Leistungshalbleiter

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "Leistungshalbleiter".
Zum Laden der 800-V-Batterie des Taycan stehen vier Betriebsarten zur Verfügung. Entwickelt wurde der Energiespeicher zusammen mit LG.
Automotive-Elektromobilität auf dem 23. Automobil-Elektronik Kongress

Leistungshalbleiter bringen Innovationen ins Elektrofahrzeug

13.09.2019- FachartikelDie meisten Innovationen im Fahrzeug kommen aus der Elektronik – und im Elektroauto besonders aus den Leistungshalbleitern. Hier steht SiC in den Startlöchern. Auch Architekturen, Batterien und Laden sind zentrale Themen in der E-Mobilität, gezeigt am Beispiel des Porsche Taycan während des 23. Automobil-Elektronik Kongresses. mehr...

Bild 2: Anwendungsschaltung für den IPS4260L zur Ansteuerung von Verbrauchern von sehr großer Induktivität mit schneller Entmagnetisierung
Leistungselektronik-Ausgangsstrombegrenzung und Abschaltverzögerung programmierbar

Low Side Intelligent Power Switch mit geringem Durchgangswiderstand

13.09.2019- FachartikelThema ist ein vierkanaliger Low Side Intelligent Power Switch, der dafür konzipiert ist, die Gesamtleistungsaufnahme zu reduzieren. Bemerkenswert sind der geringe minimale Durchgangswiderstand pro Kanal sowie die Programmierbarkeit von Ausgangsstrombegrenzung und Abschaltverzögerung. mehr...

Bild 1: Das OBC-Design mit einem im Bereich 500 bis 840 V variablen Zwischenkreis basiert auf 1200-V-SiC-MOSFETs.
Automotive-Referenzdesign eines bidirektionalen OBC

SiC-MOSFET erhöht Leistungsdichte und Effizienz im On-Board Charger

09.09.2019- FachartikelElektrofahrzeuge (EV) lassen sich zur Ergänzung des Stromnetzes (V2G) einsetzen. Folglich geht der Entwicklungstrend beim On-Board Charger in Richtung eines bidirektionalen Betriebs. mehr...

Bild 3: Der kritische Gate-Widerstand für das parasitäre Einschalten wird als der Wert definiert, der einen Anstieg von 10 Prozent für Q*rr im Vergleich zum Referenz-Signalverlauf mit 0 Ω liefert.
Leistungselektronik-Vereinfachtes Gatetreiber-Design

Cool-SiC-MOSFETs: Ist parasitäres Einschalten ein Schwachpunkt?

03.09.2019- FachartikelDas von der Miller-Kapazität verursachte parasitäre Einschalten wird oftmals als Schwachpunkt heutiger Siliziumkarbid-MOSFETs angesehen. Ist das auch für Cool-SiC-MOSFETs der Fall? mehr...

Karsten Penno, ON Semiconductor, und Alfred Vollmer, Chefredakteur AUTOMOBIL-ELEKTRONIK
Automotive-Interview mit Karsten Penno von ON Semiconductor

Von Power bis ADAS: Diese Aktivitäten hat ON Semiconductor bei Automotive

30.07.2019- FachartikelDer Halbleiterhersteller ON Semiconductor hat eine bewegte Geschichte hinter sich und mittlerweile auch (durch diverse Zukäufe) ein breites Portfolio an automotive-relevanten Halbleiterprodukten in seinem Produkt-Portfolio. AUTOMOBIL-ELEKTRONIK sprach mit Karsten Penno, Automotive Sales Director EMEA bei ON Semiconductor, über diverse Themen von der Marktsituation über Cybersecurity bis Formel E, von Niedervolt über 48 V und Hochvolt bis zu Bildsensoren. mehr...

Emtron_Titelseite-Motiv_elektronik-industrie neu
Stromversorgungen-Einsatzbereiche von SiC und Standard-Silizium

Ist Silizium-Karbid die bessere Alternative?

09.07.2019- FachartikelMit Silizium-Karbid und Gallium-Nitrid hat der Schaltnetzteilentwickler zwei neue Technologien. Handelt es sich nur um neue Zutaten in der Netzteil-Küche oder um eine Komplett-Renovierung, wie sie in den 1980er bei der Umstellung von linearen auf getaktete Stromversorgungen stattfand? mehr...

Das 8 × 8 mm² große Package ermöglicht eine 48-fache Erhöhung der Leistungsdichte in MOSFETs.
Leistungselektronik-Dank neuem Package

LFPAK-MOSFETs von Nexperia erzielen bis zu 48-fache Leistungsdichte

03.07.2019- ProduktberichtNexperia bringt ein neues Package aus seiner MOSFET- und LFPAK-Produktfamilie auf den Markt, das in Kombination mit Siliziumtechnik-40-V-MOSFETs einen Einschaltwiderstand (RDS(on)) von 0,7 mΩ ermöglicht. mehr...

Herzstück der EmPower-Implementierung sind sogenannte Power Cores als Funktionsbausteine für Leistungsmodule.
Leiterplattenfertigung-Höhere Leistungsdichte, verbessertes Schaltverhalten und thermische Robustheit

Effiziente und robuste Embedded Power-Technologie

25.06.2019- FachartikelUm auf dem Weg zur Elektromobilität die Effizienz moderner Fahrzeuge und industrieller Leistungswandler zu verbessern, muss die Leistungsdichte ohne Abstriche bei Performance und Zuverlässigkeit erhöht werden. Dabei ist das Implementieren von Leistungshalbleitern direkt in die Leiterplatte ein vielversprechender Ansatz. mehr...

Infineon ist Koordinator des europäischen Forschungsvorhabens Power 2 Power.
Branchenmeldungen-Europäisches Kooperationsprojekt

Leistungshalbleiter: Forschungsprojekt Power 2 Power startet

05.06.2019- NewsMit Hilfe des europäischen Forschungsprojekts Power 2 Power soll die Wettbewerbsfähigkeit im Bereich Leistungshalbleiter gestärkt werden. 43 Partner unter Federführung von Infineon nehmen daran teil. mehr...

Die Übernahme von Cypress ist die bisher größte Akquisition in der Firmengeschichte Infineons.
Firmen und Fusionen-Ausbau des Digital- und Automotivegeschäfts

Infineon will Cypress Semiconductor für 9 Milliarden Euro kaufen

03.06.2019- NewsRund 24 US-Dollar pro Aktie bietet der deutsche Halbleiterhersteller für Cypress Semiconductor. Neben der Stärkung von Wachstumsmärkten soll die Übernahme auch die Präsenz am amerikanischen Markt verbessern und Synergien schaffen. mehr...

Der SiC-MOSFET NVHL080N120SC1 von ON Semiconductor ist mit einer maximalen Betriebstemperatur von +175 °C für den Einsatz im Fahrzeug geeignet.
Leistungselektronik-Robuste Bausteine

SiC-MOSFETs von On eignen sich für Industrie sowie Automotive

01.04.2019- ProduktberichtMit der Ankündigung der beiden SiC-MOSFETs will On Semiconductor sein wachsendes SiC-Ökosystem stärken, das daneben SiC-Dioden und -Treibern Ressourcen wie Simulationswerkzeuge umfasst. mehr...

Bild 3: Das TO-263-7L-SMD-Gehäuse mit Kelvin-Source und seine parasitären Induktivitäten.
Automotive-Volles Potenzial von Wide-Bandgap-Bauteilen ausschöpfen

Wie SiC-MOSFETs in SMD-Gehäusen Wandler-Verluste reduzieren

07.03.2019- FachartikelSiC-MOSFETs erreichen hohe Schaltgeschwindigkeiten und reduzieren Verluste leistungselektronischer Wandler, traditionelle Gehäuse limitieren dies jedoch. Welche Vorteile geeignete Gehäuse bringen, zeigt ein Praxis-Beispiel. mehr...

Bild 3: Die Pebble-Laptop-PSU ist nur 115 x 52 x 36 mm3 groß und wiegt gerade mal 180 g.
Stromversorgungen- Hohe Zuverlässigkeitsforderungen

So entwickeln Sie Schaltnetzteile für extreme Umgebungen

04.03.2019- FachartikelDie Anforderungen an Stromversorgungen in rauen Umgebungen sind hoch. Grundvoraussetzung für ihre Entwicklung sind die besten Materialien, Technologien und Topologien. Der Beitrag zeigt, wo Leistungsverluste schaltender Stromversorgungen auftreten und erläutert Verbesserungen. mehr...

Bild 1: Der verschachtelte 60-kW-Aufwärtswandler von Wolfspeed mit 4 Treiber-Boards arbeitet mit einem SiC-MOSFET (1200 V, 75 mΩ).
Stromversorgungen-Haltbarkeit trotz Feuchtigkeit

TBH-80 eignet sich für reelle Prüfung von SiC-Bauelementen für Solarwechselrichter

09.01.2019- FachartikelIngenieure, die Hochspannungs- und Hochfrequenz-Solarwechselrichter entwerfen, sehen sich mit einem Problem bei der Systementwicklung konfrontiert: Wie lassen sich die gewünschte Leistungsdichte als auch die Haltbarkeit bei feuchten Außenumgebungen erzielen? Der Beitrag zeigt, wie verbesserte SiC-MOSFETs und -Dioden es ermöglichen, die Vorteile des Wide-Bandgap-Halbleiters auch unter extremen Umgebungsbedingungen zu nutzen. mehr...

CoolGaN-600V
Leistungselektronik-Anleitung zum Umstieg von Silizium auf Galliumnitrid

Neue GaN-HEMTs für hocheffiziente Leistungswandler

13.12.2018- Application NoteBesser als Si-MOSFETs eignen sich Galliumnitrid-Transistoren der Serie CoolGaN für hocheffiziente und hochfrequente Leistungswandlerschaltungen, insbesondere für Halbbrücken-Topologien. mehr...

Während Bordladegeräte mit Wechselstrom laden, bieten die leistungsstärkeren Ladestationen auch das Gleichstromladen an.
Leistungselektronik-Elektrofahrzeuge effizenter und schneller aufladen

Konzepte und Bausteine für Ladestationen und Onboard-Charger

06.12.2018- Application NoteDamit das Zusammenwirken der straßenseitigen Ladestationen (EVSE) mit den Onboard-Ladegeräte (OBC) in Fahrzeugen reibungslos funktioniert, unterstützt Texas Instruments (TI) Entwickler mit einem Applikationspapier über Anforderungen, Schaltungsarchitekturen und Halbleiterprodukte für Ladesysteme. mehr...

Der SiC-MOSFET LSIC1MO170E1000 von Littelfuse punktet mit niedriger Gate-Ladung und kleiner Output-Kapazität.
Leistungselektronik-Für EV, HEVs, Datencenter und Stromversorgungen

SiC-MOSFET für effiziente Hochfrequenzanwendungen

30.10.2018- ProduktberichtLittelfuse stellt mit dem LSIC1MO170E1000 einen SiC-MOSFET mit 1700 V und 1 Ω vor, der das Portfolio an 1200-SiC-MOSFETs und Schottky-Dioden ergänzt. mehr...

Das Inspektionssystem bietet eine gute Zugänglichkeit zum Objekttisch, auf dem sich verschiedene, ziemlich große Komponenten gleichzeitig anordnen lassen.
Leiterplattenfertigung-Röntgen von Lötstellen

Leistungshalbleiter mittels Röntgentechnik prüfen

04.10.2018- FachartikelDie Qualitätskontrolle des Aufschmelzlötverfahrens (Reflowlöten) während der Produktion ist ein Problem von Leistungshalbleiterherstellern. Röntgentechnik ist hier der einzige Weg zu prüfen, ob die aufgeschmolzene Lötpaste fortlaufend mit einem kontrollierten Lunkerniveau aufgetragen werden. mehr...

Marco Monti (rechts, im Gespräch mit AUTOMOBIL-ELEKTRONIK-Chefredakteur Alfred Vollmer): „Wir haben ja ein starkes Volumenwachstum in den Bereichen ADAS, Elektrifizierung des Antriebsstrangs und Mikrocontroller erwartet, aber zu unserer Überraschung gab es ein starkes Wachstum über alle Anwendungen, alle Länder und alle Kunden hinweg, ja sogar in sehr etablierten Anwendungen... Die Durchdringung von Halbleitern hat dramatisch zugenommen, und das war nicht in vollem Umfang vorhersehbar.“
Automotive-Von traditionellen Autos zu EVs und ADAS

Interview mit Marco Monti, President Automotive bei STMicroelectronics

23.08.2018- FachartikelAUTOMOBIL-ELEKTRONIK sprach mit Marco Monti, President Automotive bei STMicroelectronics, über viele unterschiedliche Themen: Von der aktuellen Geschäftsentwicklung bis zu Technologiefragen, von ADAS bis Elektromobilität, von Kamera über Radar und Lidar bis zur Sensorfusion, von Leistungshalbleitern bis zu Security-Funktionalitäten, aber auch über Potenziale zur Kostensenkung und die Auswirkungen der von US-Präsident Trump initiierten wirtschaftlichen Aktivitäten. mehr...

Bild 1: Block-Diagramm für ein typisches Roboter-System
Leistungselektronik-Power-MOSFETs und Gehäusetechnologien

Herausforderungen beim Antrieb von Service-Robotern

20.08.2018- FachartikelEin ideales Marktumfeld, das auf Marktreife, technologischer Verfügbarkeit und Mehrwert basiert, treibt die Verbreitung von Robotern sowohl im industriellen als auch Consumer-Segment. Parallel dazu haben Halbleiter für Roboter in den letzten Jahren signifikante Weiterentwicklungen erfahren. Neue Leistungshalbleiter ermöglichen zudem effizientere, zuverlässige und mehr-dimensionale Designs für Service-Roboter. mehr...

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