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Leistungshalbleiter

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "Leistungshalbleiter".
Bild 1: Der verschachtelte 60-kW-Aufwärtswandler von Wolfspeed mit 4 Treiber-Boards arbeitet mit einem SiC-MOSFET (1200 V, 75 mΩ).
Stromversorgungen-Haltbarkeit trotz Feuchtigkeit

TBH-80 eignet sich für reelle Prüfung von SiC-Bauelementen für Solarwechselrichter

09.01.2019- FachartikelIngenieure, die Hochspannungs- und Hochfrequenz-Solarwechselrichter entwerfen, sehen sich mit einem Problem bei der Systementwicklung konfrontiert: Wie lassen sich die gewünschte Leistungsdichte als auch die Haltbarkeit bei feuchten Außenumgebungen erzielen? Der Beitrag zeigt, wie verbesserte SiC-MOSFETs und -Dioden es ermöglichen, die Vorteile des Wide-Bandgap-Halbleiters auch unter extremen Umgebungsbedingungen zu nutzen. mehr...

CoolGaN-600V
Leistungselektronik-Anleitung zum Umstieg von Silizium auf Galliumnitrid

Neue GaN-HEMTs für hocheffiziente Leistungswandler

13.12.2018- Application NoteBesser als Si-MOSFETs eignen sich Galliumnitrid-Transistoren der Serie CoolGaN für hocheffiziente und hochfrequente Leistungswandlerschaltungen, insbesondere für Halbbrücken-Topologien. mehr...

Während Bordladegeräte mit Wechselstrom laden, bieten die leistungsstärkeren Ladestationen auch das Gleichstromladen an.
Leistungselektronik-Elektrofahrzeuge effizenter und schneller aufladen

Konzepte und Bausteine für Ladestationen und Onboard-Charger

06.12.2018- Application NoteDamit das Zusammenwirken der straßenseitigen Ladestationen (EVSE) mit den Onboard-Ladegeräte (OBC) in Fahrzeugen reibungslos funktioniert, unterstützt Texas Instruments (TI) Entwickler mit einem Applikationspapier über Anforderungen, Schaltungsarchitekturen und Halbleiterprodukte für Ladesysteme. mehr...

Der SiC-MOSFET LSIC1MO170E1000 von Littelfuse punktet mit niedriger Gate-Ladung und kleiner Output-Kapazität.
Leistungselektronik-Für EV, HEVs, Datencenter und Stromversorgungen

SiC-MOSFET für effiziente Hochfrequenzanwendungen

30.10.2018- ProduktberichtLittelfuse stellt mit dem LSIC1MO170E1000 einen SiC-MOSFET mit 1700 V und 1 Ω vor, der das Portfolio an 1200-SiC-MOSFETs und Schottky-Dioden ergänzt. mehr...

Das Inspektionssystem bietet eine gute Zugänglichkeit zum Objekttisch, auf dem sich verschiedene, ziemlich große Komponenten gleichzeitig anordnen lassen.
Leiterplattenfertigung-Röntgen von Lötstellen

Leistungshalbleiter mittels Röntgentechnik prüfen

04.10.2018- FachartikelDie Qualitätskontrolle des Aufschmelzlötverfahrens (Reflowlöten) während der Produktion ist ein Problem von Leistungshalbleiterherstellern. Röntgentechnik ist hier der einzige Weg zu prüfen, ob die aufgeschmolzene Lötpaste fortlaufend mit einem kontrollierten Lunkerniveau aufgetragen werden. mehr...

Marco Monti (rechts, im Gespräch mit AUTOMOBIL-ELEKTRONIK-Chefredakteur Alfred Vollmer): „Wir haben ja ein starkes Volumenwachstum in den Bereichen ADAS, Elektrifizierung des Antriebsstrangs und Mikrocontroller erwartet, aber zu unserer Überraschung gab es ein starkes Wachstum über alle Anwendungen, alle Länder und alle Kunden hinweg, ja sogar in sehr etablierten Anwendungen... Die Durchdringung von Halbleitern hat dramatisch zugenommen, und das war nicht in vollem Umfang vorhersehbar.“
Automotive-Von traditionellen Autos zu EVs und ADAS

Interview mit Marco Monti, President Automotive bei STMicroelectronics

23.08.2018- FachartikelAUTOMOBIL-ELEKTRONIK sprach mit Marco Monti, President Automotive bei STMicroelectronics, über viele unterschiedliche Themen: Von der aktuellen Geschäftsentwicklung bis zu Technologiefragen, von ADAS bis Elektromobilität, von Kamera über Radar und Lidar bis zur Sensorfusion, von Leistungshalbleitern bis zu Security-Funktionalitäten, aber auch über Potenziale zur Kostensenkung und die Auswirkungen der von US-Präsident Trump initiierten wirtschaftlichen Aktivitäten. mehr...

Bild 1: Block-Diagramm für ein typisches Roboter-System
Leistungselektronik-Power-MOSFETs und Gehäusetechnologien

Herausforderungen beim Antrieb von Service-Robotern

20.08.2018- FachartikelEin ideales Marktumfeld, das auf Marktreife, technologischer Verfügbarkeit und Mehrwert basiert, treibt die Verbreitung von Robotern sowohl im industriellen als auch Consumer-Segment. Parallel dazu haben Halbleiter für Roboter in den letzten Jahren signifikante Weiterentwicklungen erfahren. Neue Leistungshalbleiter ermöglichen zudem effizientere, zuverlässige und mehr-dimensionale Designs für Service-Roboter. mehr...

Two red trucks on highway at sunset
Automotive-Anspruchsvoll bei der Elektrifizierung

Transporter, Busse und LKWs – Leistungshalbleiter im Großfahrzeug

13.08.2018- FachartikelBusse, LKWs und auch kleinere Fahrzeuge für den innerstädtischen Lieferverkehr tragen erheblich zur Umweltbelastung in Großstädten bei. Die Elektrifizierung dieser Fahrzeugklassen ist daher die logische Weiterführung der aktuellen Entwicklungswelle rund um die Elektromobilität. Aber speziell in Sachen Leistungselektronik unterscheiden sich bei Großfahrzeugen die Anforderungen deutlich von denen an einen PKW. mehr...

Bild 1: SiC-JFET mit vertikaler Trench-Zelle, der im Vergleich zu einer lateralen GaN-HEMT-Zelle (High Electron Mobility Transistor) einen sehr geringen Durchlasswiderstand aufweist.
Leistungselektronik-Ein starkes Gespann in der Leistungselektronik

Kaskodenbausteine aus Si-MOSFET und SiC-JFET

09.08.2018- FachartikelWenn die physikalischen Eigenschaften einzelner Halbleiterwerkstoffe den schaltungstechnischen Anforderungen nicht genügen, kann eine Kombination wie die Kaskode aus Si-MOSFET und SiC-JFET die optimale Lösung für Hochleistungsanwendungen sein. United SiC erörtert die Problemsituation und stellt einen passenden Kaskodenbaustein vor. mehr...

Bild 4: Treiberkonzept mit De-Sat-Überwachung. Für einen ströungsfreien Betrieb ist es hier notwendig, die Schaltflanke "auszublenden".
Leistungselektronik-Den Kurzschlussfall beherrschen

Gatetreiber für die Kurzschlussfestigkeit von SiC-MOSFETs auslegen

09.08.2018- FachartikelVerbesserte Materialeigenschaften von SiC-Leistungshalbleitern lassen sich vorteilhaft nutzen um die Geräteleistung zu steigern und durch Optimierungsmöglichkeiten im Gerätedesign die Systemkosten zu reduzieren. Doch bislang stand die Kurzschlussfestigkeit von SiC-MOSFETs in Frage. Aktuelle Untersuchungen zeigen, dass derzeitige Lösungen mit entsprechenden Gatetreibern eine ausreichende Robustheit zur Verfügung stellen. mehr...

Das Die-Top-System von Heraeus basiert auf der Bond-Buffer-Technologie von Danfoss und wurde für Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeitsanforderungen entwickelt.
Baugruppenfertigung-Chipoberseitenkontaktierung für Elektromobilität

AVT für Leistungshalbleiter in Si- und SiC-Technologie

23.07.2018- FachartikelLösungen für die Leistungselektronik: Das Die-Top-System zur Chipoberseitenkontaktierung in Leistungselektronikmodulen hat Heraeus weiterentwickelt. Es ermöglicht eine mehr als 50 Prozent höhere Stromstärke des Chips und bietet eine deutlich höhere Zuverlässigkeit. Doch auch mit der Erweiterung der Condura-Familie fokussiert Heraeus weiter den Powerbereich. mehr...

Rohm
Leistungselektronik-Leistungshalbleiter

Rohm kooperiert zu GaN und baut SiC-Produktionskapazitäten aus

05.06.2018- NewsMehrere Neuigkeiten bei Rohm: Der Leistungshalbleiteranbieter plant zum einen eine Zusammenarbeit mit GaN Systems zur Entwicklung von Galliumnitrid-basierter (GaN) Leistungselektronik. Auf der anderen Seite sollen im japanischen Chikugo die Kapazitäten für die Produktion von SiC-Power-Bauteilen erweitert werden. mehr...

Bild 1: Mit WBG-Halbleitern werden leistungselektronische Systeme effizienter und sorgen damit für Fortschritte im Transportwesen sowie in der Energie- und Kommunikationsbranche.
Leistungselektronik-Wide-Bandgap-Bauteile besser verstehen

Herausforderungen bei parametrischen Messungen an WBG-Halbleitern

09.05.2018- FachartikelHalbleiterbauelemente auf der Basis von Materialien mit großer Bandlücke versprechen höhere Energieeffizienz, Sicherheit und Zuverlässigkeit in einsatzkritischen Anwendungen – deshalb wächst die Nachfrage danach beständig. Für ein besseres Verständnis des Verhaltens dieser Bauteile ist eine umfassende Charakterisierung sowohl der Fertigungsprozesse als auch der Bauteilarchitekturen notwendig. mehr...

Bild 4: Integriert in einem PQFN-Gehäuse bietet die Dual-Cool-Technik viele Vorteile gegenüber klassischer Bauteilgehäuse.
Wärmemanagement-Doppelt kühlt besser

Verbessertes Wärmemanagement mit Dual-Cool-Konzept für Power-Trench-MOSFETs

07.05.2018- FachartikelInsbesondere portable Elektronikgeräte müssen eine hohe Leistungsdichte erreichen, was auch ein ausgeklügeltes Wärmemanagement erfordert. Innovative Kühlkonzepte und effiziente Leistungshalbleiter sind hier der Schlüssel. Mit den Dual-Cool-Power-Trench-MOSFETs als Kombination aus Kühlung und verlustarmen Halbleitern verfolgt ON Semiconductor einen wirkungsvollen Ansatz. mehr...

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Leistungselektronik-Q-Speed-Dioden optimieren Schaltnetzteile

Mit PIN-Schottky-Hybrid-Dioden SiC-Parameter erreichen

07.05.2018- FachartikelWide-Band-Halbleiter wie Siliziumkarbid und Galliumnitrid können die Leistungselektronik effizienter gestalten, sie sind aktuell jedoch noch teurer als die weitverbreiteten Siliziumbauteile. Wenn es um die Optimierung von Gleichrichtern und die Korrektur des Leistungsfaktors (PFC) in Stromversorgungen geht, sind Q-Speed-Dioden als Hybrid aus PIN- und Schottky-Diode eine kostengünstige Alternative. mehr...

GaAs
Leistungselektronik-Hochspannungsanwendungen

3-5 Power Electronics startet Fertigung von GaAs-Leistungshalbleitern

19.04.2018- NewsDer auf Galliumarsenid-Leistungshalbleiter spezialisierte Hersteller 3-5 Power Electronic (35PE) hat am 11. April 2018 im Technologiezentrum Dresden eine erste Fertigungsanlage in Betrieb genommen. mehr...

Vollintegriertes Dickschicht-Leistungsmodul flowIPM 1B
Leistungselektronik-Maßgeschneiderte Leistungsmodule für jede Anwendung

Mit Blick auf EMV, thermische Anbindung und Integrationsdichte Kosten optimieren

13.12.2017- FachartikelDas Leistungsmodul ist eine Schlüsselkomponente in leistungselektronischen Anwendungen und daher oft Gegenstand für Kostenoptimierungen. Dabei gilt es jedoch, nicht jede Komponente getrennt zu betrachten, sondern die Kosten des Gesamtsystems. Der Beitrag beleuchtet konkrete Optimierungs- und Kompromissmöglichkeiten bei System- und Produktionskosten von Leistungsmodulen. mehr...

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Leistungselektronik-Vorteile von Wide-Bandgap-Halbleitern voll ausschöpfen

Design kompakter 250-kW-Dreiphasen-Wechselrichter mit SiC-MOSFETs

13.12.2017- FachartikelSowohl Entwicklung, Marktakzeptanz als auch die Anwendung von Leistungselektronik-Komponenten mit breiter Bandlücke wie SiC sind in den vergangenen Jahren rapide gewachsen. Merkmale wie hohe Elektrononenbeweglichkeiten, Sättigungsgeschwindigkeiten und Rückwärts-Durchschlagspannung lassen schnellere PWM-Schaltfrequenzen zu. Welche fundamentalen Änderungen am Systemdesign der Endanwendungsdesigner kennen muss, um vollständigen Nutzen aus den Vorteilen von SiC-Bauteilen ziehen zu können, beschreibt dieser Beitrag. mehr...

Power Topologies Handbook
Leistungselektronik-Schaltungstechnik

Ein Handbuch über Schaltwandlertopologien

12.12.2017- Application NoteTexas Instruments bietet ein Handbuch mit vielfälltigen Schaltwandlertopologien zum Download an. mehr...

Avalanche-Effekt
Leistungselektronik-Schaltungstechnik

Wissenswertes über den Avalanche-Effekt

12.12.2017- Application NoteInfineon untersucht den Avalanche-Effekt bei MOSFETs und informiert detailliert über Aspekte, die Entwickler übersehen, missachten oder einfach nicht kennen. mehr...

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