Leistungshalbleiter

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "Leistungshalbleiter".
Der C3M0015065D ist einer von fünf vorgestellten Siliziumkarbid-MOSFETs und hat einen Einschaltwiderstand von 15 mΩ.
Leistungselektronik-Für Elektrofahrzeuge, Datenzentren und Solaranwendungen

Cree stellt Siliziumkarbid-MOSFETs mit 650 V vor

31.03.2020- ProduktberichtCree erweitert sein Angebot an MOSFETs auf Sililziumkarbid-Basis (SiC) um eine Variante für 650 V. Zum Einsatz kommt das Bauelement in Elektrofahrzeugen, Datenzentren und Solaranwendungen. mehr...

Leistungshalbleiter von Infineon
Branchenmeldungen-Lieferung in drei bis sechs Monaten

Infineon erhält großen Auftrag von Beatmungsgerätehersteller

27.03.2020- NewsDas Unternehmen liefert 38 Millionen Bauelemente an einen Hersteller von Beatmungsgeräten. Der Auftrag hat ein Volumen im mittleren zweistelligen Millionenbereich. mehr...

900- und 1200-V-SiC-MOSFETs von On Semiconductor
Leistungselektronik-SiC-MOSFETs erhöhen Leistungsfähigkeit und Wirkungsgrad

On Semiconductor stellt neue 900- und 1200-V-SiC-MOSFETs vor

26.03.2020- ProduktberichtOn Semiconductor bringt zwei neue Serien von SiC-MOSFETs auf den Markt. Diese Bausteine bieten geringere Verluste, höhere Betriebstemperaturen, schnelleres Schalten, verbesserte EMI und sind zuverlässiger. mehr...

Optimos-5-80V/100V
Automotive-Für 48-V-Systeme im Auto

Infineon stellt neue Gehäusevarianten der Opti-MOS-5-MOSFETs vor

13.03.2020- ProduktberichtInfineon bringt neue Gehäusevarianten seiner 80-V- und 100-V-MOSFETs mit Optimos-5-Technologie auf den Markt, um die unterschiedlichen Anforderungen verschiedener 48-V-Applikationen zu bedienen. mehr...

Das G3VM-21MT kombiniert die Vorteile der mechanischen und MOSFET-Relaistechnologie zugunsten einer Schaltlösung für Testgeräte.
Leiterplattenfertigung-Für maximale Testgenauigkeit

MOSFET-Relais von Omron minimiert Leckstrom

11.03.2020- ProduktberichtDas Mosfet-Relaismodul G3VM-21MT kombiniert die Vorteile der mechanischen und Mosfet-Relaistechnologie zu einer Schaltlösung für Testgeräte. mehr...

Auch 2020 stehen Wide-Bandgap-Halbleiter, Energiespeicher und die Elektromobilität im Zentrum der PCIM
Leistungselektronik-Schwerpunkte der Leistungselektronikmesse 2020

PCIM legt Fokus auf Elektromobilität, Batterien und WBG-Halbleiter

10.02.2020- News2020 zählen Batterien für Elektrofahrzeuge und stationäre Energiespeicher, Wide-Bandgap-Halbleiter sowie 3D-druckbare Komponenten zu den Schwerpunkten der Leistungselektronik-Fachmesse PCIM und der begleitenden Konferenz in Nürnberg (5. bis 7. Mai). mehr...

XPH4R10ANB und XPH6R30ANB
Automotive-Effizienz von Automotive-Systemen verbessern

Toshiba: 100-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

04.02.2020- ProduktberichtToshiba Electronics Europe stellt seine ersten 100-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Automotive-Anwendungen vor, die im kleinen SMD-SOP-Advance-/WF-Gehäuse erhältlich sind. mehr...

Rohm liefert SiC-Wafer an ST Microelectronics
Branchenmeldungen-Mehrjähriger Liefervertrag

Für 120 Millionen Dollar: Si Crystal liefert SiC-Wafer an ST

15.01.2020- NewsSi Crystal, ein Tochterunternehmen der Rohm Group, hat ein mehrjähriges Lieferabkommen für Siliziumkarbid-Wafer mit ST Microelectronics vereinbart. Die Partner wollen zu einer weiteren Verbreitung von SiC in der Industrie und in der Automobilbranche beitragen. mehr...

GaN-Ausfallanalyse
Leistungselektronik-Vertrauen in neue Leistungshalbleitertechnologien

Zuverlässigkeit von GaN-Hochspannungs-Schalttransistoren

02.12.2019- Application NoteDie Markteinführung neuer Leistungshalbleitertechnologien bedeutet für einen Hersteller von Leistungselektronikgeräten großes Vertrauen in zuverlässig funktionierende neue Halbleiter. mehr...

Topstory
Leistungselektronik-Mehr als hohe Schaltfrequenzen

Das sind die Einsatzgebiete von Cool-SiC-MOSFETs

26.11.2019- FachartikelViele Anwender bringen Cool-SiC-MOSFETs tendenziell mit hohen Schaltfrequenzen in Verbindung. Tatsächlich ist die Palette möglicher Einsatzgebiete für die Technologie jedoch viel breiter. mehr...

Vertragsunterzeichnung ZF und Danfoss
Automotive-Elektromobilität

ZF und Danfoss kooperieren bei Entwicklung von Leistungsmodulen

15.11.2019- NewsDie beiden Unternehmen ZF und Danfoss vertiefen damit ihre bereits bestehende Zusammenarbeit, wobei die aktuelle Partnerschaft vor allem die Entwicklung und Produktion von Leistungsmodulen betrifft. mehr...

Mit SiC-MOSFETs kann die Energieeffizienz von Antrieben gesteigert werden
Leistungselektronik-Energieeffizienz industrieller Antriebe mit SiC-MOSFETs steigern

Wechselrichter: Leistungsvergleich von Si-IGBT und SiC-MOSFET

07.11.2019- FachartikelDie Energieeffizienz von industriellen Antrieben hat einen hohen Stellenwert. Halbleiterhersteller versuchen deshalb, die Leistungsfähigkeit der Leistungsbausteine in den Umrichterstufen zu steigern. Eine Lösung sind SiC-MOSFETs. mehr...

Zum Laden der 800-V-Batterie des Taycan stehen vier Betriebsarten zur Verfügung. Entwickelt wurde der Energiespeicher zusammen mit LG.
Automotive-Elektromobilität auf dem 23. Automobil-Elektronik Kongress

Leistungshalbleiter bringen Innovationen ins Elektrofahrzeug

13.09.2019- FachartikelDie meisten Innovationen im Fahrzeug kommen aus der Elektronik – und im Elektroauto besonders aus den Leistungshalbleitern. Hier steht SiC in den Startlöchern. Auch Architekturen, Batterien und Laden sind zentrale Themen in der E-Mobilität, gezeigt am Beispiel des Porsche Taycan während des 23. Automobil-Elektronik Kongresses. mehr...

Bild 2: Anwendungsschaltung für den IPS4260L zur Ansteuerung von Verbrauchern von sehr großer Induktivität mit schneller Entmagnetisierung
Leistungselektronik-Ausgangsstrombegrenzung und Abschaltverzögerung programmierbar

Low Side Intelligent Power Switch mit geringem Durchgangswiderstand

13.09.2019- FachartikelThema ist ein vierkanaliger Low Side Intelligent Power Switch, der dafür konzipiert ist, die Gesamtleistungsaufnahme zu reduzieren. Bemerkenswert sind der geringe minimale Durchgangswiderstand pro Kanal sowie die Programmierbarkeit von Ausgangsstrombegrenzung und Abschaltverzögerung. mehr...

Bild 1: Das OBC-Design mit einem im Bereich 500 bis 840 V variablen Zwischenkreis basiert auf 1200-V-SiC-MOSFETs.
Automotive-Referenzdesign eines bidirektionalen OBC

SiC-MOSFET erhöht Leistungsdichte und Effizienz im On-Board Charger

09.09.2019- FachartikelElektrofahrzeuge (EV) lassen sich zur Ergänzung des Stromnetzes (V2G) einsetzen. Folglich geht der Entwicklungstrend beim On-Board Charger in Richtung eines bidirektionalen Betriebs. mehr...

Bild 3: Der kritische Gate-Widerstand für das parasitäre Einschalten wird als der Wert definiert, der einen Anstieg von 10 Prozent für Q*rr im Vergleich zum Referenz-Signalverlauf mit 0 Ω liefert.
Leistungselektronik-Vereinfachtes Gatetreiber-Design

Cool-SiC-MOSFETs: Ist parasitäres Einschalten ein Schwachpunkt?

03.09.2019- FachartikelDas von der Miller-Kapazität verursachte parasitäre Einschalten wird oftmals als Schwachpunkt heutiger Siliziumkarbid-MOSFETs angesehen. Ist das auch für Cool-SiC-MOSFETs der Fall? mehr...

Karsten Penno, ON Semiconductor, und Alfred Vollmer, Chefredakteur AUTOMOBIL-ELEKTRONIK
Automotive-Interview mit Karsten Penno von ON Semiconductor

Von Power bis ADAS: Diese Aktivitäten hat ON Semiconductor bei Automotive

30.07.2019- FachartikelDer Halbleiterhersteller ON Semiconductor hat eine bewegte Geschichte hinter sich und mittlerweile auch (durch diverse Zukäufe) ein breites Portfolio an automotive-relevanten Halbleiterprodukten in seinem Produkt-Portfolio. AUTOMOBIL-ELEKTRONIK sprach mit Karsten Penno, Automotive Sales Director EMEA bei ON Semiconductor, über diverse Themen von der Marktsituation über Cybersecurity bis Formel E, von Niedervolt über 48 V und Hochvolt bis zu Bildsensoren. mehr...

Emtron_Titelseite-Motiv_elektronik-industrie neu
Stromversorgungen-Einsatzbereiche von SiC und Standard-Silizium

Ist Silizium-Karbid die bessere Alternative?

09.07.2019- FachartikelMit Silizium-Karbid und Gallium-Nitrid hat der Schaltnetzteilentwickler zwei neue Technologien. Handelt es sich nur um neue Zutaten in der Netzteil-Küche oder um eine Komplett-Renovierung, wie sie in den 1980er bei der Umstellung von linearen auf getaktete Stromversorgungen stattfand? mehr...

Das 8 × 8 mm² große Package ermöglicht eine 48-fache Erhöhung der Leistungsdichte in MOSFETs.
Leistungselektronik-Dank neuem Package

LFPAK-MOSFETs von Nexperia erzielen bis zu 48-fache Leistungsdichte

03.07.2019- ProduktberichtNexperia bringt ein neues Package aus seiner MOSFET- und LFPAK-Produktfamilie auf den Markt, das in Kombination mit Siliziumtechnik-40-V-MOSFETs einen Einschaltwiderstand (RDS(on)) von 0,7 mΩ ermöglicht. mehr...

Herzstück der EmPower-Implementierung sind sogenannte Power Cores als Funktionsbausteine für Leistungsmodule.
Leiterplattenfertigung-Höhere Leistungsdichte, verbessertes Schaltverhalten und thermische Robustheit

Effiziente und robuste Embedded Power-Technologie

25.06.2019- FachartikelUm auf dem Weg zur Elektromobilität die Effizienz moderner Fahrzeuge und industrieller Leistungswandler zu verbessern, muss die Leistungsdichte ohne Abstriche bei Performance und Zuverlässigkeit erhöht werden. Dabei ist das Implementieren von Leistungshalbleitern direkt in die Leiterplatte ein vielversprechender Ansatz. mehr...

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