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Leistungshalbleiter

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "Leistungshalbleiter".
Bild 3: Das TO-Leadless-Gehäuse zeigt im Vergleich zu D2PAK erhebliche Platz- und Leistungsvorteile.
Leistungselektronik-SMD MOSFETs mit reduzierten Verlusten bei Hochvolt-Topologien

Höhere Leistung durch kürzere Beinchen

25.11.2016- FachartikelInfineon ist es gelungen, ihre Cool-MOS-Superjunction-MOSFETs mit SMD-Gehäusen zu kombinieren. Das TO-Leadless-Gehäuse des IPT65R033G7 verzichtet auf abstehende Beinchen und senkt dadurch die Gehäuseinduktivität von 5 nH auf 1 nH und reduziert den Platzbedarf um 60 %. mehr...

Bild 7: Verbesserte SiC-p+-Region bei 650-V-SiC-SBDs der zweiten Generation.
Leistungselektronik-Leistungs-MOSFETs und SiC-Dioden

Stromversorgungen mit hohem Wirkungsgrad entwickeln

02.11.2016- FachartikelStromversorgungen und Netzteile führen in der Elektronikentwicklung oft ein Schattendasein, obwohl sie einen beträchtlichen Teil des Energieverbrauchs verursachen. Damit sich das Szenario der Stromversorgung als Stromfresser ändert, benötigen die Entwickler Leistungsbauteile, die höhere Wirkungsgrade ermöglichen. mehr...

Hybridpack-DSC-Module sind besonders kompakt.
Automotive-Ultrakompakt

Leistungsmodule für Wechselrichter mit hoher Leistungsdichte

19.10.2016- ProduktberichtInfineons Hybridpack-DSC-Module (Double-Sided-Cooling) mit doppelseitiger Kühlung sind mit Abmessungen von 42 × 42,4 × 4,8 mm3 besonders kompakt. Sie eignen sich für den Einsatz im Hauptwechselrichter und Generator mit einem typischen Leistungsbereich von 40 bis 50 kW und lassen sich für höhere Leistung parallel schalten. mehr...

SiC-Leistungshalbleiter machen den Inverter des Venturi-Boliden 2 kg leichter, steigern die elektrische Effizienz um und verringern das Volumen des Kühlsystems.
Leistungselektronik-Leistungshalbleiter

Rohm Semiconductor startet mit SiC-Technologie in der Formel E

14.10.2016- NewsBahnbrechende Siliziumkarbid-Halbleiter (SiC) für optimiertes Energiemanagement; Effizienzsteigerung der Leistungselektronik; ROHM stolzer Sponsor und Offizieller Technologiepartner des Venturi Formel-E-Teams mehr...

GaN Systems erreicht mit der ECP-Technologie hohe Stromdichten, ein gutes thermisches Verhalten und geringe Induktivitäten.
Leistungselektronik-Spagat zwischen Leistungssteigerung und Kostenminimierung

GaN-Halbleiter sind im Kommen

12.09.2016- FachartikelDer große Aufschwung von Siliziumkarbid bleibt nicht ohne Verfolger. So sind Gallium­nitrid-Halbleiter auch in Materialpaarungen wie GaN-on-Si zunehmend im kommen. Der nachfolgende Beitrag gibt Einblicke in einige GaN-Neuentwicklungen. mehr...

Bild 1: ATPAK ist 35% niedriger als DPAK, die Montagefläche um 60% kleiner als beim D2PAK.
Wärmemanagement-Wärmemanagement Leistungshalbleiter

Neue Gehäuse erhöhen thermische und elektrische Belastbarkeit von MOSFETs

08.09.2016- FachartikelParallel zur Weiterentwicklung der Leistungseigenschaften von MOSFETs erfolgen auch im Bereich des Gehäusedesigns innovative Verbesserungen. So verbessert On Semiconductor mit dem neuen ATPAK die thermische und elektrische Belastbarkeit von MOSFETs deutlich und stellt dieses vor. mehr...

Bild 2: IGBT-Stacks im Vergleich mit Versionen auf Basis von Siliziumkarbid (SiC).
Leistungselektronik-Siliziumkarbid

SiC-basierende Leistungswandler – kompakt, effizient, preisgünstig

08.09.2016- FachartikelIn vielen DC/DC-Wandlern, Wechselrichtern und Ladegeräten kommen noch immer IGBT-Systemkomponenten auf Siliziumbasis zum Einsatz. Doch deutlich leistungsfähigere, robustere und kompaktere Systeme lassen sich mithilfe von SiC-Bauteilen entwickeln, wie der folgende Beitrag zeigt. mehr...

Branchenmeldungen-Leistungshalbleiter

Innovative Produkte und Konzepte für das Power- und Energie-Management

05.09.2016- NewsZur Electronica präsentiert Rohm Semiconductor aus dem Leistungshalbleiterbereich Neues zu den Themen fortschrittliche Technologien für mehr Leistungsdichte, Effizienz und Zuverlässigkeit, minimaler Platzbedarf, kabellose Ladetechnik sowie neue Partnerschaften. mehr...

Business partnership meeting concept. Image businessmans handshake. Successful businessmen handshaking after good deal. Horizontal, blurred background
Firmen und Fusionen-Leistungshalbleiter-Portfolio

Littelfuse übernimmt ausgewählte Produktpalette von ON Semiconductor

29.08.2016- NewsLittelfuse hat die Übernahme der Produktpalette an Suppressordioden (TVS), Schalt-Thyristoren und Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) für Fahrzeugzündanwendungen von ON Semiconductor für einen Gesamtpreis von 104 Millionen US-Dollar bekannt gegeben. mehr...

Christian André: „Der Markttrend geht dahin, in EVs und HEVs die IGBTs durch SiC-MOSFETs zu ersetzen.“
Automotive-Halbleiter für die Branche

Exklusiv-Interview mit Christian André, President von Rohm Semiconductor Europe

25.08.2016- InterviewAUTOMOBIL-ELEKTRONIK sprach mit Christian André, President von Rohm Semiconductor Europe und Geschäftsführer der Rohm Semiconductor GmbH in Willich bei Düsseldorf, über die Bedeutung des Automotive-Geschäfts für Rohm, generelle Trends, die Vorteile einer sehr großen Fertigungstiefe, SiC-Technologie, Formula-e-Rennen, ADAS, LED-Licht und vieles mehr. mehr...

Gehäusevarianten von Leistungs-Schottky-Dioden der Serie MBR und DST.
Passive Bauelemente-Leistungshalbleiter

Sonnige Aussichten für effizientere Schottky-Dioden

31.05.2016- FachartikelBisher kamen MBR-Schottkey-Dioden als schnelle und verlustarme Hablleiter zur Gleichrichtung sowie als Rückflusssperre in der Leistungselektronik zum Einsatz. Mittlerweile holen die etwas teureren aber effizienteren DST-Dioden auf. Littlefuse erläutert die Hintergründe. mehr...

Wireless-Kombiniertes Know-how

Wireless Power und Sensorik in einem Baustein

22.04.2016- ProduktberichtIDT kombiniert die eigenen Wireless-Power-ICs mit der kürzlich von ZMDI erworbenen Signalaufbereitungstechnik, um neue programmierbare Halbleiterbausteine zu entwickeln. Die in der Entwicklung befindlichen ICs eignen sich für viele unterschiedliche Anwendungen. mehr...

E-Industrie-Cover_03
Leistungselektronik-Optimierung

Industrielle AC/DC-Stromversorgungen mit SiC-MOSFETs effizienter und einfacher entwickeln

12.04.2016- FachartikelIndustrielle Anlagen müssen immer effizienter werden, gefragt sind kompakte Lösungen mit hoher Leistung. Um Energie zu sparen, prüfen Entwickler alle Bestandteile der Leistungskette. Gerade bei den Leistungshalbleitern eröffnet Siliziumkarbid viele neue Möglichkeiten, die sich dank eines neuen Controller-Bausteins nun auch sehr einfach in AC/DC-Wandlern nutzen lassen. mehr...

Bild 1: Im Bereich der Leistungselektronik eröffnen Halbleiter auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) neue Dimensionen.
Leistungselektronik-Leistungshalbleiter

Siliziumkarbid-Halbleiter auf der Überholspur

20.01.2016- FachartikelDie Anforderungen an Leistungselektronik wachsen erheblich, sodass Halbleiterbausteine mit höherer Leistungsdichte, Effizienz und Zuverlässigkeit gefragt sind. Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) setzen bezüglich Schaltspannung und -geschwindigkeit, Schaltverluste und Baugröße neue Maßstäbe. mehr...

Herkömmlicher MOSFET (links) und Superjunction-MOSFET (rechts).
Leistungselektronik-MOSFET

Leitfaden für moderne Leistungs-MOSFETs

10.11.2015- Application NoteBei der Vielzahl erhältlicherMOSFETs wird die Wahl des richtigen Modells oft zu einer Herausforderung. Dieser Leitfaden beschreibt die wichtigsten Faktoren, die bei der Auswahl von Leistungs-MOSFETs zu berücksichtigen sind. mehr...

Automotive-MOSFET TCM-0070
Leistungselektronik-Leistungselektronik

Power-MOSFETs für Automotive-Anwendungen

10.11.2015- Application NoteIn einem kostenlosen E-Books erklärt Toshiba, wie neue Halbleiterprozesse und die Gehäuseweiterentwicklung leistungsfähigere und kleinere MOSFETs hervorbringen. mehr...

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Labormesstechnik-Power Analyzer

Leistungshalbleiter flexibel und exakt charakterisieren

01.09.2015- FachartikelNeue Materialien und Strukturen bei Halbleitern erfordern flexible, aber dennoch hochpräzise Messgeräte für Hersteller und Anwender: Power-Device-Analyzer eröffnen neue Möglichkeiten gegenüber traditionellen Curve-Tracern und schließen die Lücke zwischen einfachem Bedienerkonzept und hoher Messpräzision. mehr...

On Semi schließt Kauf von Sanyo Semiconductor ab

04.01.2011- NewsOn Semiconductor hat die Akquise von Sanyo Semiconductor, einer Tochter von Sanyo Electric, abgeschlossen. Der Kaufpreis betrug sich auf etwa 144 Millionen US-Dollar in bar sowie cirka 378 US-Dollar als Darlehen. Für die Amerikaner bedeutet der Kauf einen weiteren strategischen Schritt, ihre Marktpräsenz in Japan zu stärken. Darüber hinaus sieht der On Semis Präsident und […] mehr...

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Leistungselektronik-Mit niedrigem On-Widerstand punkten

Leistungsmosfets

16.11.2010- ProduktberichtDie neuen 500-V-N-Kanal-Leistungsmosfets von Vishay sind in den Gehäusevarianten TO-220AB, TO-220-FULLPAK, D2-PAK und TO-247AC untergebracht mehr...

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Leistungselektronik-Energieverbrauch reduzieren

P-Kanal-Leistungsmosfet

26.01.2010- ProduktberichtVishay Intertechnology hat in seinem 12-V-p-Kanal-Trenchfet-Gen-III-Leistungsmosfet den On-Widerstand erheblich reduziert. mehr...

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