SiC

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "SiC".
Rohm und Leadrive eröffnen ein gemeinsames Labor zur Entwicklung von SiC-Wechselrichtern.
Branchenmeldungen-Neues Forschungslabor in Shanghai

Rohm und Leadrive entwickeln SiC-basierte Wechselrichter

09.07.2020- NewsDer chinesische Hersteller von Antriebssträngen für Fahrzeuge mit alternativem Antrieb und der Halbleiterhersteller werden in einem neuen Forschungslabor in Shanghai Fahrzeugleistungsmodule und -umrichter auf SiC-Basis entwickeln. mehr...

Im Vergleich zur Vorgängerversion ist der Einschaltwiderstand der SiC-MOSFETs der 4. Generation von Rohm um 40 Prozent niedriger.
Branchenmeldungen-Für Elektrofahrzeuge und Industrieanlagen

Rohm: SiC-MOSFETs der 4. Generation senken RDS(on) um 40 Prozent

19.06.2020- NewsDie SiC-MOSFETs der vierten Generation für 1200 V von Rohm sind für Automobil-Antriebsstränge, einschließlich des Hauptantriebs-Wechselrichters, sowie für Stromversorgungen in Industrieanlagen ausgelegt. mehr...

Bild 1: Um einen Normally-OFF-Betrieb zu erlauben, sind die SiC-JFETs und ein Si-MOSFET als Kaskode in Reihe geschaltet. Der MOSFET-Chip ist physikalisch auf dem JFET-Source-Pad gestapelt.
Automotive-Wide-Bandgap-Halbleiter im E-Auto

Wie Siliziumkarbid der Elektromobilität den Weg ebnet

12.06.2020- FachartikelDie Nachfrage nach Elektroautos ist riesig. Aber die Technologieentwicklung steht vor großen Herausforderungen. Effizientere Antriebsstränge mit Siliziumkarbid-Halbleitern sind ein Weg zu weiteren Fortschritten. mehr...

Bild 2: Relevante Gehäuse für durchkontaktierte und oberflächenmontierte Bauelemente für Leistungshalbleiter in Kraftfahrzeugen.
Automotive-Spannungsfeld Leistung, Robustheit und Kosten

Leistungshalbleiter-Technologien für die Elektromobilität

09.06.2020- FachartikelBei Elektroantrieben gilt es, die Systeme so effizient wie möglich zu gestalten. Dabei spielt die Leistungselektronik eine entscheidende Rolle, denn mit einem Anteil von rund 20 Prozent trägt sie erheblich zum elektrischen Gesamtverlust bei. Dabei ist zu beachten, dass die Wahl der Leistungshalbleiter immer ein Kompromiss zwischen Leistung, Robustheit und Kosten ist. mehr...

Vitesco arbeitet bei SiC-Leistungshalbleitern mit Rohm zusammen.
Branchenmeldungen-Höhere Reichweite von EV angestrebt

Vitesco nutzt Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter von Rohm

04.06.2020- NewsDie Antriebssparte von Continental und Rohm Semiconductor sind eine Entwicklungspartnerschaft eingegangen. Vitesco will die SiC-Bausteine nutzen, um die Effizienz seiner Leistungselektronik für Elektrofahrzeuge zu steigern. mehr...

Der eingebaute Gate-Treiber enthält drei isolierte On-Board-Stromversorgungen (eine pro Phase) mit einer Leistung von jeweils bis zu 5 W pro Phase
Automotive-IPM-Technologie für die E-Mobilität

Cissoid stellt SiC-MOSFETs für intelligente Leistungsmodule vor

22.05.2020- ProduktberichtCissoid kündigt seine neue 3-Phasen-SiC-MOSFET-Plattform für intelligente Leistungsmodule (IPM) für die E-Mobilität an. mehr...

Die Gate-Treiber-Platine CMT-TIT0697 wurde von Cissoid für die direkte Montage auf SiC-MOSFET-Leistungsmodule des Typs CAB450M12XM3 von Wolfspeed entwickelt.
Leistungselektronik-Für die XM3-SiC-Module von Wolfspeed

Cissoid liefert robuste Gate-Treiber für SiC-Leistungsmodule

06.04.2020- ProduktberichtCissoid, Lieferant von Hochtemperatur-Halbleitern, stellt robuste Gate-Treiber für die XM3-SiC-MOSFET-Leistungsmodule von Wolfspeed vor. mehr...

Die SBD-Module mit 700, 1200 und 1700 V basieren auf der neuesten Generation von SiC-ICs, die zuverlässige, robuste und dauerstabile Anwendungen ermöglichen.
Leistungselektronik-Module mit 700, 1200 und 1700 V

Microchip erweitert Angebot an Siliziumkarbid-Leistungsmodulen

01.04.2020- NewsMicrochip hat sein Angebot an Siliziumkarbid-Leistungsmodulen (SiC) um Varianten mit 700, 1200 und 1700 V erweitert, die weniger Wärmeentwicklung verursachen und einen kleineren Footprint haben. mehr...

Wegen Corona: ZF erklärt Details zur Kurzarbeit in der Branche
Branchenmeldungen-Von der Entwicklung von Beatmungsgeräten bis zu Kurzarbeit bei ZF

Die Top 10 der Artikel auf all-electronics im März 2020

01.04.2020- BildergalerieWelche Artikel auf all-electronics.de die Leser im März 2020 am meisten interessiert haben, zeigen folgende Bilder. Klicken Sie sich rein und lesen Sie die erfolgreichen Beiträge. mehr...

Si-Leistungs-MOSFETs und SiC-MOSFETs weisen eine vertikale Struktur auf, GaN-HEMTs eine laterale.
Leistungselektronik-Si oder Wide-Bandgap?

SiC, GaN, Si: Wann Silizium in Schaltnetzteilen die bessere Wahl ist

01.04.2020- FachartikelDamit Vorteile von Wide-Bandgap-Bauelementen wie SiC und GaN in Schaltnetzteilen auch zum Tragen kommen, braucht es mehr als nur Silizium zu ersetzen –  manchmal ist Si auch die bessere Wahl. mehr...

Der C3M0015065D ist einer von fünf vorgestellten Siliziumkarbid-MOSFETs und hat einen Einschaltwiderstand von 15 mΩ.
Leistungselektronik-Für Elektrofahrzeuge, Datenzentren und Solaranwendungen

Cree stellt Siliziumkarbid-MOSFETs mit 650 V vor

31.03.2020- ProduktberichtCree erweitert sein Angebot an MOSFETs auf Sililziumkarbid-Basis (SiC) um eine Variante für 650 V. Zum Einsatz kommt das Bauelement in Elektrofahrzeugen, Datenzentren und Solaranwendungen. mehr...

Die IEEE hat einen strategische Roadmap für Wide-Bandgap-Halbleiter wie Siliziumkarbid und Galliumnitrid vorgestellt
Leistungselektronik-Wegweiser für SiC und GaN

IEEE stellt strategische Roadmap für Wide-Bandgap-Halbleiter vor

27.03.2020- NewsImmer mehr Wide-Bandgap-Bauelemente basierend auf Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) kommen in der Leistungselektronik zum Einsatz. Die IEEE hat nun eine Roadmap für die Technologie vorgestellt. mehr...

X-FAB will eine steigende Nachfrage nach SiC-Halbleitern befriedigen.
Branchenmeldungen-Neues Epitaxie-Toolset

X-FAB erweitert seine Produktions-Kapazitäten bei SiC

19.03.2020- NewsX-FAB bietet eine Großserienfertigung von SiC-Halbleitern an, um somit einen schnell wachsenden Bedarf zu decken. mehr...

Prof. Leo Lorenz von Infineon
Leistungselektronik-Neue Testvorschriften für Leistungshalbleiter

Wo die Probleme beim Langzeiteinsatz von SiC und GaN liegen

10.02.2020- NewsWide-Bandgap-Halbleiter wie SiC und GaN bieten viele Vorteile im E-Auto, dennoch ist die Branche äußerst zurückhaltend bei ihrem Einsatz. Prof. Leo Lorenz von Infineon erklärt, wo das wirkliche Problem beim Langzeiteinsatz liegt. mehr...

Auch 2020 stehen Wide-Bandgap-Halbleiter, Energiespeicher und die Elektromobilität im Zentrum der PCIM
Leistungselektronik-Schwerpunkte der Leistungselektronikmesse 2020

PCIM legt Fokus auf Elektromobilität, Batterien und WBG-Halbleiter

10.02.2020- News2020 zählen Batterien für Elektrofahrzeuge und stationäre Energiespeicher, Wide-Bandgap-Halbleiter sowie 3D-druckbare Komponenten zu den Schwerpunkten der Leistungselektronik-Fachmesse PCIM und der begleitenden Konferenz in Nürnberg (5. bis 7. Mai). mehr...

Rohm liefert SiC-Wafer an ST Microelectronics
Branchenmeldungen-Mehrjähriger Liefervertrag

Für 120 Millionen Dollar: Si Crystal liefert SiC-Wafer an ST

15.01.2020- NewsSi Crystal, ein Tochterunternehmen der Rohm Group, hat ein mehrjähriges Lieferabkommen für Siliziumkarbid-Wafer mit ST Microelectronics vereinbart. Die Partner wollen zu einer weiteren Verbreitung von SiC in der Industrie und in der Automobilbranche beitragen. mehr...

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Christian André, Chairman ROHM Europe
Personen-Interview mit Christian André, Chairman ROHM Europe

Rohm will Investitionen in SiC erhöhen

12.12.2019- Sponsored PostWie sieht die Zukunft der Leistungselektronik bei ROHM aus? Christian André, Chairman bei ROHM Semiconductor Europe und Chairman of the Board der Si-Crystal AG, gibt Einblicke in die Pläne des Unternehmens. mehr...

SiC-FETs
Leistungselektronik-Leistungsverluste minimieren

United-SiC entwickelt SiC-FETs mit einem RDS(on) unter 10 Milliohm

11.12.2019- ProduktberichtUnited-SiC stellt vier neue SiC-FETs (Siliziumkarbid-Feldeffekttransistoren) mit RDS(on)-Werten bis zu einem Minimum von 7 Milliohm vor. mehr...

Topstory
Leistungselektronik-Mehr als hohe Schaltfrequenzen

Das sind die Einsatzgebiete von Cool-SiC-MOSFETs

26.11.2019- FachartikelViele Anwender bringen Cool-SiC-MOSFETs tendenziell mit hohen Schaltfrequenzen in Verbindung. Tatsächlich ist die Palette möglicher Einsatzgebiete für die Technologie jedoch viel breiter. mehr...

Cree und ABB kooperieren im Bereich Siliziumkarbid
Automotive-Elektromobilität

ABB und Cree kooperieren bei Siliziumkarbid-Anwendungen

18.11.2019- NewsDie Halbleiter auf Siliziumkarbidbasis von Cree werden in das Portfolio von ABB integriert. Auf diese Weise will der Stromnetzbereich seinen Einstieg in den Elektrombilitätssektor beschleunigen. mehr...

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