Mosfet

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "Mosfet".
Stanley Electric
Distribution-Globale Verträge

Mouser vertreibt Produkte von Stanley und Transphorm

20.09.2019- NewsMouser Electronics hat neue Verträge mit den Firmen Stanley Electric und Transphorm unterzeichnet. Diese gelten jeweils global. mehr...

Bild 2: Anwendungsschaltung für den IPS4260L zur Ansteuerung von Verbrauchern von sehr großer Induktivität mit schneller Entmagnetisierung
Leistungselektronik-Ausgangsstrombegrenzung und Abschaltverzögerung programmierbar

Low Side Intelligent Power Switch mit geringem Durchgangswiderstand

13.09.2019- FachartikelThema ist ein vierkanaliger Low Side Intelligent Power Switch, der dafür konzipiert ist, die Gesamtleistungsaufnahme zu reduzieren. Bemerkenswert sind der geringe minimale Durchgangswiderstand pro Kanal sowie die Programmierbarkeit von Ausgangsstrombegrenzung und Abschaltverzögerung. mehr...

Viper 4 Inverter Power Switch
Automotive-Partnerschaft

Cree liefert MOSFETs für 800-V-Wechselrichter von Delphi

10.09.2019- NewsCree stellt Delphi Technologies seine MOSFETs auf Siliziumkarbidbasis für neue 800-V-Wechselrichter zur Verfügung. Die Unternehmen vereinbarten eine Partnerschaft zur Nutzung dieser Halbleiterbauelemente. mehr...

Bild 1: Das OBC-Design mit einem im Bereich 500 bis 840 V variablen Zwischenkreis basiert auf 1200-V-SiC-MOSFETs.
Automotive-Referenzdesign eines bidirektionalen OBC

SiC-MOSFET erhöht Leistungsdichte und Effizienz im On-Board Charger

09.09.2019- FachartikelElektrofahrzeuge (EV) lassen sich zur Ergänzung des Stromnetzes (V2G) einsetzen. Folglich geht der Entwicklungstrend beim On-Board Charger in Richtung eines bidirektionalen Betriebs. mehr...

Bild 3: Der kritische Gate-Widerstand für das parasitäre Einschalten wird als der Wert definiert, der einen Anstieg von 10 Prozent für Q*rr im Vergleich zum Referenz-Signalverlauf mit 0 Ω liefert.
Leistungselektronik-Vereinfachtes Gatetreiber-Design

Cool-SiC-MOSFETs: Ist parasitäres Einschalten ein Schwachpunkt?

03.09.2019- FachartikelDas von der Miller-Kapazität verursachte parasitäre Einschalten wird oftmals als Schwachpunkt heutiger Siliziumkarbid-MOSFETs angesehen. Ist das auch für Cool-SiC-MOSFETs der Fall? mehr...

Galliumoxid-Chip, Transistor- und Messstrukturen
Branchenmeldungen-Optimierte epitaktische Schichtstruktur

Galliumoxid-Leistungstransistor mit Rekordwerten entwickelt

29.08.2019- NewsDas Ferdinand-Braun-Institut hat ß-Ga2O3-MOSFETs (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) mit einer Durchbruchspannung von 1,8 kV und einer Leistung von 155 MW pro cm2  entwickelt. Die Kennzahlen sind nahe dem theoretischen Materiallimit von Galliumoxid. mehr...

Karsten Penno, ON Semiconductor, und Alfred Vollmer, Chefredakteur AUTOMOBIL-ELEKTRONIK
Automotive-Interview mit Karsten Penno von ON Semiconductor

Von Power bis ADAS: Diese Aktivitäten hat ON Semiconductor bei Automotive

30.07.2019- FachartikelDer Halbleiterhersteller ON Semiconductor hat eine bewegte Geschichte hinter sich und mittlerweile auch (durch diverse Zukäufe) ein breites Portfolio an automotive-relevanten Halbleiterprodukten in seinem Produkt-Portfolio. AUTOMOBIL-ELEKTRONIK sprach mit Karsten Penno, Automotive Sales Director EMEA bei ON Semiconductor, über diverse Themen von der Marktsituation über Cybersecurity bis Formel E, von Niedervolt über 48 V und Hochvolt bis zu Bildsensoren. mehr...

Emtron_Titelseite-Motiv_elektronik-industrie neu
Stromversorgungen-Einsatzbereiche von SiC und Standard-Silizium

Ist Silizium-Karbid die bessere Alternative?

09.07.2019- FachartikelMit Silizium-Karbid und Gallium-Nitrid hat der Schaltnetzteilentwickler zwei neue Technologien. Handelt es sich nur um neue Zutaten in der Netzteil-Küche oder um eine Komplett-Renovierung, wie sie in den 1980er bei der Umstellung von linearen auf getaktete Stromversorgungen stattfand? mehr...

Das 8 × 8 mm² große Package ermöglicht eine 48-fache Erhöhung der Leistungsdichte in MOSFETs.
Leistungselektronik-Dank neuem Package

LFPAK-MOSFETs von Nexperia erzielen bis zu 48-fache Leistungsdichte

03.07.2019- ProduktberichtNexperia bringt ein neues Package aus seiner MOSFET- und LFPAK-Produktfamilie auf den Markt, das in Kombination mit Siliziumtechnik-40-V-MOSFETs einen Einschaltwiderstand (RDS(on)) von 0,7 mΩ ermöglicht. mehr...

Herzstück der EmPower-Implementierung sind sogenannte Power Cores als Funktionsbausteine für Leistungsmodule.
Leiterplattenfertigung-Höhere Leistungsdichte, verbessertes Schaltverhalten und thermische Robustheit

Effiziente und robuste Embedded Power-Technologie

25.06.2019- FachartikelUm auf dem Weg zur Elektromobilität die Effizienz moderner Fahrzeuge und industrieller Leistungswandler zu verbessern, muss die Leistungsdichte ohne Abstriche bei Performance und Zuverlässigkeit erhöht werden. Dabei ist das Implementieren von Leistungshalbleitern direkt in die Leiterplatte ein vielversprechender Ansatz. mehr...

Gregg Lowe, CEO von Cree, zusammen mit Michael Bäcker, Head of Volkswagen Purchasing Connectivity, bei der FAST Partnerauswahl des Volkswagen Konzerns.
Automotive-Elektromobilitäts-Offensive

Cree liefert Siliziumkarbid für Volkswagen

14.05.2019- NewsVolkswagen wählte Cree als exklusiven Siliziumkarbid-Partner für die Initiative Future Automotive Supply Tracks aus. Die Partner werden mit Tier-1-Lieferanten und Herstellern von Power-Modulen zusammenarbeiten, um Lösungen für künftige Fahrzeuge zu entwickeln. mehr...

Die isolierten Gatetreiber von Texas Instruments bieten integrierte Sensing-Funktionen für IGBTs und SiC-MOSFETs.
Automotive-Für Automotive- und Industrieanwendungen

Isolierte Gatetreiber von TI schützen Hochspannungssysteme

03.05.2019- ProduktberichtDie Gatetreiber von Texas Instruments ermöglichen Entwicklern die Realisierung kompakterer und leistungsfähigerer Designs in Traktionswechselrichtern, Bord-Ladegeräten oder PV-Wechselrichtern. mehr...

Die Bausteine der Presto-MOS-Serie von Rohm Semiconductor bieten eine sehr kurze Sperrverzögerungszeit.
Automotive-Für Ladestationen und Motorsteuerungen in Haushaltsgeräten

Rohm: 600-V-SJ-MOSFET senkt Leistungsaufnahme im Wechselrichter

03.05.2019- ProduktberichtRohm Semiconductor erweitert seine Serie an 600-V-Superjunction-MOSFETs Presto-MOS um 30 Varianten. Die Serie R60xxJNx erhöht die Designflexibilität unter Beibehaltung der kurzen Sperrverzögerungszeit. mehr...

Christian André ist neuer Chairman von Rohm Semiconductor Europe
Personen-Wechsel im Amt des President

Christian André ist neuer Chairman von Rohm Semiconductor Europe

02.05.2019- NewsAuf die Position des President bei Rohm Semiconductor Europe wechselt Toshimitsu Suzuki. Der Manager war zuvor Senior Sales Director in Europa. mehr...

Infineon führt die neue Marke Meraus mit integrierten Mehrstufen-Verstärker-ICs ein.
Branchenmeldungen-Audioverstärker-ICs

Infineon führt neue Class-D-Audiomarke Merus ein

02.05.2019- NewsBasis der Produkte ist eine neue Technologie: die Mehrstufen-Switching-Technologie für Class-D-Audioverstärker. Sie ermöglicht die Modulation von Ausgangssignalen von bis zu fünf Stufen. mehr...

Der SiC-MOSFET NVHL080N120SC1 von ON Semiconductor ist mit einer maximalen Betriebstemperatur von +175 °C für den Einsatz im Fahrzeug geeignet.
Leistungselektronik-Robuste Bausteine

SiC-MOSFETs von On eignen sich für Industrie sowie Automotive

01.04.2019- ProduktberichtMit der Ankündigung der beiden SiC-MOSFETs will On Semiconductor sein wachsendes SiC-Ökosystem stärken, das daneben SiC-Dioden und -Treibern Ressourcen wie Simulationswerkzeuge umfasst. mehr...

Bild 1: Die Bauelementestrukturen Superjunction-Transistor, GaN-HEMT und SiC-MOSFET im Vergleich. Alle drei Konzepte treten im 600-V-Bereich an.
Leistungselektronik-Der Königsweg der Leistungshalbleiter

Das unterscheidet die Bauelementekonzepte GaN, SiC, Superjunction

25.03.2019- FachartikelWide-Bandgap-Leistungshalbleiter treten in der 600-V-Klasse mit der Superjunction-Technologie, den GaN-HEMTs und SiC-MOSFETs an. Welches Bauelement dabei für welche Schlüsselapplikation überzeugt. mehr...

Bild 3: Das TO-263-7L-SMD-Gehäuse mit Kelvin-Source und seine parasitären Induktivitäten.
Automotive-Volles Potenzial von Wide-Bandgap-Bauteilen ausschöpfen

Wie SiC-MOSFETs in SMD-Gehäusen Wandler-Verluste reduzieren

07.03.2019- FachartikelSiC-MOSFETs erreichen hohe Schaltgeschwindigkeiten und reduzieren Verluste leistungselektronischer Wandler, traditionelle Gehäuse limitieren dies jedoch. Welche Vorteile geeignete Gehäuse bringen, zeigt ein Praxis-Beispiel. mehr...

Bild 3: Die Pebble-Laptop-PSU ist nur 115 x 52 x 36 mm3 groß und wiegt gerade mal 180 g.
Stromversorgungen- Hohe Zuverlässigkeitsforderungen

So entwickeln Sie Schaltnetzteile für extreme Umgebungen

04.03.2019- FachartikelDie Anforderungen an Stromversorgungen in rauen Umgebungen sind hoch. Grundvoraussetzung für ihre Entwicklung sind die besten Materialien, Technologien und Topologien. Der Beitrag zeigt, wo Leistungsverluste schaltender Stromversorgungen auftreten und erläutert Verbesserungen. mehr...

Hybride und elektrische Antriebe benötigen eine effiziente Leistungselektronik für die wesentlichen Subsysteme wie Inverter, Onboard-Charger oder DC/DC-Wandler.
Baugruppenfertigung-Schrittmacher für Elektromobilität und automatisiertes Fahren

E-Mobility: AT&S offeriert Leiterplatten- und Packaging-Technologien

25.02.2019- FachartikelElektromobilität und automatisiertes Fahren sind die Trends in der Automobilindustrie mit hohem Wachstumspotenzial, aber auch mit technologischen Herausforderungen. Die Grundlage, um diese Herausforderungen umsetzen zu können, wird eine effiziente Leistungselektronik bilden. mehr...

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