SiC

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "SiC".
Bild 3: Der anfängliche strategische Weg zur Elektrifizierung von Fahrzeugen wurde durch mehrere einzelne Anlässe beschleunigt.
Automotive-Synergien aus Ladelösungen und erneuerbaren Energien

Wie ebnen die EV-/HEV-Trends der Leistungselektronik den Weg?

25.11.2020- FachartikelDer rasch wachsende Markt für Leistungselektronik im EV-/HEV-Bereich zieht das Interesse unterschiedlicher Player der Lieferkette an. Mit einem starken Fokus auf Leistungsmodule sind Veränderungen an Geschäftsmodellen und eine Neuaufstellung der Lieferkette zu erwarten. mehr...

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Automotive-Die emobility tec 4/2020 ist erschienen

E-Mobility-Highlights: SiC, Batterien, Software, Test und Materialien

28.10.2020- NewsAuch als E-Paper und in der all-electronics-App: Die Ausgabe 4/2020 der emobility tec widmet sich neben den Bauelementen diesmal intensiv dBearbeiten Datum und Uhrzeit änderner Lithium-Ionen-Batterie und wirft einen Blick auf Software und Materialien. mehr...

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Automotive-Mehr Leistungsdichte, höherer Wirkungsgrad

DC-Ladestation für die Garage: Schnelles Laden auf SiC-Basis

26.10.2020- FachartikelDC-Schnellladestationen sind hauptsächlich im öffentlichen Raum zu finden. Mit der DC-Wallbox gibt es nun eine leistungsstarke Lademöglichkeit für Zuhause, deren Effizienz durch die Verwendung von SiC-Halbleitern gesteigert wird. mehr...

der digitale Zwilling wird auch beim Schaltznetz-Design wichtiger
Branchenmeldungen-Digitaler Zwilling

Keysight und Rohm ermöglichen Pre-Compliance-Analysen des SMPS von SiC-Bauelementen

14.10.2020- NewsDie Partner haben einen digitalen Zwilling erzeugt, mit dem Entwickler Pre-Compliance-Analysen des Schaltnetz-Designs (SMPS) von SiC-Leistungsbauelementen vornehmen können. mehr...

Mouser Electronics wird Distributor für SemiQ.
Distribution-Siliziumkarbid-Halbleiter

Mouser Electronics wird Distributor von SemiQ

13.10.2020- NewsSemiQ entwickelt Siliziumkarbid-(SiC-)Halbleiter als Grundlage für Leistungselektronik im Energieversorgungsbereich weiter. Mouser wird künftig eine Reihe von SiC-Schottky-Dioden und -MOSFETs des Unternehmens anbieten mehr...

Die Ausgabe 9/10 der Automobil-Elektronik ist erschienen
Branchenmeldungen-Als E-Paper und per all-electronics-App erhältlich

Das steht in der AUTOMOBIL-ELEKTRONIK 9-10/2020

01.10.2020- NewsWarum Rohm massiv in die Siliziumkarbid-Technologie investiert und welche Probleme SiC löst, erläutert der Chairman von Rohm Semiconductor Europe, Christian André, im Titelinterview der AUTOMOBIL-ELEKTRONIK 9-10. Diese Ausgabe ist jetzt auch als E-Paper und per all-electronics-App erhältlich. mehr...

Christian André (links) im Interview mit AUTOMOBIL-ELEKTRONIK-Chefredakteur Alfred Vollmer)
Automotive-Interview mit dem Chairman von Rohm Semiconductor Europe

Christian André, Rohm: SiC löst viele Probleme

29.09.2020- FachartikelDer Bauelementehersteller Rohm hat sich vom Anbieter von Widerständen zu einem großen Halbleiterhersteller entwickelt, der auch passive Bauelemente fertigt. Jetzt steht mit dem stärkeren Fokus auf Leistungselektronik eine weitere Veränderung an. AUTOMOBIL-ELEKTRONIK hat sich bei Christian André, Chairman von Rohm Semiconductor Europe, nach den Details auch jenseits der E-Mobilität erkundigt. mehr...

Messaufbau des Design-Tests von Traco Power.
Stromversorgungen-Potenziale voll ausnutzen

Mit GaN-Transistoren hohe Wirkungsgrade in Netzteilen erzielen

23.07.2020- FachartikelMit Wide-Bandgap-Halbleitertechnologien lassen sich enorm kurze Schaltzeiten erreichen. Das führt zu verschiedenen Vorteilen. Allerdings müssen Entwickler bei der Verwendung solcher Bauteile einige Dinge beachten. mehr...

Rohm und Leadrive eröffnen ein gemeinsames Labor zur Entwicklung von SiC-Wechselrichtern.
Branchenmeldungen-Neues Forschungslabor in Shanghai

Rohm und Leadrive entwickeln SiC-basierte Wechselrichter

09.07.2020- NewsDer chinesische Hersteller von Antriebssträngen für Fahrzeuge mit alternativem Antrieb und der Halbleiterhersteller werden in einem neuen Forschungslabor in Shanghai Fahrzeugleistungsmodule und -umrichter auf SiC-Basis entwickeln. mehr...

Im Vergleich zur Vorgängerversion ist der Einschaltwiderstand der SiC-MOSFETs der 4. Generation von Rohm um 40 Prozent niedriger.
Branchenmeldungen-Für Elektrofahrzeuge und Industrieanlagen

Rohm: SiC-MOSFETs der 4. Generation senken RDS(on) um 40 Prozent

19.06.2020- NewsDie SiC-MOSFETs der vierten Generation für 1200 V von Rohm sind für Automobil-Antriebsstränge, einschließlich des Hauptantriebs-Wechselrichters, sowie für Stromversorgungen in Industrieanlagen ausgelegt. mehr...

Bild 1: Um einen Normally-OFF-Betrieb zu erlauben, sind die SiC-JFETs und ein Si-MOSFET als Kaskode in Reihe geschaltet. Der MOSFET-Chip ist physikalisch auf dem JFET-Source-Pad gestapelt.
Automotive-Wide-Bandgap-Halbleiter im E-Auto

Wie Siliziumkarbid der Elektromobilität den Weg ebnet

12.06.2020- FachartikelDie Nachfrage nach Elektroautos ist riesig. Aber die Technologieentwicklung steht vor großen Herausforderungen. Effizientere Antriebsstränge mit Siliziumkarbid-Halbleitern sind ein Weg zu weiteren Fortschritten. mehr...

Bild 2: Relevante Gehäuse für durchkontaktierte und oberflächenmontierte Bauelemente für Leistungshalbleiter in Kraftfahrzeugen.
Automotive-Spannungsfeld Leistung, Robustheit und Kosten

Leistungshalbleiter-Technologien für die Elektromobilität

09.06.2020- FachartikelBei Elektroantrieben gilt es, die Systeme so effizient wie möglich zu gestalten. Dabei spielt die Leistungselektronik eine entscheidende Rolle, denn mit einem Anteil von rund 20 Prozent trägt sie erheblich zum elektrischen Gesamtverlust bei. Dabei ist zu beachten, dass die Wahl der Leistungshalbleiter immer ein Kompromiss zwischen Leistung, Robustheit und Kosten ist. mehr...

Vitesco arbeitet bei SiC-Leistungshalbleitern mit Rohm zusammen.
Branchenmeldungen-Höhere Reichweite von EV angestrebt

Vitesco nutzt Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter von Rohm

04.06.2020- NewsDie Antriebssparte von Continental und Rohm Semiconductor sind eine Entwicklungspartnerschaft eingegangen. Vitesco will die SiC-Bausteine nutzen, um die Effizienz seiner Leistungselektronik für Elektrofahrzeuge zu steigern. mehr...

Der eingebaute Gate-Treiber enthält drei isolierte On-Board-Stromversorgungen (eine pro Phase) mit einer Leistung von jeweils bis zu 5 W pro Phase
Automotive-IPM-Technologie für die E-Mobilität

Cissoid stellt SiC-MOSFETs für intelligente Leistungsmodule vor

22.05.2020- ProduktberichtCissoid kündigt seine neue 3-Phasen-SiC-MOSFET-Plattform für intelligente Leistungsmodule (IPM) für die E-Mobilität an. mehr...

Die Gate-Treiber-Platine CMT-TIT0697 wurde von Cissoid für die direkte Montage auf SiC-MOSFET-Leistungsmodule des Typs CAB450M12XM3 von Wolfspeed entwickelt.
Leistungselektronik-Für die XM3-SiC-Module von Wolfspeed

Cissoid liefert robuste Gate-Treiber für SiC-Leistungsmodule

06.04.2020- ProduktberichtCissoid, Lieferant von Hochtemperatur-Halbleitern, stellt robuste Gate-Treiber für die XM3-SiC-MOSFET-Leistungsmodule von Wolfspeed vor. mehr...

Die SBD-Module mit 700, 1200 und 1700 V basieren auf der neuesten Generation von SiC-ICs, die zuverlässige, robuste und dauerstabile Anwendungen ermöglichen.
Leistungselektronik-Module mit 700, 1200 und 1700 V

Microchip erweitert Angebot an Siliziumkarbid-Leistungsmodulen

01.04.2020- NewsMicrochip hat sein Angebot an Siliziumkarbid-Leistungsmodulen (SiC) um Varianten mit 700, 1200 und 1700 V erweitert, die weniger Wärmeentwicklung verursachen und einen kleineren Footprint haben. mehr...

Wegen Corona: ZF erklärt Details zur Kurzarbeit in der Branche
Branchenmeldungen-Von der Entwicklung von Beatmungsgeräten bis zu Kurzarbeit bei ZF

Die Top 10 der Artikel auf all-electronics im März 2020

01.04.2020- BildergalerieWelche Artikel auf all-electronics.de die Leser im März 2020 am meisten interessiert haben, zeigen folgende Bilder. Klicken Sie sich rein und lesen Sie die erfolgreichen Beiträge. mehr...

Si-Leistungs-MOSFETs und SiC-MOSFETs weisen eine vertikale Struktur auf, GaN-HEMTs eine laterale.
Leistungselektronik-Si oder Wide-Bandgap?

SiC, GaN, Si: Wann Silizium in Schaltnetzteilen die bessere Wahl ist

01.04.2020- FachartikelDamit Vorteile von Wide-Bandgap-Bauelementen wie SiC und GaN in Schaltnetzteilen auch zum Tragen kommen, braucht es mehr als nur Silizium zu ersetzen –  manchmal ist Si auch die bessere Wahl. mehr...

Der C3M0015065D ist einer von fünf vorgestellten Siliziumkarbid-MOSFETs und hat einen Einschaltwiderstand von 15 mΩ.
Leistungselektronik-Für Elektrofahrzeuge, Datenzentren und Solaranwendungen

Cree stellt Siliziumkarbid-MOSFETs mit 650 V vor

31.03.2020- ProduktberichtCree erweitert sein Angebot an MOSFETs auf Sililziumkarbid-Basis (SiC) um eine Variante für 650 V. Zum Einsatz kommt das Bauelement in Elektrofahrzeugen, Datenzentren und Solaranwendungen. mehr...

Die IEEE hat einen strategische Roadmap für Wide-Bandgap-Halbleiter wie Siliziumkarbid und Galliumnitrid vorgestellt
Leistungselektronik-Wegweiser für SiC und GaN

IEEE stellt strategische Roadmap für Wide-Bandgap-Halbleiter vor

27.03.2020- NewsImmer mehr Wide-Bandgap-Bauelemente basierend auf Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) kommen in der Leistungselektronik zum Einsatz. Die IEEE hat nun eine Roadmap für die Technologie vorgestellt. mehr...

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