Leistungshalbleiter

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "Leistungshalbleiter".
Two red trucks on highway at sunset
Automotive-Anspruchsvoll bei der Elektrifizierung

Transporter, Busse und LKWs – Leistungshalbleiter im Großfahrzeug

13.08.2018- FachartikelBusse, LKWs und auch kleinere Fahrzeuge für den innerstädtischen Lieferverkehr tragen erheblich zur Umweltbelastung in Großstädten bei. Die Elektrifizierung dieser Fahrzeugklassen ist daher die logische Weiterführung der aktuellen Entwicklungswelle rund um die Elektromobilität. Aber speziell in Sachen Leistungselektronik unterscheiden sich bei Großfahrzeugen die Anforderungen deutlich von denen an einen PKW. mehr...

Bild 1: SiC-JFET mit vertikaler Trench-Zelle, der im Vergleich zu einer lateralen GaN-HEMT-Zelle (High Electron Mobility Transistor) einen sehr geringen Durchlasswiderstand aufweist.
Leistungselektronik-Ein starkes Gespann in der Leistungselektronik

Kaskodenbausteine aus Si-MOSFET und SiC-JFET

09.08.2018- FachartikelWenn die physikalischen Eigenschaften einzelner Halbleiterwerkstoffe den schaltungstechnischen Anforderungen nicht genügen, kann eine Kombination wie die Kaskode aus Si-MOSFET und SiC-JFET die optimale Lösung für Hochleistungsanwendungen sein. United SiC erörtert die Problemsituation und stellt einen passenden Kaskodenbaustein vor. mehr...

Bild 4: Treiberkonzept mit De-Sat-Überwachung. Für einen ströungsfreien Betrieb ist es hier notwendig, die Schaltflanke "auszublenden".
Leistungselektronik-Den Kurzschlussfall beherrschen

Gatetreiber für die Kurzschlussfestigkeit von SiC-MOSFETs auslegen

09.08.2018- FachartikelVerbesserte Materialeigenschaften von SiC-Leistungshalbleitern lassen sich vorteilhaft nutzen um die Geräteleistung zu steigern und durch Optimierungsmöglichkeiten im Gerätedesign die Systemkosten zu reduzieren. Doch bislang stand die Kurzschlussfestigkeit von SiC-MOSFETs in Frage. Aktuelle Untersuchungen zeigen, dass derzeitige Lösungen mit entsprechenden Gatetreibern eine ausreichende Robustheit zur Verfügung stellen. mehr...

Das Die-Top-System von Heraeus basiert auf der Bond-Buffer-Technologie von Danfoss und wurde für Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeitsanforderungen entwickelt.
Baugruppenfertigung-Chipoberseitenkontaktierung für Elektromobilität

AVT für Leistungshalbleiter in Si- und SiC-Technologie

23.07.2018- FachartikelLösungen für die Leistungselektronik: Das Die-Top-System zur Chipoberseitenkontaktierung in Leistungselektronikmodulen hat Heraeus weiterentwickelt. Es ermöglicht eine mehr als 50 Prozent höhere Stromstärke des Chips und bietet eine deutlich höhere Zuverlässigkeit. Doch auch mit der Erweiterung der Condura-Familie fokussiert Heraeus weiter den Powerbereich. mehr...

Rohm
Leistungselektronik-Leistungshalbleiter

Rohm kooperiert zu GaN und baut SiC-Produktionskapazitäten aus

05.06.2018- NewsMehrere Neuigkeiten bei Rohm: Der Leistungshalbleiteranbieter plant zum einen eine Zusammenarbeit mit GaN Systems zur Entwicklung von Galliumnitrid-basierter (GaN) Leistungselektronik. Auf der anderen Seite sollen im japanischen Chikugo die Kapazitäten für die Produktion von SiC-Power-Bauteilen erweitert werden. mehr...

Bild 1: Mit WBG-Halbleitern werden leistungselektronische Systeme effizienter und sorgen damit für Fortschritte im Transportwesen sowie in der Energie- und Kommunikationsbranche.
Leistungselektronik-Wide-Bandgap-Bauteile besser verstehen

Herausforderungen bei parametrischen Messungen an WBG-Halbleitern

09.05.2018- FachartikelHalbleiterbauelemente auf der Basis von Materialien mit großer Bandlücke versprechen höhere Energieeffizienz, Sicherheit und Zuverlässigkeit in einsatzkritischen Anwendungen – deshalb wächst die Nachfrage danach beständig. Für ein besseres Verständnis des Verhaltens dieser Bauteile ist eine umfassende Charakterisierung sowohl der Fertigungsprozesse als auch der Bauteilarchitekturen notwendig. mehr...

Bild 4: Integriert in einem PQFN-Gehäuse bietet die Dual-Cool-Technik viele Vorteile gegenüber klassischer Bauteilgehäuse.
Wärmemanagement-Doppelt kühlt besser

Verbessertes Wärmemanagement mit Dual-Cool-Konzept für Power-Trench-MOSFETs

07.05.2018- FachartikelInsbesondere portable Elektronikgeräte müssen eine hohe Leistungsdichte erreichen, was auch ein ausgeklügeltes Wärmemanagement erfordert. Innovative Kühlkonzepte und effiziente Leistungshalbleiter sind hier der Schlüssel. Mit den Dual-Cool-Power-Trench-MOSFETs als Kombination aus Kühlung und verlustarmen Halbleitern verfolgt ON Semiconductor einen wirkungsvollen Ansatz. mehr...

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Leistungselektronik-Q-Speed-Dioden optimieren Schaltnetzteile

Mit PIN-Schottky-Hybrid-Dioden SiC-Parameter erreichen

07.05.2018- FachartikelWide-Band-Halbleiter wie Siliziumkarbid und Galliumnitrid können die Leistungselektronik effizienter gestalten, sie sind aktuell jedoch noch teurer als die weitverbreiteten Siliziumbauteile. Wenn es um die Optimierung von Gleichrichtern und die Korrektur des Leistungsfaktors (PFC) in Stromversorgungen geht, sind Q-Speed-Dioden als Hybrid aus PIN- und Schottky-Diode eine kostengünstige Alternative. mehr...

GaAs
Leistungselektronik-Hochspannungsanwendungen

3-5 Power Electronics startet Fertigung von GaAs-Leistungshalbleitern

19.04.2018- NewsDer auf Galliumarsenid-Leistungshalbleiter spezialisierte Hersteller 3-5 Power Electronic (35PE) hat am 11. April 2018 im Technologiezentrum Dresden eine erste Fertigungsanlage in Betrieb genommen. mehr...

Vollintegriertes Dickschicht-Leistungsmodul flowIPM 1B
Leistungselektronik-Maßgeschneiderte Leistungsmodule für jede Anwendung

Mit Blick auf EMV, thermische Anbindung und Integrationsdichte Kosten optimieren

13.12.2017- FachartikelDas Leistungsmodul ist eine Schlüsselkomponente in leistungselektronischen Anwendungen und daher oft Gegenstand für Kostenoptimierungen. Dabei gilt es jedoch, nicht jede Komponente getrennt zu betrachten, sondern die Kosten des Gesamtsystems. Der Beitrag beleuchtet konkrete Optimierungs- und Kompromissmöglichkeiten bei System- und Produktionskosten von Leistungsmodulen. mehr...

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Leistungselektronik-Vorteile von Wide-Bandgap-Halbleitern voll ausschöpfen

Design kompakter 250-kW-Dreiphasen-Wechselrichter mit SiC-MOSFETs

13.12.2017- FachartikelSowohl Entwicklung, Marktakzeptanz als auch die Anwendung von Leistungselektronik-Komponenten mit breiter Bandlücke wie SiC sind in den vergangenen Jahren rapide gewachsen. Merkmale wie hohe Elektrononenbeweglichkeiten, Sättigungsgeschwindigkeiten und Rückwärts-Durchschlagspannung lassen schnellere PWM-Schaltfrequenzen zu. Welche fundamentalen Änderungen am Systemdesign der Endanwendungsdesigner kennen muss, um vollständigen Nutzen aus den Vorteilen von SiC-Bauteilen ziehen zu können, beschreibt dieser Beitrag. mehr...

Power Topologies Handbook
Leistungselektronik-Schaltungstechnik

Ein Handbuch über Schaltwandlertopologien

12.12.2017- Application NoteTexas Instruments bietet ein Handbuch mit vielfälltigen Schaltwandlertopologien zum Download an. mehr...

Avalanche-Effekt
Leistungselektronik-Schaltungstechnik

Wissenswertes über den Avalanche-Effekt

12.12.2017- Application NoteInfineon untersucht den Avalanche-Effekt bei MOSFETs und informiert detailliert über Aspekte, die Entwickler übersehen, missachten oder einfach nicht kennen. mehr...

Neue MOS-Leistungshalbleiter in alten Footprints von Infineon
Leistungselektronik-SOT-223 statt DPAK

Neue MOS-Leistungshalbleiter in alten Footprints

12.12.2017- Application NoteNeue Cool-MOS-P7-Leistungshalbleiter im SOT-223-Gehäuse ersetzen alte DPAK-Typen in bestehenden Layouts. Wichtiges Kriterium ist dabei das Wärmemangement. mehr...

Die von Toshiba vorgestellten N-Kanal-MOSFETs für 40 V und 60 V eignen sich für den Einsatz in der Energieumwandlung, beispielsweise in AC/DC- und DC/DC-Wandlern.
Leistungselektronik-Mit niedrigem Durchlasswiderstand

N-Kanal-MOSFETs für 40 V und 60 V im DPAK-Gehäuse

17.10.2017- ProduktberichtToshiba Electronics Europe kündigt mit den Leistungs-MOSFETs für 40 V und 60 V Leistungs-Bauelemente an, die im U-MOS-IX-H-Trench-Halbleiterprozess des Unternehmens gefertigt werden. mehr...

Aufmacher
Leistungselektronik-Kosmischem Beschuss trotzen

Höhenstrahlungsfestigkeit von SiC-Leistungshalbleitern

12.09.2017- FachartikelDie kosmische Höhenstrahlung ist allgegenwärtig und kann in elektronischen Bauelementen zum Single Event Burnout (SEB) führen. Gerade für Leistungshalbleiter ist die Robustheit gegenüber dem von Höhenstrahlung verursachten Phänomen ein wichtiges Kriterium. Messergebnisse aus aktuellen Veröffentlichungen zeigen, dass SiC-MOSFETs von Rohm robuster gegenüber Höhenstrahlung sind als Si-Bauelemente der jeweiligen Spannungsklassen. mehr...

Aufmacher_EV-Charger-with-ESS
Leistungselektronik-Treiben von SiC- und GaN-Leistungswandlern der nächsten Generation

Von der Schaltung zum IC-Ökosystem

12.09.2017- FachartikelUm die Vorteile der SiC- und GaN-Schalter in Leistungswandlern nutzen zu können, sind IC-Ökosysteme mit aufeinander abgestimmten Komponenten nötig. mehr...

Bild 1: Referenzdesign für einen Dreiphasen-GaN-Wechselrichter mit hoher Schaltfrequenz.
Leistungselektronik-GaN erschließt neues Terrain

Transistoren für schnelle Antriebe mit hoher Leistungsdichte

04.09.2017- FachartikelAnders als Schaltnetzteile arbeiten Wechselrichter für Dreiphasen-Motoren überwiegend mit niedrigen Schaltfrequenzen im zweistelligen Kilohertzbereich. Motoren mit hoher Leistung waren und besaßen Wicklungen mit hoher Induktivität. Infolge der Weiterentwicklung der Motortechnik nehmen jedoch Leistungsdichte und Drehzahl zu, was höhere Ansteuerfrequenzen erfordert. Um Leitungs- und Schaltverluste trotzdem niedrig zu halten, kommen hier vermehrt GaN-Transistoren im Wechselrichter zum Einsatz. mehr...

Schukat hat das Programm an Hochspannungs-MOSFETs von Taiwan Semiconductor in sein Angebot aufgenommen. Die MOSFETs sind für Drain-Source-Spannung von 500 V bis 900 V ausgelegt.
Leistungselektronik-In Planar- und Superjunction-Technologie

Hochspannungs-MOSFETs von Taiwan Semiconductor bei Schukat

08.08.2017- ProduktberichtSchukat hat das komplette, neu aufgebaute Programm an Hochspannungs-MOSFETs von Taiwan Semiconductor (TSC) in sein Sortiment aufgenommen. TSC setzt bei seinen Leistungsbauelementen zunehmend auf die Superjunction-Technologie. mehr...

Bild 1: Temperaturverlauf in der Chipfläche.
Leistungselektronik-Die virtuelle Chiptemperatur und was sie bedeutet

Auch an virtuellen Temperaturen kann man sich verbrennen

10.05.2017- FachartikelFrüher war vieles einfacher und besser, so heißt es gelegentlich. Bei Halbleitertemperaturen könnte man das durchaus meinen. Vor Jahren stand in Datenblättern noch eine maximal zulässige Chiptemperatur Tjmax. Das war eine klare Aussage: heißer darf der Chip nicht werden! Heute findet sich stattdessen eine virtuelle Chiptemperatur Tvjmax. mehr...

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