Powermosfet

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "Powermosfet".
Laden von Elektroautos
Leistungselektronik-Fürs Wachstum der künftigen DC-Lade-Infrastruktur

E-Fahrzeuge: Diese Leistungsbausteine machen das Laden effizienter

13.02.2019- FachartikelProbleme beim Laden schränken das Aufkommen von Elektrofahrzeugen ein. Für die Realisierung von effizienten DC-Schnell-Ladesystemen mit großer Leistungsdichte hat Infineon integrierte Powermodule und Controller-Bausteine entwickelt. mehr...

Bild 1a: Prinzipaufbau des 22 mOhm-Schalters.
Leistungselektronik-Selbstsperrende Kaskode

GaN-Schaltbaustein mit Positiv-Logik vereinfacht die Ansteuerung

05.12.2018- FachartikelEinzelne GaN-HEMTs sind unbeschaltet selbstleitend und umständlich anzusteuern. Visic entwickelte daraus einen intergrierten Schaltbaustein mit funktionaler Sicherheit, der in Positiv-Logik arbeitet und dadurch die Ansteuerung vereinfacht. Der Beitrag erläutert die Besonderheiten und Vorteile dieser GaN-Leistungsschalter. mehr...

Nur ein optimales Platinen-Layout ermöglicht die hohe Leistungsfähigkeit der GaN-Halbleiterbausteine.
Leistungselektronik-Schnelle Schaltzeiten

GaN-Halbbrücke mit 50 Volt pro Nanosekunde

12.12.2017- Application NoteTI erklärt, mit welchen entscheidenden Layout-Maßnahmen GaN-Leistungshalbleiter ihre maximale Effizienz erreichen können. mehr...

Bild 1: Bei moderater Belastung erreicht das 900-V-Halbbrücken-Modul mit mehreren parallelen SiC-MOSFETs einen Rds(on) von 2,1 mΩ bei 175 °C.
Leistungselektronik-SiC-Leistungshalbleiter

SiC-Halbleiter für kompakte effiziente Elektroantriebe und Ladesysteme

02.12.2016- FachartikelBei Elektrofahrzeugen sind hohe Leistung und Effizienz wie auch geringes Gewicht und akzeptable Kosten gefordert. Welchen Beitrag Leistungshalbleiter und -Module auf Basis von Siliziumkarbid hier leisten können, erläutert der Halbleiterhersteller Wolfspeed anhand mehrerer Leistungselektronikanwendungen. mehr...

GaN Systems erreicht mit der ECP-Technologie hohe Stromdichten, ein gutes thermisches Verhalten und geringe Induktivitäten.
Leistungselektronik-Spagat zwischen Leistungssteigerung und Kostenminimierung

GaN-Halbleiter sind im Kommen

12.09.2016- FachartikelDer große Aufschwung von Siliziumkarbid bleibt nicht ohne Verfolger. So sind Gallium­nitrid-Halbleiter auch in Materialpaarungen wie GaN-on-Si zunehmend im kommen. Der nachfolgende Beitrag gibt Einblicke in einige GaN-Neuentwicklungen. mehr...

Bild 1: Im Bereich der Leistungselektronik eröffnen Halbleiter auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) neue Dimensionen.
Leistungselektronik-Leistungshalbleiter

Siliziumkarbid-Halbleiter auf der Überholspur

20.01.2016- FachartikelDie Anforderungen an Leistungselektronik wachsen erheblich, sodass Halbleiterbausteine mit höherer Leistungsdichte, Effizienz und Zuverlässigkeit gefragt sind. Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) setzen bezüglich Schaltspannung und -geschwindigkeit, Schaltverluste und Baugröße neue Maßstäbe. mehr...

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Leistungselektronik-Platz sparen

Leistungsmosfets

27.08.2008- ProduktberichtDer 20-V-p-Kanal-Trenchfet-Leistungsmosfet Si8445DB im Micro-Foot-Chipscale-Gehäuse hat einen Footprint von 1,2x1,0mm. mehr...

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