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Mosfet

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "Mosfet".
Emtron_Titelseite-Motiv_elektronik-industrie neu
Stromversorgungen-Einsatzbereiche von SiC und Standard-Silizium

Ist Silizium-Karbid die bessere Alternative?

09.07.2019- FachartikelMit Silizium-Karbid und Gallium-Nitrid hat der Schaltnetzteilentwickler zwei neue Technologien. Handelt es sich nur um neue Zutaten in der Netzteil-Küche oder um eine Komplett-Renovierung, wie sie in den 1980er bei der Umstellung von linearen auf getaktete Stromversorgungen stattfand? mehr...

Das 8 × 8 mm² große Package ermöglicht eine 48-fache Erhöhung der Leistungsdichte in MOSFETs.
Leistungselektronik-Dank neuem Package

LFPAK-MOSFETs von Nexperia erzielen bis zu 48-fache Leistungsdichte

03.07.2019- ProduktberichtNexperia bringt ein neues Package aus seiner MOSFET- und LFPAK-Produktfamilie auf den Markt, das in Kombination mit Siliziumtechnik-40-V-MOSFETs einen Einschaltwiderstand (RDS(on)) von 0,7 mΩ ermöglicht. mehr...

Herzstück der EmPower-Implementierung sind sogenannte Power Cores als Funktionsbausteine für Leistungsmodule.
Leiterplattenfertigung-Höhere Leistungsdichte, verbessertes Schaltverhalten und thermische Robustheit

Effiziente und robuste Embedded Power-Technologie

25.06.2019- FachartikelUm auf dem Weg zur Elektromobilität die Effizienz moderner Fahrzeuge und industrieller Leistungswandler zu verbessern, muss die Leistungsdichte ohne Abstriche bei Performance und Zuverlässigkeit erhöht werden. Dabei ist das Implementieren von Leistungshalbleitern direkt in die Leiterplatte ein vielversprechender Ansatz. mehr...

Gregg Lowe, CEO von Cree, zusammen mit Michael Bäcker, Head of Volkswagen Purchasing Connectivity, bei der FAST Partnerauswahl des Volkswagen Konzerns.
Automotive-Elektromobilitäts-Offensive

Cree liefert Siliziumkarbid für Volkswagen

14.05.2019- NewsVolkswagen wählte Cree als exklusiven Siliziumkarbid-Partner für die Initiative Future Automotive Supply Tracks aus. Die Partner werden mit Tier-1-Lieferanten und Herstellern von Power-Modulen zusammenarbeiten, um Lösungen für künftige Fahrzeuge zu entwickeln. mehr...

Die isolierten Gatetreiber von Texas Instruments bieten integrierte Sensing-Funktionen für IGBTs und SiC-MOSFETs.
Automotive-Für Automotive- und Industrieanwendungen

Isolierte Gatetreiber von TI schützen Hochspannungssysteme

03.05.2019- ProduktberichtDie Gatetreiber von Texas Instruments ermöglichen Entwicklern die Realisierung kompakterer und leistungsfähigerer Designs in Traktionswechselrichtern, Bord-Ladegeräten oder PV-Wechselrichtern. mehr...

Die Bausteine der Presto-MOS-Serie von Rohm Semiconductor bieten eine sehr kurze Sperrverzögerungszeit.
Automotive-Für Ladestationen und Motorsteuerungen in Haushaltsgeräten

Rohm: 600-V-SJ-MOSFET senkt Leistungsaufnahme im Wechselrichter

03.05.2019- ProduktberichtRohm Semiconductor erweitert seine Serie an 600-V-Superjunction-MOSFETs Presto-MOS um 30 Varianten. Die Serie R60xxJNx erhöht die Designflexibilität unter Beibehaltung der kurzen Sperrverzögerungszeit. mehr...

Christian André ist neuer Chairman von Rohm Semiconductor Europe
Personen-Wechsel im Amt des President

Christian André ist neuer Chairman von Rohm Semiconductor Europe

02.05.2019- NewsAuf die Position des President bei Rohm Semiconductor Europe wechselt Toshimitsu Suzuki. Der Manager war zuvor Senior Sales Director in Europa. mehr...

Infineon führt die neue Marke Meraus mit integrierten Mehrstufen-Verstärker-ICs ein.
Branchenmeldungen-Audioverstärker-ICs

Infineon führt neue Class-D-Audiomarke Merus ein

02.05.2019- NewsBasis der Produkte ist eine neue Technologie: die Mehrstufen-Switching-Technologie für Class-D-Audioverstärker. Sie ermöglicht die Modulation von Ausgangssignalen von bis zu fünf Stufen. mehr...

Der SiC-MOSFET NVHL080N120SC1 von ON Semiconductor ist mit einer maximalen Betriebstemperatur von +175 °C für den Einsatz im Fahrzeug geeignet.
Leistungselektronik-Robuste Bausteine

SiC-MOSFETs von On eignen sich für Industrie sowie Automotive

01.04.2019- ProduktberichtMit der Ankündigung der beiden SiC-MOSFETs will On Semiconductor sein wachsendes SiC-Ökosystem stärken, das daneben SiC-Dioden und -Treibern Ressourcen wie Simulationswerkzeuge umfasst. mehr...

Bild 1: Die Bauelementestrukturen Superjunction-Transistor, GaN-HEMT und SiC-MOSFET im Vergleich. Alle drei Konzepte treten im 600-V-Bereich an.
Leistungselektronik-Der Königsweg der Leistungshalbleiter

Das unterscheidet die Bauelementekonzepte GaN, SiC, Superjunction

25.03.2019- FachartikelWide-Bandgap-Leistungshalbleiter treten in der 600-V-Klasse mit der Superjunction-Technologie, den GaN-HEMTs und SiC-MOSFETs an. Welches Bauelement dabei für welche Schlüsselapplikation überzeugt. mehr...

Bild 3: Das TO-263-7L-SMD-Gehäuse mit Kelvin-Source und seine parasitären Induktivitäten.
Automotive-Volles Potenzial von Wide-Bandgap-Bauteilen ausschöpfen

Wie SiC-MOSFETs in SMD-Gehäusen Wandler-Verluste reduzieren

07.03.2019- FachartikelSiC-MOSFETs erreichen hohe Schaltgeschwindigkeiten und reduzieren Verluste leistungselektronischer Wandler, traditionelle Gehäuse limitieren dies jedoch. Welche Vorteile geeignete Gehäuse bringen, zeigt ein Praxis-Beispiel. mehr...

Bild 3: Die Pebble-Laptop-PSU ist nur 115 x 52 x 36 mm3 groß und wiegt gerade mal 180 g.
Stromversorgungen- Hohe Zuverlässigkeitsforderungen

So entwickeln Sie Schaltnetzteile für extreme Umgebungen

04.03.2019- FachartikelDie Anforderungen an Stromversorgungen in rauen Umgebungen sind hoch. Grundvoraussetzung für ihre Entwicklung sind die besten Materialien, Technologien und Topologien. Der Beitrag zeigt, wo Leistungsverluste schaltender Stromversorgungen auftreten und erläutert Verbesserungen. mehr...

Hybride und elektrische Antriebe benötigen eine effiziente Leistungselektronik für die wesentlichen Subsysteme wie Inverter, Onboard-Charger oder DC/DC-Wandler.
Baugruppenfertigung-Schrittmacher für Elektromobilität und automatisiertes Fahren

E-Mobility: AT&S offeriert Leiterplatten- und Packaging-Technologien

25.02.2019- FachartikelElektromobilität und automatisiertes Fahren sind die Trends in der Automobilindustrie mit hohem Wachstumspotenzial, aber auch mit technologischen Herausforderungen. Die Grundlage, um diese Herausforderungen umsetzen zu können, wird eine effiziente Leistungselektronik bilden. mehr...

Die IMM100-Serie von Infineon reduziert die Leiterplattengröße und F&E-Aufwendungen deutlich.
Leistungselektronik- Kombiniert Motorcontroller-IC mit 3-Phasen-Motorinverter

Kleinere Leiterplatten möglich

20.02.2019- ProduktberichtDie IMM100-Serie von Infineon kombiniert einen Motorcontroller-IC und einen 3-Phasen-Motorinverter in einem kompakten 12 × 12 mm2  PQFN-Gehäuse. mehr...

Taiwan Semiconductor hat eine Vertriebsvereinbarung mit EBV Elektronik unterzeichnet.
Distribution-Globale Vereinbarung

EBV Elektronik vertreibt künftig Bauelemente von Taiwan Semiconductor

31.01.2019- NewsDas Unternehmen der Avnet-Gruppe hat einen Vertrag über die Distribution der Bauelemente von Taiwan Semiconductor unterzeichnet. Die diskreten Bauteile und Power-Management-IC sind künftig auch in Europa verfügbar. mehr...

C5D 1700V-SiC-Schottky-Diode
Aktive Bauelemente-Nennstromstärken von 5A, 10A, 25A und 50A

Wolfspeed verbessert SiC-Dioden für Hochspannungsanwendungen

16.01.2019- ProduktberichtDas Unternehmen der Cree-Gruppe präsentiert seine fünfte Generation von C5D-1700V-SiC-Schottky-Dioden für erneuerbare Energie und Elektrofahrzeuge. mehr...

Bild 1: Der verschachtelte 60-kW-Aufwärtswandler von Wolfspeed mit 4 Treiber-Boards arbeitet mit einem SiC-MOSFET (1200 V, 75 mΩ).
Stromversorgungen-Haltbarkeit trotz Feuchtigkeit

TBH-80 eignet sich für reelle Prüfung von SiC-Bauelementen für Solarwechselrichter

09.01.2019- FachartikelIngenieure, die Hochspannungs- und Hochfrequenz-Solarwechselrichter entwerfen, sehen sich mit einem Problem bei der Systementwicklung konfrontiert: Wie lassen sich die gewünschte Leistungsdichte als auch die Haltbarkeit bei feuchten Außenumgebungen erzielen? Der Beitrag zeigt, wie verbesserte SiC-MOSFETs und -Dioden es ermöglichen, die Vorteile des Wide-Bandgap-Halbleiters auch unter extremen Umgebungsbedingungen zu nutzen. mehr...

CoolGaN-600V
Leistungselektronik-Anleitung zum Umstieg von Silizium auf Galliumnitrid

Neue GaN-HEMTs für hocheffiziente Leistungswandler

13.12.2018- Application NoteBesser als Si-MOSFETs eignen sich Galliumnitrid-Transistoren der Serie CoolGaN für hocheffiziente und hochfrequente Leistungswandlerschaltungen, insbesondere für Halbbrücken-Topologien. mehr...

Der SiC-MOSFET LSIC1MO170E1000 von Littelfuse punktet mit niedriger Gate-Ladung und kleiner Output-Kapazität.
Leistungselektronik-Für EV, HEVs, Datencenter und Stromversorgungen

SiC-MOSFET für effiziente Hochfrequenzanwendungen

30.10.2018- ProduktberichtLittelfuse stellt mit dem LSIC1MO170E1000 einen SiC-MOSFET mit 1700 V und 1 Ω vor, der das Portfolio an 1200-SiC-MOSFETs und Schottky-Dioden ergänzt. mehr...

Infineon zeigt am Stand unter anderem ein Demoboard mit einem Chipsatz für elektrische Servolenkungen.
Automotive-Abgestimmt auf hohe funktionale Sicherheit

Chipsatz für elektrische Servolenkung

30.10.2018- ProduktberichtInfineon stellt einen Chipsatz für die kommende EPS-Generation (Elektrische Servolenkung) bereit, der alle wesentlichen Halbleiter-Komponenten enthält. Eine Demo des Systems wird am Stand gezeigt. mehr...

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