SiC

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "SiC".
Die SBD-Module mit 700, 1200 und 1700 V basieren auf der neuesten Generation von SiC-ICs, die zuverlässige, robuste und dauerstabile Anwendungen ermöglichen.
Leistungselektronik-Module mit 700, 1200 und 1700 V

Microchip erweitert Angebot an Siliziumkarbid-Leistungsmodulen

01.04.2020- NewsMicrochip hat sein Angebot an Siliziumkarbid-Leistungsmodulen (SiC) um Varianten mit 700, 1200 und 1700 V erweitert, die weniger Wärmeentwicklung verursachen und einen kleineren Footprint haben. mehr...

Wegen Corona: ZF erklärt Details zur Kurzarbeit in der Branche
Branchenmeldungen-Von der Entwicklung von Beatmungsgeräten bis zu Kurzarbeit bei ZF

Die Top 10 der Artikel auf all-electronics im März 2020

01.04.2020- BildergalerieWelche Artikel auf all-electronics.de die Leser im März 2020 am meisten interessiert haben, zeigen folgende Bilder. Klicken Sie sich rein und lesen Sie die erfolgreichen Beiträge. mehr...

Si-Leistungs-MOSFETs und SiC-MOSFETs weisen eine vertikale Struktur auf, GaN-HEMTs eine laterale.
Leistungselektronik-Si oder Wide-Bandgap?

SiC, GaN, Si: Wann Silizium in Schaltnetzteilen die bessere Wahl ist

01.04.2020- FachartikelDamit Vorteile von Wide-Bandgap-Bauelementen wie SiC und GaN in Schaltnetzteilen auch zum Tragen kommen, braucht es mehr als nur Silizium zu ersetzen –  manchmal ist Si auch die bessere Wahl. mehr...

Der C3M0015065D ist einer von fünf vorgestellten Siliziumkarbid-MOSFETs und hat einen Einschaltwiderstand von 15 mΩ.
Leistungselektronik-Für Elektrofahrzeuge, Datenzentren und Solaranwendungen

Cree stellt Siliziumkarbid-MOSFETs mit 650 V vor

31.03.2020- ProduktberichtCree erweitert sein Angebot an MOSFETs auf Sililziumkarbid-Basis (SiC) um eine Variante für 650 V. Zum Einsatz kommt das Bauelement in Elektrofahrzeugen, Datenzentren und Solaranwendungen. mehr...

Die IEEE hat einen strategische Roadmap für Wide-Bandgap-Halbleiter wie Siliziumkarbid und Galliumnitrid vorgestellt
Leistungselektronik-Wegweiser für SiC und GaN

IEEE stellt strategische Roadmap für Wide-Bandgap-Halbleiter vor

27.03.2020- NewsImmer mehr Wide-Bandgap-Bauelemente basierend auf Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) kommen in der Leistungselektronik zum Einsatz. Die IEEE hat nun eine Roadmap für die Technologie vorgestellt. mehr...

X-FAB will eine steigende Nachfrage nach SiC-Halbleitern befriedigen.
Branchenmeldungen-Neues Epitaxie-Toolset

X-FAB erweitert seine Produktions-Kapazitäten bei SiC

19.03.2020- NewsX-FAB bietet eine Großserienfertigung von SiC-Halbleitern an, um somit einen schnell wachsenden Bedarf zu decken. mehr...

Prof. Leo Lorenz von Infineon
Leistungselektronik-Neue Testvorschriften für Leistungshalbleiter

Wo die Probleme beim Langzeiteinsatz von SiC und GaN liegen

10.02.2020- NewsWide-Bandgap-Halbleiter wie SiC und GaN bieten viele Vorteile im E-Auto, dennoch ist die Branche äußerst zurückhaltend bei ihrem Einsatz. Prof. Leo Lorenz von Infineon erklärt, wo das wirkliche Problem beim Langzeiteinsatz liegt. mehr...

Auch 2020 stehen Wide-Bandgap-Halbleiter, Energiespeicher und die Elektromobilität im Zentrum der PCIM
Leistungselektronik-Schwerpunkte der Leistungselektronikmesse 2020

PCIM legt Fokus auf Elektromobilität, Batterien und WBG-Halbleiter

10.02.2020- News2020 zählen Batterien für Elektrofahrzeuge und stationäre Energiespeicher, Wide-Bandgap-Halbleiter sowie 3D-druckbare Komponenten zu den Schwerpunkten der Leistungselektronik-Fachmesse PCIM und der begleitenden Konferenz in Nürnberg (5. bis 7. Mai). mehr...

Rohm liefert SiC-Wafer an ST Microelectronics
Branchenmeldungen-Mehrjähriger Liefervertrag

Für 120 Millionen Dollar: Si Crystal liefert SiC-Wafer an ST

15.01.2020- NewsSi Crystal, ein Tochterunternehmen der Rohm Group, hat ein mehrjähriges Lieferabkommen für Siliziumkarbid-Wafer mit ST Microelectronics vereinbart. Die Partner wollen zu einer weiteren Verbreitung von SiC in der Industrie und in der Automobilbranche beitragen. mehr...

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Christian André, Chairman ROHM Europe
Personen-Interview mit Christian André, Chairman ROHM Europe

Rohm will Investitionen in SiC erhöhen

12.12.2019- Sponsored PostWie sieht die Zukunft der Leistungselektronik bei ROHM aus? Christian André, Chairman bei ROHM Semiconductor Europe und Chairman of the Board der Si-Crystal AG, gibt Einblicke in die Pläne des Unternehmens. mehr...

SiC-FETs
Leistungselektronik-Leistungsverluste minimieren

United-SiC entwickelt SiC-FETs mit einem RDS(on) unter 10 Milliohm

11.12.2019- ProduktberichtUnited-SiC stellt vier neue SiC-FETs (Siliziumkarbid-Feldeffekttransistoren) mit RDS(on)-Werten bis zu einem Minimum von 7 Milliohm vor. mehr...

Topstory
Leistungselektronik-Mehr als hohe Schaltfrequenzen

Das sind die Einsatzgebiete von Cool-SiC-MOSFETs

26.11.2019- FachartikelViele Anwender bringen Cool-SiC-MOSFETs tendenziell mit hohen Schaltfrequenzen in Verbindung. Tatsächlich ist die Palette möglicher Einsatzgebiete für die Technologie jedoch viel breiter. mehr...

Cree und ABB kooperieren im Bereich Siliziumkarbid
Automotive-Elektromobilität

ABB und Cree kooperieren bei Siliziumkarbid-Anwendungen

18.11.2019- NewsDie Halbleiter auf Siliziumkarbidbasis von Cree werden in das Portfolio von ABB integriert. Auf diese Weise will der Stromnetzbereich seinen Einstieg in den Elektrombilitätssektor beschleunigen. mehr...

Mit SiC-MOSFETs kann die Energieeffizienz von Antrieben gesteigert werden
Leistungselektronik-Energieeffizienz industrieller Antriebe mit SiC-MOSFETs steigern

Wechselrichter: Leistungsvergleich von Si-IGBT und SiC-MOSFET

07.11.2019- FachartikelDie Energieeffizienz von industriellen Antrieben hat einen hohen Stellenwert. Halbleiterhersteller versuchen deshalb, die Leistungsfähigkeit der Leistungsbausteine in den Umrichterstufen zu steigern. Eine Lösung sind SiC-MOSFETs. mehr...

SiC-Halbleiter von Bosch
Branchenmeldungen-Von chinesischen EV-Herstellern bis zum Bosch-Halbleiterwerk

Die Top 10 der Artikel auf all-electronics im Oktober 2019

25.10.2019- BildergalerieWelche Artikel von all-electronics.de im Oktober 2019 das größte Interesse der Nutzer gefunden haben, zeigt unsere Bildergalerie. Klicken Sie sich durch die Highlights. mehr...

Rohm sic mosfet
Aktive Bauelemente-Nennspannung von 650 V oder 1200 V

Rohm: SiC-MOSFETs im 4-Pin-TO-247-4L-Gehäuse

11.10.2019- ProduktberichtROHM bietet mit der SCT3xxx xR-Serie sechs SiC-MOSFETs (650V/1200V) mit Trench-Gate-Struktur an. mehr...

SiC bietet im Vergleich zu Silizium eine höhere elektrische Leitfähigkeit und ermöglicht so höhere Schaltgeschwindigkeiten in der Leistungselektronik.
Automotive-Geringeres Gewicht, mehr Effizienz

E-Mobilität: SiC-Halbleiter von Bosch erhöhen die Reichweite

07.10.2019- NewsIn seinem Werk in Reutlingen fertigt Bosch nun auch ICs auf Basis des Wide-Bandgap-Halbleiters Siliziumkarbid (SiC). Das Material bringt bei Schaltgeschwindigkeit, Wärmeverlusten und Baugröße viele Vorteile in der Elektromobilität. mehr...

Eingebettetes Silizium-Carbid
Branchenmeldungen-Projekt Sic Modul

So soll Silizium-Carbid in die Serienproduktion gelangen

01.10.2019- NewsForscher des Fraunhofer-Instituts für Zuverlässigkeit und Mikrointegration IZM wollen Halbleiter aus Silizium-Carbid in die Serienproduktion überführen. Diese könnten die Effizienz von Antriebssystemen in Elektrofahrzeugen erhöhen. mehr...

Das Easy 1B integriert eine Viererpack-Topologie für die DC/DC-Stufe der EV-Ladestation.
Automotive-Für Ladestationen und USV

Easy-Pack-Module mit SiC-MOSFETs von Infineon

26.09.2019- ProduktberichtInfineon hat mit dem Easy 1B (F4-23MR12W1M1 B11) und dem Easy 2B (F3L15MR12W2M1 B69) zwei Easy-Pack-Module der 1200-V-Familie für Ladestationen und USV auf den Markt gebracht. mehr...

Bild 1: Das OBC-Design mit einem im Bereich 500 bis 840 V variablen Zwischenkreis basiert auf 1200-V-SiC-MOSFETs.
Automotive-Referenzdesign eines bidirektionalen OBC

SiC-MOSFET erhöht Leistungsdichte und Effizienz im On-Board Charger

09.09.2019- FachartikelElektrofahrzeuge (EV) lassen sich zur Ergänzung des Stromnetzes (V2G) einsetzen. Folglich geht der Entwicklungstrend beim On-Board Charger in Richtung eines bidirektionalen Betriebs. mehr...

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