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Mosfet

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "Mosfet".
C5D 1700V-SiC-Schottky-Diode
Aktive Bauelemente-Nennstromstärken von 5A, 10A, 25A und 50A

Wolfspeed verbessert SiC-Dioden für Hochspannungsanwendungen

16.01.2019- ProduktberichtDas Unternehmen der Cree-Gruppe präsentiert seine fünfte Generation von C5D-1700V-SiC-Schottky-Dioden für erneuerbare Energie und Elektrofahrzeuge. mehr...

Bild 1: Der verschachtelte 60-kW-Aufwärtswandler von Wolfspeed mit 4 Treiber-Boards arbeitet mit einem SiC-MOSFET (1200 V, 75 mΩ).
Stromversorgungen-Haltbarkeit trotz Feuchtigkeit

TBH-80 eignet sich für reelle Prüfung von SiC-Bauelementen für Solarwechselrichter

09.01.2019- FachartikelIngenieure, die Hochspannungs- und Hochfrequenz-Solarwechselrichter entwerfen, sehen sich mit einem Problem bei der Systementwicklung konfrontiert: Wie lassen sich die gewünschte Leistungsdichte als auch die Haltbarkeit bei feuchten Außenumgebungen erzielen? Der Beitrag zeigt, wie verbesserte SiC-MOSFETs und -Dioden es ermöglichen, die Vorteile des Wide-Bandgap-Halbleiters auch unter extremen Umgebungsbedingungen zu nutzen. mehr...

CoolGaN-600V
Leistungselektronik-Anleitung zum Umstieg von Silizium auf Galliumnitrid

Neue GaN-HEMTs für hocheffiziente Leistungswandler

13.12.2018- Application NoteBesser als Si-MOSFETs eignen sich Galliumnitrid-Transistoren der Serie CoolGaN für hocheffiziente und hochfrequente Leistungswandlerschaltungen, insbesondere für Halbbrücken-Topologien. mehr...

Der SiC-MOSFET LSIC1MO170E1000 von Littelfuse punktet mit niedriger Gate-Ladung und kleiner Output-Kapazität.
Leistungselektronik-Für EV, HEVs, Datencenter und Stromversorgungen

SiC-MOSFET für effiziente Hochfrequenzanwendungen

30.10.2018- ProduktberichtLittelfuse stellt mit dem LSIC1MO170E1000 einen SiC-MOSFET mit 1700 V und 1 Ω vor, der das Portfolio an 1200-SiC-MOSFETs und Schottky-Dioden ergänzt. mehr...

Infineon zeigt am Stand unter anderem ein Demoboard mit einem Chipsatz für elektrische Servolenkungen.
Automotive-Abgestimmt auf hohe funktionale Sicherheit

Chipsatz für elektrische Servolenkung

30.10.2018- ProduktberichtInfineon stellt einen Chipsatz für die kommende EPS-Generation (Elektrische Servolenkung) bereit, der alle wesentlichen Halbleiter-Komponenten enthält. Eine Demo des Systems wird am Stand gezeigt. mehr...

Vishay ist mit zwei Ständen und mit Komponenten zu den Themen Automatisierung, Elektrifizierung, IoT und Industrie 4.0 auf der Messe vertreten.
Leistungselektronik-Automatisierung, Elektrifizierung, IoT und Industrie 4.0

Kundenspezifische Komponenten für Industrial und Automotive

24.10.2018- ProduktberichtVishay zeigt an seinen zwei Ständen kundenspezifische Bauteile, die für den Einsatz in verschiedenen Märkten wie Automatisierung, Elektrifizierung, IoT und Connectivity sowie Industrie 4.0 konzipiert sind. mehr...

Die MOSFETs sind geeignet für Hot-Swap-, Softstart- und E-Fuse-Anwendungen.
Leistungselektronik-Leistungsoptimierung für Safe-Operating-Areas

MOSFETs mit niedrigerem RDS(on) für Hot-Swap-Designs

24.10.2018- ProduktberichtNexperia ergänzt seine Next-Power-Live-Linear-Mode-Produktlinie um den MOSFET PSMN3R7-100BSE. mehr...

Das Fotovoltaik-Relais basiert auf einer optischen Kopplung zum Schalten von Lasten
Relais-Isolationsspannungen bis zu 5 kV

Fotovoltaik-Relais mit optischer Kopplung

23.10.2018- ProduktberichtSchukat nimmt das Fotovoltaik-Relais Photo-MOS mit MOSFET-Ausgang von Panasonic in sein Warensortiment auf. mehr...

Bild 3: Demonstrator für einen 24-V-ADR-Batterieschalter für CAV-Anwendungen.
Automotive-Automatisiert unterwegs mit doppeltem Netz

Smarte Batterieschalter für eine sichere redundante Stromversorgung

15.10.2018- FachartikelNeben der Sensorfusion benötigen (Nutz-)Fahrzeuge als Voraussetzung für das hochautomatisierte Fahren auch eine entsprechende E/E-Architektur, die  sicherheitskritische Vorgänge wie das Lenken oder Bremsen jederzeit gewährleistet. Dafür ist unter anderem eine redundante 24-V-Versorgung mit entsprechender Entkopplung erforderlich, wobei der Batterieschalter eine Schlüsselkomponente darstellt. mehr...

Die freiligenden Metalloberflächen von Toshibas Automotive-MOSFETs ermöglichen Wärmeaustausch.
Automotive-Mit doppelseitiger Kühlung

40v-Automotive-MOSFETs mit niedrigem Widerstand

09.10.2018- ProduktberichtDie Automotive-MOSFETS von Toshiba haben einen gerinen Widerstand und sind zudem mit einer intgrierten, doppelseitigen Kühlung ausgestattet. mehr...

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all-electronics_sponsoredPost_Magi3c_WE eiSos
Spannungswandler-IC-Unterstützung beim Layout und im EMV-Filterdesign

Integrierte DC/DC-Wandlermodule

10.09.2018- Sponsored PostMagI³C Power Module von Würth Elektronik eiSos: DC/DC-Wandler mit Regler-IC, Induktivität und Kondensatoren. Ein weiteres Plus ist die kostenfreie Layout- und EMV-Filterdesign Unterstützung. mehr...

Bild 1: Block-Diagramm für ein typisches Roboter-System
Leistungselektronik-Power-MOSFETs und Gehäusetechnologien

Herausforderungen beim Antrieb von Service-Robotern

20.08.2018- FachartikelEin ideales Marktumfeld, das auf Marktreife, technologischer Verfügbarkeit und Mehrwert basiert, treibt die Verbreitung von Robotern sowohl im industriellen als auch Consumer-Segment. Parallel dazu haben Halbleiter für Roboter in den letzten Jahren signifikante Weiterentwicklungen erfahren. Neue Leistungshalbleiter ermöglichen zudem effizientere, zuverlässige und mehr-dimensionale Designs für Service-Roboter. mehr...

Bild 1: SiC-JFET mit vertikaler Trench-Zelle, der im Vergleich zu einer lateralen GaN-HEMT-Zelle (High Electron Mobility Transistor) einen sehr geringen Durchlasswiderstand aufweist.
Leistungselektronik-Ein starkes Gespann in der Leistungselektronik

Kaskodenbausteine aus Si-MOSFET und SiC-JFET

09.08.2018- FachartikelWenn die physikalischen Eigenschaften einzelner Halbleiterwerkstoffe den schaltungstechnischen Anforderungen nicht genügen, kann eine Kombination wie die Kaskode aus Si-MOSFET und SiC-JFET die optimale Lösung für Hochleistungsanwendungen sein. United SiC erörtert die Problemsituation und stellt einen passenden Kaskodenbaustein vor. mehr...

Bild 4: Treiberkonzept mit De-Sat-Überwachung. Für einen ströungsfreien Betrieb ist es hier notwendig, die Schaltflanke "auszublenden".
Leistungselektronik-Den Kurzschlussfall beherrschen

Gatetreiber für die Kurzschlussfestigkeit von SiC-MOSFETs auslegen

09.08.2018- FachartikelVerbesserte Materialeigenschaften von SiC-Leistungshalbleitern lassen sich vorteilhaft nutzen um die Geräteleistung zu steigern und durch Optimierungsmöglichkeiten im Gerätedesign die Systemkosten zu reduzieren. Doch bislang stand die Kurzschlussfestigkeit von SiC-MOSFETs in Frage. Aktuelle Untersuchungen zeigen, dass derzeitige Lösungen mit entsprechenden Gatetreibern eine ausreichende Robustheit zur Verfügung stellen. mehr...

Bild 1: Mit WBG-Halbleitern werden leistungselektronische Systeme effizienter und sorgen damit für Fortschritte im Transportwesen sowie in der Energie- und Kommunikationsbranche.
Leistungselektronik-Wide-Bandgap-Bauteile besser verstehen

Herausforderungen bei parametrischen Messungen an WBG-Halbleitern

09.05.2018- FachartikelHalbleiterbauelemente auf der Basis von Materialien mit großer Bandlücke versprechen höhere Energieeffizienz, Sicherheit und Zuverlässigkeit in einsatzkritischen Anwendungen – deshalb wächst die Nachfrage danach beständig. Für ein besseres Verständnis des Verhaltens dieser Bauteile ist eine umfassende Charakterisierung sowohl der Fertigungsprozesse als auch der Bauteilarchitekturen notwendig. mehr...

Bild 4: Integriert in einem PQFN-Gehäuse bietet die Dual-Cool-Technik viele Vorteile gegenüber klassischer Bauteilgehäuse.
Wärmemanagement-Doppelt kühlt besser

Verbessertes Wärmemanagement mit Dual-Cool-Konzept für Power-Trench-MOSFETs

07.05.2018- FachartikelInsbesondere portable Elektronikgeräte müssen eine hohe Leistungsdichte erreichen, was auch ein ausgeklügeltes Wärmemanagement erfordert. Innovative Kühlkonzepte und effiziente Leistungshalbleiter sind hier der Schlüssel. Mit den Dual-Cool-Power-Trench-MOSFETs als Kombination aus Kühlung und verlustarmen Halbleitern verfolgt ON Semiconductor einen wirkungsvollen Ansatz. mehr...

Das Power-Lab von Rohm Semiconductor in Willich-Münchheide soll Entwicklern leistungselektronischer Systeme technischen Support auf der Applikationsebene direkt vor Ort bieten.
Leistungselektronik-Technischer Support auf der Applikationsebene

Power-Lab unterstützt Entwickler beim Test von Leistungs-Komponenten

03.05.2018- FachartikelIn seinem europäischen Standort Willich-Münchheide bei Düsseldorf bietet Rohm Semiconductor in seinem Power-Lab umfangreichen Support und eine State-of-the-Art-Testumgebung für die Analyse von leistungselektronischen Komponenten. Das 300 m² große Labor soll dabei helfen, Produkte und Systeme einfacher ihrer Nutzung zuzuführen und an die Bedürfnisse und Anforderungen der Kunden anzupassen. mehr...

Mit dem BD70522GUL stellt Rohm einen Gleichspannungs-Wandler vor, der den Langzeitbetrieb von IoT-Geräten mit einer Knopfzelle erlaubt.
Spannungswandler-IC-Nano-Energy-Technologie

Ultra-Low-Power-Gleichspannungs-Wandler mit integriertem MOSFET

03.04.2018- ProduktberichtRohm stellt mit dem BD70522GUL einen Gleichspannungs-Wandler mit integriertem MOSFET vor, der auf Grund der zum Einsatz kommenden Nano-Energy-Technologie den Langzeitbetrieb von IoT-Geräten mit einer Knopfzelle ermöglicht. mehr...

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Panasonic_PhotoMOS_History_miniaturisation
Relais-klein, sparsam aber trotzdem robust

PhotoMOS Relais – Moderne Halbleiter-Technologie für eine riesige Bandbreite an Applikationen

12.02.2018- Sponsored PostPanasonic PhotoMOS Relais kombinieren die Vorzüge der Halbleiter-Technologie mit den typischen Merkmalen der elektromechanischen Relais. mehr...

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Leistungselektronik-Vorteile von Wide-Bandgap-Halbleitern voll ausschöpfen

Design kompakter 250-kW-Dreiphasen-Wechselrichter mit SiC-MOSFETs

13.12.2017- FachartikelSowohl Entwicklung, Marktakzeptanz als auch die Anwendung von Leistungselektronik-Komponenten mit breiter Bandlücke wie SiC sind in den vergangenen Jahren rapide gewachsen. Merkmale wie hohe Elektrononenbeweglichkeiten, Sättigungsgeschwindigkeiten und Rückwärts-Durchschlagspannung lassen schnellere PWM-Schaltfrequenzen zu. Welche fundamentalen Änderungen am Systemdesign der Endanwendungsdesigner kennen muss, um vollständigen Nutzen aus den Vorteilen von SiC-Bauteilen ziehen zu können, beschreibt dieser Beitrag. mehr...

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