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Schaltgeschwindigkeit

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "Schaltgeschwindigkeit".
Bild 1: SiC-JFET mit vertikaler Trench-Zelle, der im Vergleich zu einer lateralen GaN-HEMT-Zelle (High Electron Mobility Transistor) einen sehr geringen Durchlasswiderstand aufweist.
Leistungselektronik-Ein starkes Gespann in der Leistungselektronik

Kaskodenbausteine aus Si-MOSFET und SiC-JFET

09.08.2018- FachartikelWenn die physikalischen Eigenschaften einzelner Halbleiterwerkstoffe den schaltungstechnischen Anforderungen nicht genügen, kann eine Kombination wie die Kaskode aus Si-MOSFET und SiC-JFET die optimale Lösung für Hochleistungsanwendungen sein. United SiC erörtert die Problemsituation und stellt einen passenden Kaskodenbaustein vor. mehr...

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ROHMs 650-V-IGBTs mit höchster Effizienz und sanftem Schaltverhalten

18.06.2018- Sponsored PostIn den letzten Jahren haben zahlreiche IoT-Anwendungen für exponentielles Wachstum beim generierten Datenvolumen gesorgt und damit funktionale Verbesserungen und Kapazitätserweiterung in den Rechenzentren notwendig gemacht. Da jedoch die Anzahl der Server und USVs, die für einen stabilen Betrieb der Hauptstromversorgung unerlässlich sind, weiter steigt, wird eine Reduzierung der Leistungsaufnahme immer schwieriger. mehr...

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