteller zum Zuge kommen wollen. Semikron hat hierfür das kompakte und robuste Skai 2 entwickelt. mehr...

Leistungselektronik-Aktiver ORing

Akkutausch im laufenden Betrieb

05.07.2010- FachartikelDer Beitrag erläutert eine „aktiver ORing“ genannte Technik, die als Ersatz für herkömmliche Dioden-ORinge verwendet werden kann. Durch den Einsatz von MOSFETs im Schaltkreis kann die für eine 100%ige Verfügbarkeit erforderliche Schaltgeschwindigkeit erreicht und gleichzeitig die Verlustleistung im Schaltkreis fast auf null reduziert werden. mehr...

Leistungselektronik

SP3 Boost chopper module with ESBT switch and SiC boost diode for highest efficiency power converters

28.06.2010- FachartikelEine in den 80er Jahren entwickelte Leistungshalbleitertechnologie wurde kurz nach ihrer Einführung durch den IGBT verdrängt. Jetzt ist sie wieder am Kommen: Die ESBT-Technologie, auf die Serge Bontemps, Alain Calmels von Microsemi und Hans Oppermann auf 6 Seiten in Englisch näher eingehen. mehr...

Leistungselektronik

Bypass Diodes: Then and Now

28.06.2010- FachartikelAuf 12 Seiten in Englisch beschreibt Shawn A. Fahrenbruch, Principal Engineer der Microsemi Analog Mixed Signal Group ausführlich die Veränderungen in der elektrischen Antriebstechnik und dort auftretende Fehlermechanismen. Auch werden die verschiedenen Betriebsbedingungen an der Solarzelle näher betrachtet. mehr...

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Leistungselektronik-USB-Ports sicher schützen

Highside-Leistungsschalter

22.06.2010- ProduktberichtDiodes hat eine Familie mit sechs Highside-Leistungsschaltern auf den Markt gebracht, die für einen sicheren Schutz von USB-Ports und anderen Hot-Swap-Anwendungen sorgen. Die zweikanaligen Bausteine AP21x2A können hohe kapazitive Lasten und Kurzschlüsse tolerieren. mehr...

Branchenmeldungen-Königin, auf deine Bühne

Die Trends auf der PCIM

14.06.2010- FachartikelGute Laune, wohin man auch sah: Auf der führenden europäischen Messe für Leistungselektronik, der PCIM, hatten vor allem die Hersteller der Leistungshalbleiter gut lachen. Denn die Krise ist nicht nur überwunden, sondern die Branche boomt. Dementsprechend gab es auch einiges an Neuheiten zu bewundern. mehr...

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Leistungselektronik-Entladen X-Kondensatoren automatisch und sicher

CAPZero-ICs

09.06.2010- ProduktberichtPower Integrations präsentiert eine Familie innovativer „Zwei-Pin“-ICs im SO8 zum automatischen Entladen des X-Kondensators in EMV-Filtern am Netzeingang von Geräten. mehr...

Leistungselektronik-Mit Leidenschaft zur Genialität

Moderne Motorsteuerungen effizient designen

25.05.2010- FachartikelUm eine Motorsteuerung zu designen, muss man zwar kein Genie sein, wie Mozart oder Einstein. Dennoch ist es eine Kunst für sich – eine anspruchsvolle obendrein. Schließlich soll der Entwickler nicht nur die Störeffekte im Gesamtsystem einer Motorsteuerung reduzieren, sondern sie vor allem energieeffizienter gestalten. Welche Ansätze es gibt, mit denen sich Stromverbrauch und Platzbedarf minimieren lassen, diskutiert Fairchild Semiconductor im nachfolgenden Beitrag. mehr...

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Leistungselektronik-Die Sperrschichttemperatur optimieren

Triac

25.05.2010- ProduktberichtRenesas Electronics hat acht 800 V Triac-Produkte einschließlich des BCR16CM-16LH zur Steuerung von Stromversorgungen in Wechselstromschaltungen auf dem Entwicklungsplan. mehr...

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Leistungselektronik-Die Ausgangsstabilität erhöhen

LDO-Regler mit integrierten Spannungswächtern

25.05.2010- ProduktberichtTorex Semiconductor hat mit der Produktreihe XC6408 schnelle 28-V-Low-Dropout-Spannungsregler mit integrierten Spannungswächtern auf den Markt gebracht. mehr...

Leistungselektronik-Kampf der Giganten

Entwickler Edi: Siliziumkarbid versus Galliumnitrid

23.04.2010- FachartikelSein oder nicht sein – das ist hier natürlich keine Frage. Sondern: Setzen Sie bei einem Leistungshalbleiter auf Siliziumkarbid (SiC) oder Galliumnitrid (GaN) als Material? Shakespearschen Charakter hat diese Entscheidung allemal, geht es doch darum, den leistungsstärksten Baustein zu finden. mehr...

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Leistungselektronik-Das Rauschen reduzieren

Linear-LDO-Regler

30.03.2010- ProduktberichtLinear Technology hat mit dem LT3029 einen rauscharmen Zweikanal-LDO-Regler eingeführt, der über 2 unabhängige Eingänge und separater Shutdown-Steuerung für jeden Kanal verfügt. mehr...

Leistungselektronik-Den Wirkungsgrad erhöhen

PWM-Controller

23.02.2010- ProduktberichtFairchild Semiconductor hat integrierte PWM-Controller, wie den FAN6754 entwickelt, der einen Anlauf bei hoher Spannung ermöglicht. mehr...

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