Mosfet

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "Mosfet".
Der eingebaute Gate-Treiber enthält drei isolierte On-Board-Stromversorgungen (eine pro Phase) mit einer Leistung von jeweils bis zu 5 W pro Phase
Automotive-IPM-Technologie für die E-Mobilität

Cissoid stellt SiC-MOSFETs für intelligente Leistungsmodule vor

22.05.2020- ProduktberichtCissoid kündigt seine neue 3-Phasen-SiC-MOSFET-Plattform für intelligente Leistungsmodule (IPM) für die E-Mobilität an. mehr...

Schaltdiagramm
Stromversorgungen-MOSFETs mit Bodydiode

Mit der LLC-Topologie und FREDFETs den Wirkungsgrad erhöhen

08.05.2020- FachartikelAngesichts der globalen Energiekrise liegt der Schwerpunkt bei elektronischen Ausrüstungen darauf, bei geringerem Energieverbrauch eine hohe Leistung zu erzielen. Entwickler von Netzteilen haben sich weich schaltenden Topologien wie dem LLC-Resonanzwandler zugewandt, um den Wirkungsgrad zu verbessern und einen Betrieb mit höherer Frequenz zu ermöglichen. mehr...

Mit einer zusätzlichen Deglitch-Beschaltung erreichen die Datenkoppler der IL6xx-Serie (CMTI-Varianten) von Hy-Line bis zu 350 kV/µs Transientenfestigkeit
Leistungselektronik-Mit 350 kV/µs Transientenfestigkeit

Hy-Line stellt transientenfeste, isolierende Datenkoppler vor

06.04.2020- ProduktberichtDie besonders transientenfesten Hochgeschwindigkeits-Datenkoppler IL6xx im Vertrieb der Hy-Line Power Components lassen sich zur Kopplung an die High-Side von Halbbrücken-Leistungsschaltkreisen einsetzen. mehr...

Der C3M0015065D ist einer von fünf vorgestellten Siliziumkarbid-MOSFETs und hat einen Einschaltwiderstand von 15 mΩ.
Leistungselektronik-Für Elektrofahrzeuge, Datenzentren und Solaranwendungen

Cree stellt Siliziumkarbid-MOSFETs mit 650 V vor

31.03.2020- ProduktberichtCree erweitert sein Angebot an MOSFETs auf Sililziumkarbid-Basis (SiC) um eine Variante für 650 V. Zum Einsatz kommt das Bauelement in Elektrofahrzeugen, Datenzentren und Solaranwendungen. mehr...

900- und 1200-V-SiC-MOSFETs von On Semiconductor
Leistungselektronik-SiC-MOSFETs erhöhen Leistungsfähigkeit und Wirkungsgrad

On Semiconductor stellt neue 900- und 1200-V-SiC-MOSFETs vor

26.03.2020- ProduktberichtOn Semiconductor bringt zwei neue Serien von SiC-MOSFETs auf den Markt. Diese Bausteine bieten geringere Verluste, höhere Betriebstemperaturen, schnelleres Schalten, verbesserte EMI und sind zuverlässiger. mehr...

Frans Scheper, der CEO von Nexperia
Automotive-Nach Übernahme durch Wingtech

Xuezheng Zhang wird CEO von Nexperia

25.03.2020- NewsFrans Scheper, CEO von Nexperia (im Bild), geht in den Ruhestand, teilte das Unternehmen mit. Sein Nachfolger wird Xuezheng Zhang (Wing). mehr...

MOSFET von Infineon
Leistungselektronik-Für robuste Anwendungen

Infineon erweitert Coolsic-MOSFET-Serie um 650-V-Variante

23.03.2020- ProduktberichtInfineon ergänzt sein Siliziumkarbid-Produktportfolio (SiC) um 650-V-Leistungshalbleiter. mehr...

Optimos-5-80V/100V
Automotive-Für 48-V-Systeme im Auto

Infineon stellt neue Gehäusevarianten der Opti-MOS-5-MOSFETs vor

13.03.2020- ProduktberichtInfineon bringt neue Gehäusevarianten seiner 80-V- und 100-V-MOSFETs mit Optimos-5-Technologie auf den Markt, um die unterschiedlichen Anforderungen verschiedener 48-V-Applikationen zu bedienen. mehr...

Das G3VM-21MT kombiniert die Vorteile der mechanischen und MOSFET-Relaistechnologie zugunsten einer Schaltlösung für Testgeräte.
Leiterplattenfertigung-Für maximale Testgenauigkeit

MOSFET-Relais von Omron minimiert Leckstrom

11.03.2020- ProduktberichtDas Mosfet-Relaismodul G3VM-21MT kombiniert die Vorteile der mechanischen und Mosfet-Relaistechnologie zu einer Schaltlösung für Testgeräte. mehr...

Die Bausteine L6983C und L6983N sind in einem 3 mm × 3 mm messenden QFN16-Gehäuse verbaut.
Spannungswandler-IC-Für intelligente Industrie-Anwendungen

STM: Hochintegrierte synchrone Gleichspannungswandler

09.03.2020- ProduktberichtUnter der Bezeichnung L6983 bietet ST Microelectronics synchrone Gleichspannungswandler für 38 V und 3 A an, die unter allen Lastbedingungen einen hohen Wirkungsgrad von bis zu 95 Prozent erzielen. mehr...

XPH4R10ANB und XPH6R30ANB
Automotive-Effizienz von Automotive-Systemen verbessern

Toshiba: 100-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

04.02.2020- ProduktberichtToshiba Electronics Europe stellt seine ersten 100-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Automotive-Anwendungen vor, die im kleinen SMD-SOP-Advance-/WF-Gehäuse erhältlich sind. mehr...

Nexperia-CEO Frans Scheper
Firmen und Fusionen-Neuer Eigentümer

Wingtech Technology erwirbt Mehrheit an Nexperia

27.12.2019- NewsWingtech Technology, ein chinesischer Ausrüster für die Computer- und Telekombranche, übernimmt einen Mehrheitsanteil an dem niederländischen Spezialisten für MOSFETs und ICs, Nexperia. Die Firma soll dennoch weiterhin unabhängig bleiben. mehr...

GaN-Ausfallanalyse
Leistungselektronik-Vertrauen in neue Leistungshalbleitertechnologien

Zuverlässigkeit von GaN-Hochspannungs-Schalttransistoren

02.12.2019- Application NoteDie Markteinführung neuer Leistungshalbleitertechnologien bedeutet für einen Hersteller von Leistungselektronikgeräten großes Vertrauen in zuverlässig funktionierende neue Halbleiter. mehr...

Topstory
Leistungselektronik-Mehr als hohe Schaltfrequenzen

Das sind die Einsatzgebiete von Cool-SiC-MOSFETs

26.11.2019- FachartikelViele Anwender bringen Cool-SiC-MOSFETs tendenziell mit hohen Schaltfrequenzen in Verbindung. Tatsächlich ist die Palette möglicher Einsatzgebiete für die Technologie jedoch viel breiter. mehr...

Mit SiC-MOSFETs kann die Energieeffizienz von Antrieben gesteigert werden
Leistungselektronik-Energieeffizienz industrieller Antriebe mit SiC-MOSFETs steigern

Wechselrichter: Leistungsvergleich von Si-IGBT und SiC-MOSFET

07.11.2019- FachartikelDie Energieeffizienz von industriellen Antrieben hat einen hohen Stellenwert. Halbleiterhersteller versuchen deshalb, die Leistungsfähigkeit der Leistungsbausteine in den Umrichterstufen zu steigern. Eine Lösung sind SiC-MOSFETs. mehr...

Das Easy 1B integriert eine Viererpack-Topologie für die DC/DC-Stufe der EV-Ladestation.
Automotive-Für Ladestationen und USV

Easy-Pack-Module mit SiC-MOSFETs von Infineon

26.09.2019- ProduktberichtInfineon hat mit dem Easy 1B (F4-23MR12W1M1 B11) und dem Easy 2B (F3L15MR12W2M1 B69) zwei Easy-Pack-Module der 1200-V-Familie für Ladestationen und USV auf den Markt gebracht. mehr...

Stanley Electric
Distribution-Globale Verträge

Mouser vertreibt Produkte von Stanley und Transphorm

20.09.2019- NewsMouser Electronics hat neue Verträge mit den Firmen Stanley Electric und Transphorm unterzeichnet. Diese gelten jeweils global. mehr...

Bild 2: Anwendungsschaltung für den IPS4260L zur Ansteuerung von Verbrauchern von sehr großer Induktivität mit schneller Entmagnetisierung
Leistungselektronik-Ausgangsstrombegrenzung und Abschaltverzögerung programmierbar

Low Side Intelligent Power Switch mit geringem Durchgangswiderstand

13.09.2019- FachartikelThema ist ein vierkanaliger Low Side Intelligent Power Switch, der dafür konzipiert ist, die Gesamtleistungsaufnahme zu reduzieren. Bemerkenswert sind der geringe minimale Durchgangswiderstand pro Kanal sowie die Programmierbarkeit von Ausgangsstrombegrenzung und Abschaltverzögerung. mehr...

Viper 4 Inverter Power Switch
Automotive-Partnerschaft

Cree liefert MOSFETs für 800-V-Wechselrichter von Delphi

10.09.2019- NewsCree stellt Delphi Technologies seine MOSFETs auf Siliziumkarbidbasis für neue 800-V-Wechselrichter zur Verfügung. Die Unternehmen vereinbarten eine Partnerschaft zur Nutzung dieser Halbleiterbauelemente. mehr...

Bild 1: Das OBC-Design mit einem im Bereich 500 bis 840 V variablen Zwischenkreis basiert auf 1200-V-SiC-MOSFETs.
Automotive-Referenzdesign eines bidirektionalen OBC

SiC-MOSFET erhöht Leistungsdichte und Effizienz im On-Board Charger

09.09.2019- FachartikelElektrofahrzeuge (EV) lassen sich zur Ergänzung des Stromnetzes (V2G) einsetzen. Folglich geht der Entwicklungstrend beim On-Board Charger in Richtung eines bidirektionalen Betriebs. mehr...

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