Anzeige

SiC

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "SiC".
Rohm
Leistungselektronik-Leistungshalbleiter

Rohm kooperiert zu GaN und baut SiC-Produktionskapazitäten aus

05.06.2018- NewsMehrere Neuigkeiten bei Rohm: Der Leistungshalbleiteranbieter plant zum einen eine Zusammenarbeit mit GaN Systems zur Entwicklung von Galliumnitrid-basierter (GaN) Leistungselektronik. Auf der anderen Seite sollen im japanischen Chikugo die Kapazitäten für die Produktion von SiC-Power-Bauteilen erweitert werden. mehr...

Bild 1: Mit WBG-Halbleitern werden leistungselektronische Systeme effizienter und sorgen damit für Fortschritte im Transportwesen sowie in der Energie- und Kommunikationsbranche.
Leistungselektronik-Wide-Bandgap-Bauteile besser verstehen

Herausforderungen bei parametrischen Messungen an WBG-Halbleitern

09.05.2018- FachartikelHalbleiterbauelemente auf der Basis von Materialien mit großer Bandlücke versprechen höhere Energieeffizienz, Sicherheit und Zuverlässigkeit in einsatzkritischen Anwendungen – deshalb wächst die Nachfrage danach beständig. Für ein besseres Verständnis des Verhaltens dieser Bauteile ist eine umfassende Charakterisierung sowohl der Fertigungsprozesse als auch der Bauteilarchitekturen notwendig. mehr...

Bild 3: PM-Kern mit drei Luftspalten. Der zweite und dritte Spalt wird durch das symmetrische Gegenstück gebildet.
Passive Bauelemente-Effizienz – jedes Zehntelprozent zählt

Materialien und Designs für passive Bauelemente in Stromversorgungen

08.05.2018- FachartikelDie Effizienzsteigerung ist neben der Miniaturisierung das wichtigste Entwicklungsziel beim Design von Stromversorgungen – jedes Zehntelprozent zählt. Neben den Leitungshalbleitern sind es die passiven Bauelemente und hier vor allem Ferritkerne und Kondensatoren, die für den Wirkungsgrad entscheidend sind. Der Beitrag beschreibt ein neues Ferritmaterial, verbesserte Kern-Geometrien sowie aktuelle Designs für Kondensatoren. mehr...

A10742_03_Qspeed_Online_RGB
Leistungselektronik-Q-Speed-Dioden optimieren Schaltnetzteile

Mit PIN-Schottky-Hybrid-Dioden SiC-Parameter erreichen

07.05.2018- FachartikelWide-Band-Halbleiter wie Siliziumkarbid und Galliumnitrid können die Leistungselektronik effizienter gestalten, sie sind aktuell jedoch noch teurer als die weitverbreiteten Siliziumbauteile. Wenn es um die Optimierung von Gleichrichtern und die Korrektur des Leistungsfaktors (PFC) in Stromversorgungen geht, sind Q-Speed-Dioden als Hybrid aus PIN- und Schottky-Diode eine kostengünstige Alternative. mehr...

Das Power-Lab von Rohm Semiconductor in Willich-Münchheide soll Entwicklern leistungselektronischer Systeme technischen Support auf der Applikationsebene direkt vor Ort bieten.
Leistungselektronik-Technischer Support auf der Applikationsebene

Power-Lab unterstützt Entwickler beim Test von Leistungs-Komponenten

03.05.2018- FachartikelIn seinem europäischen Standort Willich-Münchheide bei Düsseldorf bietet Rohm Semiconductor in seinem Power-Lab umfangreichen Support und eine State-of-the-Art-Testumgebung für die Analyse von leistungselektronischen Komponenten. Das 300 m² große Labor soll dabei helfen, Produkte und Systeme einfacher ihrer Nutzung zuzuführen und an die Bedürfnisse und Anforderungen der Kunden anzupassen. mehr...

Bild 1: Der Markt für Leistungsgeräte wächst beständig, wobei die Fahrzeug-Elektrifizierung für einen massiven Schub sorgt.
Leistungselektronik-Strahlende Zukunft für Leistungselektronik

EV/HEV treibt Innovationen und Markt-Wachstum in der Leistungsbranche

02.05.2018- Fachartikel2017 ist der gesamte Markt für Leistungshalbleiter auf einen Wert von 32,4 Milliarden US-Dollar gewachsen. Kein System kann ohne Energie existieren und mit Zunahme innovativer Technologien ist es notwendig, die Evolution der Leistungshalbleiterbranche auf Kurs zu halten. Der Beitrag beleuchtet die Hauptursachen hinter diesem Marktwachstum und konzentriert sich dabei vor allem auf das EV/HEV-Segment – spielt es doch zunehmend eine Schlüsselrolle auf dem Markt für Leistungshalbleiter. mehr...

Aufmacher
Automotive-Halbleiter als Schlüssel für die mobile Zukunft

SiC, DNN, Lidar, Radar – Automotive-Highlights von der ISSCC 2018

12.04.2018- FachartikelDie ISSCC (International Solid-State Circuits Conference) bietet jährlich einen Überblick über die aktuellsten Innovationen und Strategien der Halbleiterindustrie. Im Beitrag stellen wir die Trends aus den Bereichen Leistungselektronik, Deep-Neural-Networks sowie Lidar und Radar für den Einsatz im Fahrzeug vor. mehr...

Siliziumkarbid-basierte (SiC) Halbleiter eignen sich für den Einsatz im Bereich der Leistungsumwandlung sowie in Elektrofahrzeugen.
Branchenmeldungen-Langfristiger, strategischer Liefervertrag

Cree liefert SiC-Wafer an Infineon

26.02.2018- NewsDie Vereinbarung zwischen Infineon und Cree sieht die Lieferung von 150-mm-SiC-Wafern vor. Damit will Infineon seine Aktivitäten in diversen Marktsegmenten wie etwa der Elektromobilität oder der Robotik ausbauen. mehr...

abstract, arrow, movement, move, design, symbol, forward, speed, fast, tech, hi tech, technology, light, lighting, sci fi, innovation, innovative, power, meteor, energy, dash, rush, stream, fling, shoot, flare, line, blue, digital, texture, pattern, sharp, copyspace, space, composition, dynamic, dimension, concept, innovative, communication, elements, vector, illustration, gradient, graphic,
Leistungselektronik-Vorteile von Wide-Bandgap-Halbleitern voll ausschöpfen

Design kompakter 250-kW-Dreiphasen-Wechselrichter mit SiC-MOSFETs

13.12.2017- FachartikelSowohl Entwicklung, Marktakzeptanz als auch die Anwendung von Leistungselektronik-Komponenten mit breiter Bandlücke wie SiC sind in den vergangenen Jahren rapide gewachsen. Merkmale wie hohe Elektrononenbeweglichkeiten, Sättigungsgeschwindigkeiten und Rückwärts-Durchschlagspannung lassen schnellere PWM-Schaltfrequenzen zu. Welche fundamentalen Änderungen am Systemdesign der Endanwendungsdesigner kennen muss, um vollständigen Nutzen aus den Vorteilen von SiC-Bauteilen ziehen zu können, beschreibt dieser Beitrag. mehr...

Leserfavoriten-im-September-2017
Branchenmeldungen-Leserfavoriten im September 2017

Von E-Achsen über elektronikaffine Schweizer bis zu kosmischem Beschuss

29.09.2017- BildergalerieUnsere Leser haben entschieden: Das sind die wichtigsten Neuigkeiten des Monats September 2017. In unserer Elektronik-Bildergalerie bringen wir die News und Highlights aus dem letzten Monat noch einmal auf den Punkt. mehr...

Aufmacher
Leistungselektronik-Kosmischem Beschuss trotzen

Höhenstrahlungsfestigkeit von SiC-Leistungshalbleitern

12.09.2017- FachartikelDie kosmische Höhenstrahlung ist allgegenwärtig und kann in elektronischen Bauelementen zum Single Event Burnout (SEB) führen. Gerade für Leistungshalbleiter ist die Robustheit gegenüber dem von Höhenstrahlung verursachten Phänomen ein wichtiges Kriterium. Messergebnisse aus aktuellen Veröffentlichungen zeigen, dass SiC-MOSFETs von Rohm robuster gegenüber Höhenstrahlung sind als Si-Bauelemente der jeweiligen Spannungsklassen. mehr...

Aufmacher_EV-Charger-with-ESS
Leistungselektronik-Treiben von SiC- und GaN-Leistungswandlern der nächsten Generation

Von der Schaltung zum IC-Ökosystem

12.09.2017- FachartikelUm die Vorteile der SiC- und GaN-Schalter in Leistungswandlern nutzen zu können, sind IC-Ökosysteme mit aufeinander abgestimmten Komponenten nötig. mehr...

Die DC/DC-Wandler der RxxP21503D-Serie von Recom sind speziell für die Versorung von SiC-MOSFETs der zweiten Generation ausgelegt.
Stromversorgungen-Für Leistungsschalter der zweiten Generation

2-W-DC/DC-Wandler für SiC-MOSFETs

31.08.2017- ProduktberichtHohe Schaltfrequenzen und -spannungen stellen eine der größten Herausforderungen bei der Ansteuerung von SiC-MOSFETs dar. Extreme Potentialunterschiede zwischen Steuerung und Leistungskreis können die Isolation mürbe machen und zu Fehlfunktionen führen. Um diesen Anforderungen zu entsprechen, hat Recom eine 2-W-DC/DC-Wandler-Serie speziell für die Versorgung aktueller SiC-MOSFETs vorgestellt. mehr...

admin-ajax.php
Branchenmeldungen-PCIM 2017 in Bildern

Lächelnde Oszilloskope, schnelles GaN und gut bewachtes SiC

24.05.2017- BildergalerieEin gutes Jahr für die PCIM: Rund 10.800 Besucher sahen sich Produkte und Lösungen der 465 Aussteller an. In diesem Jahr bildete die Messe das gesamte Spektrum der Leistungselektronik ab, wobei aktuell die Autoindustrie mit Neuentwicklungen im Bereich E-Mobility das größte Wachstumspotenzial aufweist. Unser Redaktionsteam war auf der PCIM unterwegs und hat seine Eindrücke in dieser Bildergalerie gesammelt. mehr...

Hexagonaler GaN-Einkristall mit einem Durchmesser von 2 Zoll. Die Herstellung dieser Einkristalle ist schwierig und teuer, was derzeit den größten Stolperstein für GaN-Bauelemente auf den Weg in den Hochspannungsbereich darstellt.
Leistungselektronik-Bye-bye Silizium

Wide-Bandgap-Halbleiter übernehmen die Leistungselektronik

25.04.2017- FachartikelSeit über 50 Jahren nimmt Silizium die führende Rolle in der Leistungselektronik ein. Die Ausgereiftheit der Silizium-Halbleitertechnologie hat dazu geführt, dass Leistungsbauelemente auf Silizium-Basis kostengünstig, in großen Stückzahlen und mit hoher Zuverlässigkeit herstellbar sind. In der Leistungselektronik erreicht das Material jedoch aufgrund steigender Ansprüche an Leistungsschaltkreise seine Grenzen und wird immer mehr von Materialien mit höheren Energie-Bandlücken verdrängt. mehr...

Monolith Semiconductor lässt seine SiC-Leistungsbauelemente von X-Fab in Texas auf 150-mm-Substraten herstellen.
Leistungselektronik-Littelfuse investiert in Monolith Semiconductor

SiC-Leistungsbauelemente in CMOS-Technologie

27.03.2017- NewsLittelfuse hat erneut in das amerikanische Start-Up Monolith Semiconductor investiert. Etwa 15 Millionen US-Dollar investiert das Unternehmen, um seinen Einstieg in den Markt für SiC-Halbleiter voranzutreiben. Gegenüber Silizium lassen sich mit Bauelementen auf Basis von SiC (Siliziumkarbid) höhere Schaltfrequenzen und Arbeitstemperaturen realisieren und deutlich höhere Wirkungsgrade erreichen. mehr...

Bild 1: Bei moderater Belastung erreicht das 900-V-Halbbrücken-Modul mit mehreren parallelen SiC-MOSFETs einen Rds(on) von 2,1 mΩ bei 175 °C.
Leistungselektronik-SiC-Leistungshalbleiter

SiC-Halbleiter für kompakte effiziente Elektroantriebe und Ladesysteme

02.12.2016- FachartikelBei Elektrofahrzeugen sind hohe Leistung und Effizienz wie auch geringes Gewicht und akzeptable Kosten gefordert. Welchen Beitrag Leistungshalbleiter und -Module auf Basis von Siliziumkarbid hier leisten können, erläutert der Halbleiterhersteller Wolfspeed anhand mehrerer Leistungselektronikanwendungen. mehr...

Bild 7: Verbesserte SiC-p+-Region bei 650-V-SiC-SBDs der zweiten Generation.
Leistungselektronik-Leistungs-MOSFETs und SiC-Dioden

Stromversorgungen mit hohem Wirkungsgrad entwickeln

02.11.2016- FachartikelStromversorgungen und Netzteile führen in der Elektronikentwicklung oft ein Schattendasein, obwohl sie einen beträchtlichen Teil des Energieverbrauchs verursachen. Damit sich das Szenario der Stromversorgung als Stromfresser ändert, benötigen die Entwickler Leistungsbauteile, die höhere Wirkungsgrade ermöglichen. mehr...

SiC-Leistungshalbleiter machen den Inverter des Venturi-Boliden 2 kg leichter, steigern die elektrische Effizienz um und verringern das Volumen des Kühlsystems.
Leistungselektronik-Leistungshalbleiter

Rohm Semiconductor startet mit SiC-Technologie in der Formel E

14.10.2016- NewsBahnbrechende Siliziumkarbid-Halbleiter (SiC) für optimiertes Energiemanagement; Effizienzsteigerung der Leistungselektronik; ROHM stolzer Sponsor und Offizieller Technologiepartner des Venturi Formel-E-Teams mehr...

Loader-Icon