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Leistungshalbleiter, MOSFET

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "Leistungshalbleiter, MOSFET".
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Automotive-Für Hybrid- und Elektrofahrzeuge

Ansteuer-IC für große IGBTs oder MOSFETs

28.02.2012- ProduktberichtZur Ansteuerung von großen IGBTs oder MOSFETs in Wechselrichtern für den Antriebsstrang von (H)EVs hat International Rectifier ein AUIR0815S genanntes IC auf den Markt gebracht, das einen Ausgangsstrom von über 10 A liefert. mehr...

Leistungselektronik-24-A-Z-FET SiC-MOSFET

Einsatz in Leistungsschaltungen hoher Effizienz

05.12.2011- FachartikelDas 10-seitige englische Datenblatt des 1200 V SiC-Power-MOSFETs CMF10120D mit 160 mOhm RDS(on) zeigt ausführlich die technischen Daten und gibt Applikationshinweise sowie Angaben für Testschaltungen zur Ermittlung des Avalanche-Verlaufs. mehr...

Leistungselektronik-33-A-Z-FET SiC-MOSFET

Einsatz in effizienten Leistungsschaltkreisen

05.12.2011- FachartikelDas 13-seitige englische Datenblatt des 1200 V SiC-Power-MOSFETs CMF10120D mit 80 mOhm RDS(on) zeigt ausführlich die technischen Daten und gibt ausführliche Applikationshinweise für die Beschaltung des Bauteils an Eingang und Ausgang sowie Angaben für Testschaltungen zur Ermittlung des dynamischen Verhaltens (Avalanche, Diodenerholung usw.). mehr...

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Branchenmeldungen-Applikationshandbuch

364 Seiten geballtes Leistungshalbleiter-Know-how auf Englisch

25.11.2011- NewsSemikron hat das bereits in Deutsch erschienene Applikationshandbuch Leistungshalbleiter jetzt auch in Englisch veröffentlicht. Auf 464 Seiten findet der Elektronikexperte detaillierte Hinweise zur Auswahl und Anwendung von IGBTs, Mosfets, Dioden und Thyristor-Bauelementen. mehr...

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Leistungselektronik-PCIM South America

PCIM künftig auch in Brasilien

08.11.2011- NewsVom 11. bis 13. September 2012 findet im brasilianischen São Paulo erstmals die PCIM South America statt. Nach der PCIM Europe und der PCIM Asia bringt der Veranstalter Mesago PCIM seine Konferenz und Messe für Leistungselektronik, Intelligente Antriebstechnik, erneuerbare Energien und Energiemanagement damit auf einen weiteren Kontinent. mehr...

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Leistungselektronik-Zweifach-MOSFET

Senkt Verluste bei Gleichstrommotoren

10.10.2011- ProduktberichtZur Steuerung von ein- und dreiphasigen bürstenlosen Niederspannungs-DC-Motoren verfügt der komplementäre Dual-MOSFET DMC4040SSD von Diodes über aufeinander abgestimmte N- und P-Kanal-Transistoren. mehr...

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300-Millimeter-Dünnwafer-Technologie für MOSFETs

Vorsprung für Infineon

10.10.2011- NewsInfineon Technologies hat in Villach First Silicon auf einem 300-Millimeter-Dünnwafer für Leistungshalbleiter realisiert. Die jetzt auf einem 300-Millimeter-Dünnwafer produzierten Komponenten weisen dasselbe Verhalten auf, wie die auf 200-Millimeter-Wafern erstellten Leistungshalbleiter, wie Tests bewiesen. mehr...

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Branchenmeldungen-Mehr als Berge, Banken, Uhren und Schokolade

Die Schweiz – leistungsfähiger Nischenplayer der Elektronikbranche

30.08.2011- FachartikelAls eines der wohlhabendsten Länder der Welt hat die Schweiz mehr zu bieten als Uhren, Schokolade, Banken und eine von Bergen durchsetzte Landschaft. So weist das Unterland der Eidgenossen vor allem im High-Tech-Bereich bedeutende Unternehmen auf. Hier trägt die hohe Zuwanderung qualifizierter Fachleute – nicht zuletzt aus Deutschland – zum Wirtschaftserfolg bei. Der nachfolgende Beitrag gibt einen Einblick in die Schweizer Elektronik-Branche und das entsprechend kritische Umfeld. mehr...

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Leistungselektronik-Platzparende 3,3 x 3,3 mm TSON-Advance-Gehäuse einsetzen

30-V-SMD-Mosfets von Toshiba Electronics

09.08.2011- ProduktberichtToshiba Electronics hat mit der TPCx-Serie 30-V-Leistungsmosfets im TSON-Advance-Format für die DC/DC-Wandlung und synchrone Gleichrichtung eingeführt, die 64% weniger Platz einnehmen als SOP-8-Ausführungen. mehr...

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Leistungselektronik-Den Einschaltwiderstand für Hochleistungsapplikationen minimieren

40- bis 75-V- Automotive-qualifizierte Mosfets

05.08.2011- ProduktberichtInternational Rectifier hat Automotive-qualifizierte Mosfets auf den Markt gebracht, die durch einen niedrigen On-Widerstand (RDS(on)) überzeugen. mehr...

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Spannungswandler-IC-Moderne Verfahrensmethoden mit Leistungsmosfets einsetzen

ICs auf schwache Leckströme untersuchen

01.08.2011- FachartikelSchwache Leckströme zu entdecken, stellte bis jetzt eine große Herausforderung dar. Vishay nutzt ein modernes Verfahren, das auf eine durch Sauerstoff-Implantation entstehende Eigenschaft basiert. So lassen sich örtlich begrenzte Leckströme feststellen, die sich unterhalb der bisher erkennbaren Werte bewegen. mehr...

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Leistungselektronik-Leistungselektronik und Antriebstechnik revolutionieren

Kreative Ingenieure für Deutschland

18.07.2011- FachartikelInnovationsbremse Fachkräftemangel? In der Leistungselektronik sorgen die Trendthemen Elektromobilität, erneuerbare Energien und Smart Grids für einen steigenden Bedarf an Ingenieuren. Gerade im Bereich E-Mobility soll Deutschland bis 2020 den Sprung an die Weltspitze schaffen – ein Ziel, das sich nur mit frischen Ideen und kreativen Konzepten erreichen lässt. mehr...

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Leistungselektronik-Jubelstimmung auf der PCIM

Energieeffizienz, Elektromobilität und Smart Grids

27.06.2011- FachartikelLeistungselektronik boomt – das verdeutlichte eine brummende PCIM Europe, die im Vergleich zum vergangenen Jahr weiter zulegen konnte. Ausstellerzahl und Ausstellungsfläche sowie Zahl der Fachbesucher und der Konferenzteilnehmer stiegen. Die Aussteller glänzten mit neuen Technologien und Produkten. mehr...

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Leistungselektronik-Energieeffizienz in tragbaren Geräten verbessern

Kleinsignal-Mosfets von NXP

17.06.2011- ProduktberichtNXP Semiconductors will für mehr Energieeffizienz in mobilen Geräten, Kommunikationsanwendungen sowie anderen Consumer-Applikationen sorgen und hat dafür Kleinsignal-Mosfets vorgestellt, die mit minimalen Durchgangswiderständen überzeugen. mehr...

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Leistungselektronik-Leistungsdichte erhöhen und Design vereinfachen

Asymmetrische Dual-Mosfet-Leistungsstufen von Fairchild

14.06.2011- ProduktberichtDie Entwickler von Stromversorgungen sehen sich mit zwei Herausforderungen konfrontiert: der Reduzierung des benötigten Platzbedarfes und der Erhöhung der Leistungsdichte. mehr...

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Leistungselektronik-Trench- statt Planartechnologie einsetzen

Power-Mosfets von ST für Solarapplikationen

07.06.2011- Produktbericht“From Sun to Smart-Grid“ lautet das Motto von Halbleiterhersteller STMicroelectronics und führt im Vorfeld der Intersolar 2011 60 bis 80 Volt STripFET VI DeepGate Mosfets ein. Diese versprechen eine erhebliche Energieersparnis in Solar-, Telekommunikations und Consumer-Anwendungen. mehr...

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Leistungselektronik-Mit Automotive-Qualifizierung

Robuste MOSFETs in vielen Varianten

06.06.2011- ProduktberichtDie unter Einsatz der bewährten Planartechnologie von IR hergestellten MOSFETs sind in einem SO-8 lieferbar. mehr...

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Leistungselektronik-Schaltverluste mit 1200-Volt-SiC-Leistungsmosfet reduzieren

SiC transit glora Silizium

01.06.2011- FachartikelSilizium adieu? Es scheint zumindest so, denn Cree hat den CMF20120D vorgestellt – einen Siliziumkarbid-Mosfet, mit dem sich im Leistungselektronikbereich ganz neue Türen auftun könnten. Denn das vielver­sprechende Halbleitermaterial SiC punktet mit hohen Schaltfrequenzen, so dass sich Platzbedarf, Gewicht und Kosten in der Applikation reduzieren. mehr...

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Leistungselektronik-6A-N-Kanal-MOSFET-Gate-Treiber

Sperrschichttemperaturen von -55°C bis 125°C

01.06.2011- ProduktberichtLinear Technology präsentiert eine neue, hochzuverlässige (MP-Grade-) Version des 6A-N-Kanal-MOSFET-Gate-Treibers LTC4441, die für den Sperrschichttemperaturbereich von -55°C bis +125°C spezifiziert ist. mehr...

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Leistungselektronik-Leistungsumrichter effizient designen

Mosfets von Infineon

25.05.2011- ProduktberichtDie Opti-MOS-Mosfets für mittlere Spannungsklassen von Infineon Technologies gibt es ab sofort in Can-PAK-Gehäusen (mit Direct-FET-Technologie von IR). mehr...

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