Leistungshalbleiter

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "Leistungshalbleiter".
Leistungs-MOSFET
Leistungselektronik-Erheblich geringere Verluste und effizientere Stromversorgungen

Toshiba stellt 1200-V-Siliziumkarbid (SiC-) -MOSFET vor

26.11.2020- ProduktberichtToshiba Electronics Europe stellt einen 1200-V-Siliziumkarbid (SiC-) -MOSFET für industrielle Hochleistungsanwendungen vor, unter anderem für AC/DC-Stromversorgungen mit 400-VAC-Eingang, Photovoltaik (PV-) -Wechselrichter und bidirektionale DC/DC-Wandler für unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV). mehr...

Siliziumkarbid ermöglicht besonders effiziente, robuste und auf Systemebene kostengünstige Leistungshalbleiter. Mit den Lieferungen von GT Advanced Technologies will Infineon die schnell wachsende Nachfrage bedienen können.
Firmen und Fusionen-Leistungs-Halbleiter

Infineon sichert sich weitere Siliziumkarbid-Lieferungen für Bauelemente-Fertigung

10.11.2020- NewsInfineon Technologies hat mit GT Advanced Technologies (GTAT) einen Liefervertrag für Siliziumkarbid-(SiC)-Boules geschlossen. Der Vertrag hat eine Laufzeit von zunächst fünf Jahren. mehr...

Prognostizierter Bedarfsanstieg an Leistungshalbleitern in der Elektroindustrie und Automobilindustrie bis 2030.
Branchenmeldungen-Elektrische Antriebe

ZVEI warnt vor Versorgungsproblemen bei elektrischen Antriebskomponenten

30.10.2020- NewsDer steigende Absatz von batterie- und hybridbetriebenen Fahrzeugen bei relativ kurzen Produktlebenszyklen stellt eine Gefährdung der Versorgungssicherheit für die elektrische Antriebsindustrie und andere Industriebranchen dar, warnt der ZVEI und liefert gleichzeitig Lösungsansätze. mehr...

Mouser Electronics wird Distributor für SemiQ.
Distribution-Siliziumkarbid-Halbleiter

Mouser Electronics wird Distributor von SemiQ

13.10.2020- NewsSemiQ entwickelt Siliziumkarbid-(SiC-)Halbleiter als Grundlage für Leistungselektronik im Energieversorgungsbereich weiter. Mouser wird künftig eine Reihe von SiC-Schottky-Dioden und -MOSFETs des Unternehmens anbieten mehr...

Das Evaluierungsboard EVAL-M5-IMZ120R-SIC integriert einen EMI-Filter für 3-Phasen-Gleichrichter, Stromsensoren und Schutzfunktionen.
Leistungselektronik-CoolSiC-MOSFET-Technologie in Antriebsanwendungen

Infineon: Siliziumkarbid-MADK-Board für Servoantriebe

04.09.2020- ProduktberichtInfineon will Entwickler mit seinen CoolSiC-MOSFET Modular Application Design Kits (MADK) dabei unterstützen, Markteinführungen im Bereich der Leistungselektronik für Motorantriebe zu beschleunigen. mehr...

Vertrag mit Infineon zu Belieferung mit Leistungshalbleitern ab.
Branchenmeldungen-Elektromobilität

Infineon liefert langfristig Leistungshalbleiter an Danfoss

17.06.2020- NewsInfineon liefert Chipsätze aus IGBTs und Dioden an die Danfoss-Geschäftseinheit Silicon Power, die diese vor allem in Leistungsmodulen für Wandler zur Antriebssteuerung in Elektrofahrzeugen verbaut. mehr...

Aufgrund der hohen Nachfrage nach Automotive-Leistungshalbleitern für die Elektrifizierung erweitert Mitsubishi Electric seine Produktionskapazitäten durch den Aufkauf von Anlagen von Sharp.
Firmen und Fusionen-Automotive-Elektrifizierung treibt Nachfrage an

Mitsubishi Electric erweitert Herstellung von Leistungshalbleitern

12.06.2020- NewsMitsubishi Electric übernimmt Gebäude und Grundstücke von Sharp Fukuyama Semiconductor und will damit die Kapazitäten zur Herstellung von Automotive-Leistungshalbleitern erweitern. mehr...

Bei den GaN-FETs für 650 V der H2-Generation von Nexperia fällt die Chip-Größe durch Epi-Vias um 24 Prozent kleiner aus.
Automotive-Im TO-247- und proprietären CCPAK-Gehäuse

Nexperia stellt H2-Generation an GaN-FETs für 650 V vor

09.06.2020- NewsDie nächste Generation der Galliumnitrid-FETs mit 650 V von Nexperia zielt auf die Märkte Automotive, 5G und Datenzentren ab und ist im TO-247-Gehäuse oder als SMD-Variante mit Gullwings (CCPAK) verfügbar. mehr...

Bild 2: Relevante Gehäuse für durchkontaktierte und oberflächenmontierte Bauelemente für Leistungshalbleiter in Kraftfahrzeugen.
Automotive-Spannungsfeld Leistung, Robustheit und Kosten

Leistungshalbleiter-Technologien für die Elektromobilität

09.06.2020- FachartikelBei Elektroantrieben gilt es, die Systeme so effizient wie möglich zu gestalten. Dabei spielt die Leistungselektronik eine entscheidende Rolle, denn mit einem Anteil von rund 20 Prozent trägt sie erheblich zum elektrischen Gesamtverlust bei. Dabei ist zu beachten, dass die Wahl der Leistungshalbleiter immer ein Kompromiss zwischen Leistung, Robustheit und Kosten ist. mehr...

Vitesco arbeitet bei SiC-Leistungshalbleitern mit Rohm zusammen.
Branchenmeldungen-Höhere Reichweite von EV angestrebt

Vitesco nutzt Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter von Rohm

04.06.2020- NewsDie Antriebssparte von Continental und Rohm Semiconductor sind eine Entwicklungspartnerschaft eingegangen. Vitesco will die SiC-Bausteine nutzen, um die Effizienz seiner Leistungselektronik für Elektrofahrzeuge zu steigern. mehr...

SiC-Lösungen von Microchip
Leistungselektronik-SiC-MOSFETs und SiC-Schottky-Barrieredioden

Die Zukunft beginnt mit SiC-Lösungen

02.06.2020- ProduktberichtSiliziumkarbid (SiC)-Halbleiter sind innovative, neue Optionen zur Verbesserung der Systemeffizienz, zur Unterstützung höherer Betriebstemperaturen und zur Kostensenkung in Leistungselektronik-Designs. mehr...

Der epoxidharzbasierte Klebstoff wurde speziell für die Verklebung von mikroelektronischen Bauteilen entwickelt
Leistungselektronik-Wärmeleitend und isolierend

Delo: Elektronik-Klebstoff für Leistungshalbleiter

29.05.2020- ProduktberichtDelo hat einen Elektronikklebstoff entwickelt, der wärmeleitend sowie elektrisch isolierend zugleich ist und selbst nach standardisiertem Feuchtigkeitstest mit anschließenden Reflow-Durchläufen gute Festigkeiten zeigt. mehr...

Der eingebaute Gate-Treiber enthält drei isolierte On-Board-Stromversorgungen (eine pro Phase) mit einer Leistung von jeweils bis zu 5 W pro Phase
Automotive-IPM-Technologie für die E-Mobilität

Cissoid stellt SiC-MOSFETs für intelligente Leistungsmodule vor

22.05.2020- ProduktberichtCissoid kündigt seine neue 3-Phasen-SiC-MOSFET-Plattform für intelligente Leistungsmodule (IPM) für die E-Mobilität an. mehr...

Gregor Rodehüser, Pressesprecher Infineon
Branchenmeldungen-Problembewältung an vielen Fronten

Gregor Rodehüser: So bewältigt Infineon die Corona-Krise

06.05.2020- InterviewAls international agierender Konzern sieht sich Infineon einer Vielzahl von Problemen gegenüber. Pressesprecher Gregor Rodehüser erklärt im Interview, wie der Konzern diese bewältigt und in der Krise agiert. mehr...

Der C3M0015065D ist einer von fünf vorgestellten Siliziumkarbid-MOSFETs und hat einen Einschaltwiderstand von 15 mΩ.
Leistungselektronik-Für Elektrofahrzeuge, Datenzentren und Solaranwendungen

Cree stellt Siliziumkarbid-MOSFETs mit 650 V vor

31.03.2020- ProduktberichtCree erweitert sein Angebot an MOSFETs auf Sililziumkarbid-Basis (SiC) um eine Variante für 650 V. Zum Einsatz kommt das Bauelement in Elektrofahrzeugen, Datenzentren und Solaranwendungen. mehr...

Leistungshalbleiter von Infineon
Branchenmeldungen-Lieferung in drei bis sechs Monaten

Infineon erhält großen Auftrag von Beatmungsgerätehersteller

27.03.2020- NewsDas Unternehmen liefert 38 Millionen Bauelemente an einen Hersteller von Beatmungsgeräten. Der Auftrag hat ein Volumen im mittleren zweistelligen Millionenbereich. mehr...

900- und 1200-V-SiC-MOSFETs von On Semiconductor
Leistungselektronik-SiC-MOSFETs erhöhen Leistungsfähigkeit und Wirkungsgrad

On Semiconductor stellt neue 900- und 1200-V-SiC-MOSFETs vor

26.03.2020- ProduktberichtOn Semiconductor bringt zwei neue Serien von SiC-MOSFETs auf den Markt. Diese Bausteine bieten geringere Verluste, höhere Betriebstemperaturen, schnelleres Schalten, verbesserte EMI und sind zuverlässiger. mehr...

Optimos-5-80V/100V
Automotive-Für 48-V-Systeme im Auto

Infineon stellt neue Gehäusevarianten der Opti-MOS-5-MOSFETs vor

13.03.2020- ProduktberichtInfineon bringt neue Gehäusevarianten seiner 80-V- und 100-V-MOSFETs mit Optimos-5-Technologie auf den Markt, um die unterschiedlichen Anforderungen verschiedener 48-V-Applikationen zu bedienen. mehr...

Das G3VM-21MT kombiniert die Vorteile der mechanischen und MOSFET-Relaistechnologie zugunsten einer Schaltlösung für Testgeräte.
Leiterplattenfertigung-Für maximale Testgenauigkeit

MOSFET-Relais von Omron minimiert Leckstrom

11.03.2020- ProduktberichtDas Mosfet-Relaismodul G3VM-21MT kombiniert die Vorteile der mechanischen und Mosfet-Relaistechnologie zu einer Schaltlösung für Testgeräte. mehr...

Auch 2020 stehen Wide-Bandgap-Halbleiter, Energiespeicher und die Elektromobilität im Zentrum der PCIM
Leistungselektronik-Schwerpunkte der Leistungselektronikmesse 2020

PCIM legt Fokus auf Elektromobilität, Batterien und WBG-Halbleiter

10.02.2020- News2020 zählen Batterien für Elektrofahrzeuge und stationäre Energiespeicher, Wide-Bandgap-Halbleiter sowie 3D-druckbare Komponenten zu den Schwerpunkten der Leistungselektronik-Fachmesse PCIM und der begleitenden Konferenz in Nürnberg (5. bis 7. Mai). mehr...

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