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Mosfet

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "Mosfet".
Bild 3: Das TO-263-7L-SMD-Gehäuse mit Kelvin-Source und seine parasitären Induktivitäten.
Automotive-Volles Potenzial von Wide-Bandgap-Bauteilen ausschöpfen

Wie SiC-MOSFETs in SMD-Gehäusen Wandler-Verluste reduzieren

07.03.2019- FachartikelSiC-MOSFETs erreichen hohe Schaltgeschwindigkeiten und reduzieren Verluste leistungselektronischer Wandler, traditionelle Gehäuse limitieren dies jedoch. Welche Vorteile geeignete Gehäuse bringen, zeigt ein Praxis-Beispiel. mehr...

Bild 3: Die Pebble-Laptop-PSU ist nur 115 x 52 x 36 mm3 groß und wiegt gerade mal 180 g.
Stromversorgungen- Hohe Zuverlässigkeitsforderungen

So entwickeln Sie Schaltnetzteile für extreme Umgebungen

04.03.2019- FachartikelDie Anforderungen an Stromversorgungen in rauen Umgebungen sind hoch. Grundvoraussetzung für ihre Entwicklung sind die besten Materialien, Technologien und Topologien. Der Beitrag zeigt, wo Leistungsverluste schaltender Stromversorgungen auftreten und erläutert Verbesserungen. mehr...

Hybride und elektrische Antriebe benötigen eine effiziente Leistungselektronik für die wesentlichen Subsysteme wie Inverter, Onboard-Charger oder DC/DC-Wandler.
Baugruppenfertigung-Schrittmacher für Elektromobilität und automatisiertes Fahren

E-Mobility: AT&S offeriert Leiterplatten- und Packaging-Technologien

25.02.2019- FachartikelElektromobilität und automatisiertes Fahren sind die Trends in der Automobilindustrie mit hohem Wachstumspotenzial, aber auch mit technologischen Herausforderungen. Die Grundlage, um diese Herausforderungen umsetzen zu können, wird eine effiziente Leistungselektronik bilden. mehr...

Die IMM100-Serie von Infineon reduziert die Leiterplattengröße und F&E-Aufwendungen deutlich.
Leistungselektronik- Kombiniert Motorcontroller-IC mit 3-Phasen-Motorinverter

Kleinere Leiterplatten möglich

20.02.2019- ProduktberichtDie IMM100-Serie von Infineon kombiniert einen Motorcontroller-IC und einen 3-Phasen-Motorinverter in einem kompakten 12 × 12 mm2  PQFN-Gehäuse. mehr...

Taiwan Semiconductor hat eine Vertriebsvereinbarung mit EBV Elektronik unterzeichnet.
Distribution-Globale Vereinbarung

EBV Elektronik vertreibt künftig Bauelemente von Taiwan Semiconductor

31.01.2019- NewsDas Unternehmen der Avnet-Gruppe hat einen Vertrag über die Distribution der Bauelemente von Taiwan Semiconductor unterzeichnet. Die diskreten Bauteile und Power-Management-IC sind künftig auch in Europa verfügbar. mehr...

C5D 1700V-SiC-Schottky-Diode
Aktive Bauelemente-Nennstromstärken von 5A, 10A, 25A und 50A

Wolfspeed verbessert SiC-Dioden für Hochspannungsanwendungen

16.01.2019- ProduktberichtDas Unternehmen der Cree-Gruppe präsentiert seine fünfte Generation von C5D-1700V-SiC-Schottky-Dioden für erneuerbare Energie und Elektrofahrzeuge. mehr...

Bild 1: Der verschachtelte 60-kW-Aufwärtswandler von Wolfspeed mit 4 Treiber-Boards arbeitet mit einem SiC-MOSFET (1200 V, 75 mΩ).
Stromversorgungen-Haltbarkeit trotz Feuchtigkeit

TBH-80 eignet sich für reelle Prüfung von SiC-Bauelementen für Solarwechselrichter

09.01.2019- FachartikelIngenieure, die Hochspannungs- und Hochfrequenz-Solarwechselrichter entwerfen, sehen sich mit einem Problem bei der Systementwicklung konfrontiert: Wie lassen sich die gewünschte Leistungsdichte als auch die Haltbarkeit bei feuchten Außenumgebungen erzielen? Der Beitrag zeigt, wie verbesserte SiC-MOSFETs und -Dioden es ermöglichen, die Vorteile des Wide-Bandgap-Halbleiters auch unter extremen Umgebungsbedingungen zu nutzen. mehr...

CoolGaN-600V
Leistungselektronik-Anleitung zum Umstieg von Silizium auf Galliumnitrid

Neue GaN-HEMTs für hocheffiziente Leistungswandler

13.12.2018- Application NoteBesser als Si-MOSFETs eignen sich Galliumnitrid-Transistoren der Serie CoolGaN für hocheffiziente und hochfrequente Leistungswandlerschaltungen, insbesondere für Halbbrücken-Topologien. mehr...

Der SiC-MOSFET LSIC1MO170E1000 von Littelfuse punktet mit niedriger Gate-Ladung und kleiner Output-Kapazität.
Leistungselektronik-Für EV, HEVs, Datencenter und Stromversorgungen

SiC-MOSFET für effiziente Hochfrequenzanwendungen

30.10.2018- ProduktberichtLittelfuse stellt mit dem LSIC1MO170E1000 einen SiC-MOSFET mit 1700 V und 1 Ω vor, der das Portfolio an 1200-SiC-MOSFETs und Schottky-Dioden ergänzt. mehr...

Infineon zeigt am Stand unter anderem ein Demoboard mit einem Chipsatz für elektrische Servolenkungen.
Automotive-Abgestimmt auf hohe funktionale Sicherheit

Chipsatz für elektrische Servolenkung

30.10.2018- ProduktberichtInfineon stellt einen Chipsatz für die kommende EPS-Generation (Elektrische Servolenkung) bereit, der alle wesentlichen Halbleiter-Komponenten enthält. Eine Demo des Systems wird am Stand gezeigt. mehr...

Vishay ist mit zwei Ständen und mit Komponenten zu den Themen Automatisierung, Elektrifizierung, IoT und Industrie 4.0 auf der Messe vertreten.
Leistungselektronik-Automatisierung, Elektrifizierung, IoT und Industrie 4.0

Kundenspezifische Komponenten für Industrial und Automotive

24.10.2018- ProduktberichtVishay zeigt an seinen zwei Ständen kundenspezifische Bauteile, die für den Einsatz in verschiedenen Märkten wie Automatisierung, Elektrifizierung, IoT und Connectivity sowie Industrie 4.0 konzipiert sind. mehr...

Die MOSFETs sind geeignet für Hot-Swap-, Softstart- und E-Fuse-Anwendungen.
Leistungselektronik-Leistungsoptimierung für Safe-Operating-Areas

MOSFETs mit niedrigerem RDS(on) für Hot-Swap-Designs

24.10.2018- ProduktberichtNexperia ergänzt seine Next-Power-Live-Linear-Mode-Produktlinie um den MOSFET PSMN3R7-100BSE. mehr...

Das Fotovoltaik-Relais basiert auf einer optischen Kopplung zum Schalten von Lasten
Relais-Isolationsspannungen bis zu 5 kV

Fotovoltaik-Relais mit optischer Kopplung

23.10.2018- ProduktberichtSchukat nimmt das Fotovoltaik-Relais Photo-MOS mit MOSFET-Ausgang von Panasonic in sein Warensortiment auf. mehr...

Bild 3: Demonstrator für einen 24-V-ADR-Batterieschalter für CAV-Anwendungen.
Automotive-Automatisiert unterwegs mit doppeltem Netz

Smarte Batterieschalter für eine sichere redundante Stromversorgung

15.10.2018- FachartikelNeben der Sensorfusion benötigen (Nutz-)Fahrzeuge als Voraussetzung für das hochautomatisierte Fahren auch eine entsprechende E/E-Architektur, die  sicherheitskritische Vorgänge wie das Lenken oder Bremsen jederzeit gewährleistet. Dafür ist unter anderem eine redundante 24-V-Versorgung mit entsprechender Entkopplung erforderlich, wobei der Batterieschalter eine Schlüsselkomponente darstellt. mehr...

Die freiligenden Metalloberflächen von Toshibas Automotive-MOSFETs ermöglichen Wärmeaustausch.
Automotive-Mit doppelseitiger Kühlung

40v-Automotive-MOSFETs mit niedrigem Widerstand

09.10.2018- ProduktberichtDie Automotive-MOSFETS von Toshiba haben einen gerinen Widerstand und sind zudem mit einer intgrierten, doppelseitigen Kühlung ausgestattet. mehr...

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all-electronics_sponsoredPost_Magi3c_WE eiSos
Spannungswandler-IC-Unterstützung beim Layout und im EMV-Filterdesign

Integrierte DC/DC-Wandlermodule

10.09.2018- Sponsored PostMagI³C Power Module von Würth Elektronik eiSos: DC/DC-Wandler mit Regler-IC, Induktivität und Kondensatoren. Ein weiteres Plus ist die kostenfreie Layout- und EMV-Filterdesign Unterstützung. mehr...

Bild 1: Block-Diagramm für ein typisches Roboter-System
Leistungselektronik-Power-MOSFETs und Gehäusetechnologien

Herausforderungen beim Antrieb von Service-Robotern

20.08.2018- FachartikelEin ideales Marktumfeld, das auf Marktreife, technologischer Verfügbarkeit und Mehrwert basiert, treibt die Verbreitung von Robotern sowohl im industriellen als auch Consumer-Segment. Parallel dazu haben Halbleiter für Roboter in den letzten Jahren signifikante Weiterentwicklungen erfahren. Neue Leistungshalbleiter ermöglichen zudem effizientere, zuverlässige und mehr-dimensionale Designs für Service-Roboter. mehr...

Bild 1: SiC-JFET mit vertikaler Trench-Zelle, der im Vergleich zu einer lateralen GaN-HEMT-Zelle (High Electron Mobility Transistor) einen sehr geringen Durchlasswiderstand aufweist.
Leistungselektronik-Ein starkes Gespann in der Leistungselektronik

Kaskodenbausteine aus Si-MOSFET und SiC-JFET

09.08.2018- FachartikelWenn die physikalischen Eigenschaften einzelner Halbleiterwerkstoffe den schaltungstechnischen Anforderungen nicht genügen, kann eine Kombination wie die Kaskode aus Si-MOSFET und SiC-JFET die optimale Lösung für Hochleistungsanwendungen sein. United SiC erörtert die Problemsituation und stellt einen passenden Kaskodenbaustein vor. mehr...

Bild 4: Treiberkonzept mit De-Sat-Überwachung. Für einen ströungsfreien Betrieb ist es hier notwendig, die Schaltflanke "auszublenden".
Leistungselektronik-Den Kurzschlussfall beherrschen

Gatetreiber für die Kurzschlussfestigkeit von SiC-MOSFETs auslegen

09.08.2018- FachartikelVerbesserte Materialeigenschaften von SiC-Leistungshalbleitern lassen sich vorteilhaft nutzen um die Geräteleistung zu steigern und durch Optimierungsmöglichkeiten im Gerätedesign die Systemkosten zu reduzieren. Doch bislang stand die Kurzschlussfestigkeit von SiC-MOSFETs in Frage. Aktuelle Untersuchungen zeigen, dass derzeitige Lösungen mit entsprechenden Gatetreibern eine ausreichende Robustheit zur Verfügung stellen. mehr...

Bild 1: Mit WBG-Halbleitern werden leistungselektronische Systeme effizienter und sorgen damit für Fortschritte im Transportwesen sowie in der Energie- und Kommunikationsbranche.
Leistungselektronik-Wide-Bandgap-Bauteile besser verstehen

Herausforderungen bei parametrischen Messungen an WBG-Halbleitern

09.05.2018- FachartikelHalbleiterbauelemente auf der Basis von Materialien mit großer Bandlücke versprechen höhere Energieeffizienz, Sicherheit und Zuverlässigkeit in einsatzkritischen Anwendungen – deshalb wächst die Nachfrage danach beständig. Für ein besseres Verständnis des Verhaltens dieser Bauteile ist eine umfassende Charakterisierung sowohl der Fertigungsprozesse als auch der Bauteilarchitekturen notwendig. mehr...

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