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Leistungshalbleiter bipolar

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "Leistungshalbleiter bipolar".
Leistungselektronik-Einsatz im Energy Star V2.0 compliant Flybackconverter

Applikation: ZXGD3101 synchronous MOSFET Controller

10.10.2008- FachartikelAdrian Wong und Yong Ang von Diodes/Zetex beschreibt auf zehn Seiten in Englisch den Einsatz des ZXGD3101 synchronous MOSFET Controllers in einer Stromversorgung, die den ab November 2008 gültigen Energie Star Vorschriften entspricht. Gezeigt werden ein Vergleich zu herkömmlichen Gleichrichtermethoden und die Effizienzsteigerung in einem 60W (19V 3.2A) Flybackadapter. mehr...

Leistungselektronik-Anwendung eines 12-Kanal-Treibers

Applikation: LED Backlight Treiber

09.10.2008- FachartikelZahlreiche Applikationshinweise und Applikationsschaltungen werden in dem 17seitigen Datenblatt des LED Backlight Treibers PD24012L von Microsemi aufgeführt. Zusammen mit der CPU PD23000 wird auch eine komplette LED Backlight-Lösung gezeigt. mehr...

Leistungselektronik-Evaluation Board für 2 x 8 kanaligen High Side Schalter

Applikation: 8-Kanal-High-Side- Treiber ISO1H802G

09.10.2008- FachartikelInfineon beschreibt in einer 14-seitigen Applikationsschrift Demoboard, das mit einem isolierten 2 x 8 Kanal Hight-Side-Treiber bestückt, 0,6 A am digitalen Ausgang liefert. Die Ausgänge lassen sich dabei individuell bei zu hohen Temperaturen abschalten. Das Evaluationboard ist mit dem ISOFACE-Bauteil ISO8H02G ausgestattet und kann resistive, kapazitive und induktive Lasten ansteuern. An den Eingang muss ein CMOS-kompatibles 5 V Signal angelegt werden. Der Eingang kann aber auch durch Chip-Select- und SCLK-Signale in einen Mikrocontroller-Mode geschaltet werden. mehr...

Leistungselektronik-Design Guide für die neuen Jitter-Version des CoolSET-F3R (DIP-8)

Applikation: PWM-Controller ICE3BRxx65J

09.10.2008- FachartikelDer CoolSET-F3R ICE3BRxx65J ist das neueste Produkt aus der Leistugnshalbleiter-Reihe CoolSET-F3. In einem DIP-8 Gehäuse ist dort ein pulsbreitenmodulierter Controller mit Leistungs-MOSFET und einer Startup-Zelle untergebracht. Die Schaltfrequenz beträgt 65 kHz. Das Bauelemente ist in BiCMOS-Technik aufgebaut und arbeitet in einem Betriebsspannungsbereich (VCC) bis zu 25 V. Leistungsmerkmale der Baureihe sind u.a. aktiver Burst Mode für sehr geringen Standby-Verbrauch, die Kompentation der Laufzeitverzögerung, oder auch eingebauter Soft-start, Überlastungsschutz, switching FM (Frequenz-Jitter) und vieles mehr. mehr...

Leistungselektronik-Schaltverluste durch Einsatz SiC-Schottkydiode halbieren

Applikation:Hard-Switched Si-IGBTs

09.10.2008- FachartikelAuf 8 Seiten in Englisch zeigt Cree wie man durch den Ersatz der superschnellen Si-Softrecovery Dioden durch SiC-Schottkydioden die Schaltverluste in der Diode um 80% und die Schaltverluste im IGBT um 50% verringern kann in hart schaltenden IGBT-Applikationen. mehr...

Leistungselektronik-Untersuchung des Alterungsverhaltens

Applikation: IGBT

09.10.2008- FachartikelIn dieser Note werden auf fünf Seiten in Englisch die Ergebnisse einer Alterungsuntersuchung an 600V IGBTs unterbreitet, der im repititiven Kurzschluss betrieben wurde. Fokus der Ausarbeitung liegt auf dem kumulativen Degradationseffekt, der rund 104 Kurzschlusszyklen erfordert. mehr...

Leistungselektronik-Einsatz in Solarinvertern

Applikation: Powermodule

09.10.2008- FachartikelIn dieser Note werden von Serge Bontemps und Pierre-Laurent Doumergue auf sechs Seiten in Englisch die neuen kompakten Leistungsmodule von Microsemi beschrieben und ihr Einsatz in den verschiedenen Inverterkonfigurationen gezeigt. mehr...

Leistungselektronik-Halbiert den Platzbedarf - Leadless MOSFET

MOSFET im 2 x 2 mm großen DFN ohne Anschluss-Pins

07.10.2008- ProduktberichtDiodes Incorporated hat seinen ersten MOSFET im 2 x 2 mm großen DFN ohne Anschluss-Pins vorgestellt. Der Zetex ZXMN2F34MA benötigt auf der Leiterplatte 50 % weniger Platz als Bausteine im Industriestandard-Gehäuse des Typs SOT23 und trägt lediglich 0,85 mm auf. mehr...

Leistungselektronik-Duale Leistungs-MOSFETs - Halbierung der Montagefläche

RJK0383DPA duale Leistungs-MOSFET

08.09.2008- ProduktberichtRenesas gibt die bevorstehende Verfügbarkeit des RJK0383DPA bekannt. Dieser duale Leistungs-MOSFET ist für den Einsatz in Synchrongleichrichtern für DC/DC- Wandler vorgesehen. mehr...

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Leistungselektronik-Die Schaltverluste niedrig halten

PIM

22.07.2008- ProduktberichtDie PIM-Familie Flow-PIM 1 3rd gen in 1200V ist mit IGBT4-Technologie ausgestattet. mehr...

Stecker + Kabel-Im Vordergrund: Steigerung der Energieeffizienz

PCIM Europe 2008

15.07.2008- FachartikelAuf dem Branchentreffpunkt der Leistungselektronik, der PCIM 2008, die vom 27. bis 29. Mai in Nürnberg stattfand, standen besonders innovative Lösungen für die Steigerung der Energieeffizienz im Vordergrund. Im Folgenden einige Neuheiten, die die Redaktion der elektronik industrie aufgespürt hat. Weitere Messe High Lights finden Sie in dem folgenden Artikel. mehr...

Leistungselektronik-3,3 kV - Hochvolt-IGBTs für 1500 A

Hochvolt-IGBT-Module der R-Serie

10.07.2008- ProduktberichtMitsubishi stellte auf der PCIM 2008 Hochvolt-IGBT-Module der R-Serie vor, die für 1500 A bei 3,3 kV ausgelegt sind. mehr...

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