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SiC

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "SiC".
Hauptaugenmerk des Liefervertrags für Wafer von Wolfspeed liegt auf dem Automotive-Markt.
Branchenmeldungen-Langfristiger Liefervertrag für 150-mm-SiC-Wafer

Cree und ST Microelectronics schließen Wafer-Deal

09.01.2019- NewsFür mehrere Jahre soll Cree SiC-Wafer im Wert von 250 Millionen US-Dollar an ST Microelectronics liefern, die dadurch ihr Automotive- und Industrialgeschäft ausbauen wollen. Bereits 2018 konnte Cree einen Halbleiterhersteller für sich gewinnen. mehr...

Bild 1: Der verschachtelte 60-kW-Aufwärtswandler von Wolfspeed mit 4 Treiber-Boards arbeitet mit einem SiC-MOSFET (1200 V, 75 mΩ).
Stromversorgungen-Haltbarkeit trotz Feuchtigkeit

TBH-80 eignet sich für reelle Prüfung von SiC-Bauelementen für Solarwechselrichter

09.01.2019- FachartikelIngenieure, die Hochspannungs- und Hochfrequenz-Solarwechselrichter entwerfen, sehen sich mit einem Problem bei der Systementwicklung konfrontiert: Wie lassen sich die gewünschte Leistungsdichte als auch die Haltbarkeit bei feuchten Außenumgebungen erzielen? Der Beitrag zeigt, wie verbesserte SiC-MOSFETs und -Dioden es ermöglichen, die Vorteile des Wide-Bandgap-Halbleiters auch unter extremen Umgebungsbedingungen zu nutzen. mehr...

Topilogie eines 3-Phasen-Traktionsinverters.
Automotive-Ein Fall für effiziente und wärmetolerante Wide-Bandgap-Halbleiter

Neue SiC-Hochspannungskomponenten für Elektrofahrzeuge

06.12.2018- Application NoteIn einem Whitepaper diskutiert TI die Vorteile von SiC-Breitbandhalbleitern in den zwei Subsystemen Onboard-Ladegerät (OBC) und Traktionswechselrichter. mehr...

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Leistungselektronik-Leistungselektronik im E-Fahrzeug

Isolierte Treiber für Schaltanwendungen der Elektromobilität

04.12.2018- FachartikelLeistungselektronik-Komponenten im Automobilbereich erfordern eine hohe Zuverlässigkeit und hohe Leistungen beim Laden verlangen einen hohen Wirkungsgrad im gesamten Antriebsstrang. Der Beitrag beschreibt, was optimierte SiC-, MOSFET- und IGBT-Treiber sowie robuste Kommunikationstechnologien leisten können, um die Systemlebensdauer zu verlängern. mehr...

Der SiC-MOSFET LSIC1MO170E1000 von Littelfuse punktet mit niedriger Gate-Ladung und kleiner Output-Kapazität.
Leistungselektronik-Für EV, HEVs, Datencenter und Stromversorgungen

SiC-MOSFET für effiziente Hochfrequenzanwendungen

30.10.2018- ProduktberichtLittelfuse stellt mit dem LSIC1MO170E1000 einen SiC-MOSFET mit 1700 V und 1 Ω vor, der das Portfolio an 1200-SiC-MOSFETs und Schottky-Dioden ergänzt. mehr...

Rohm Semiconductor präsentiert am Stand die aktuellsten SiC-Powermodule für Automotive- und Industrieanwendungen und sein Engagement für die Formel E.
Leistungselektronik-Für Automotive und Industrial

Full-SiC-Powermodule und Gate-Driver-ICs

30.10.2018- ProduktberichtRohm Semiconductor präsentiert Lösungen für das Power- und Energiemanagement im Automotive- und Industriebereich und zeigt sein Engagement in der elektrischen Rennserie Formel E. mehr...

Im Bereich der Automobilelektronik zeigt ON Lösungen für Radar, Lidar und autonomes Fahren.
Automotive-Energieeffiziente Halbleiterlösungen

Neuerungen bei Automobilelektronik, Leistungswandlung und IoT

30.10.2018- ProduktberichtON Semiconductor zeigt an seinem 400 m² großen Stand Produkte und Demos aus den aufstrebenden Märkten Automobil, Leistungstungswandlung und IoT und ist mit Präsentationen auf der Automotive Conference vertreten. mehr...

Bild 1: SiC-JFET mit vertikaler Trench-Zelle, der im Vergleich zu einer lateralen GaN-HEMT-Zelle (High Electron Mobility Transistor) einen sehr geringen Durchlasswiderstand aufweist.
Leistungselektronik-Ein starkes Gespann in der Leistungselektronik

Kaskodenbausteine aus Si-MOSFET und SiC-JFET

09.08.2018- FachartikelWenn die physikalischen Eigenschaften einzelner Halbleiterwerkstoffe den schaltungstechnischen Anforderungen nicht genügen, kann eine Kombination wie die Kaskode aus Si-MOSFET und SiC-JFET die optimale Lösung für Hochleistungsanwendungen sein. United SiC erörtert die Problemsituation und stellt einen passenden Kaskodenbaustein vor. mehr...

Bild 4: Treiberkonzept mit De-Sat-Überwachung. Für einen ströungsfreien Betrieb ist es hier notwendig, die Schaltflanke "auszublenden".
Leistungselektronik-Den Kurzschlussfall beherrschen

Gatetreiber für die Kurzschlussfestigkeit von SiC-MOSFETs auslegen

09.08.2018- FachartikelVerbesserte Materialeigenschaften von SiC-Leistungshalbleitern lassen sich vorteilhaft nutzen um die Geräteleistung zu steigern und durch Optimierungsmöglichkeiten im Gerätedesign die Systemkosten zu reduzieren. Doch bislang stand die Kurzschlussfestigkeit von SiC-MOSFETs in Frage. Aktuelle Untersuchungen zeigen, dass derzeitige Lösungen mit entsprechenden Gatetreibern eine ausreichende Robustheit zur Verfügung stellen. mehr...

Typischer Aufbau einer SiC- und einer GaN-JFET-Zelle von United-SiC.
Stromversorgungen-Direkter Austausch möglich

1200-V-SiC-FETs als Ersatz für IGBTs und MOSFETs

26.06.2018- ProduktberichtAufgrund hoher Nennspannnung und geringem Durchlasswiderstand können SiC-JFET-Kaskoden von United SiC IGBTs und MOSFETs ersetzen. Design-Upgrades sind so einfacher möglich. mehr...

Rohm
Leistungselektronik-Leistungshalbleiter

Rohm kooperiert zu GaN und baut SiC-Produktionskapazitäten aus

05.06.2018- NewsMehrere Neuigkeiten bei Rohm: Der Leistungshalbleiteranbieter plant zum einen eine Zusammenarbeit mit GaN Systems zur Entwicklung von Galliumnitrid-basierter (GaN) Leistungselektronik. Auf der anderen Seite sollen im japanischen Chikugo die Kapazitäten für die Produktion von SiC-Power-Bauteilen erweitert werden. mehr...

Bild 1: Mit WBG-Halbleitern werden leistungselektronische Systeme effizienter und sorgen damit für Fortschritte im Transportwesen sowie in der Energie- und Kommunikationsbranche.
Leistungselektronik-Wide-Bandgap-Bauteile besser verstehen

Herausforderungen bei parametrischen Messungen an WBG-Halbleitern

09.05.2018- FachartikelHalbleiterbauelemente auf der Basis von Materialien mit großer Bandlücke versprechen höhere Energieeffizienz, Sicherheit und Zuverlässigkeit in einsatzkritischen Anwendungen – deshalb wächst die Nachfrage danach beständig. Für ein besseres Verständnis des Verhaltens dieser Bauteile ist eine umfassende Charakterisierung sowohl der Fertigungsprozesse als auch der Bauteilarchitekturen notwendig. mehr...

Bild 3: PM-Kern mit drei Luftspalten. Der zweite und dritte Spalt wird durch das symmetrische Gegenstück gebildet.
Passive Bauelemente-Effizienz – jedes Zehntelprozent zählt

Materialien und Designs für passive Bauelemente in Stromversorgungen

08.05.2018- FachartikelDie Effizienzsteigerung ist neben der Miniaturisierung das wichtigste Entwicklungsziel beim Design von Stromversorgungen – jedes Zehntelprozent zählt. Neben den Leitungshalbleitern sind es die passiven Bauelemente und hier vor allem Ferritkerne und Kondensatoren, die für den Wirkungsgrad entscheidend sind. Der Beitrag beschreibt ein neues Ferritmaterial, verbesserte Kern-Geometrien sowie aktuelle Designs für Kondensatoren. mehr...

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Leistungselektronik-Q-Speed-Dioden optimieren Schaltnetzteile

Mit PIN-Schottky-Hybrid-Dioden SiC-Parameter erreichen

07.05.2018- FachartikelWide-Band-Halbleiter wie Siliziumkarbid und Galliumnitrid können die Leistungselektronik effizienter gestalten, sie sind aktuell jedoch noch teurer als die weitverbreiteten Siliziumbauteile. Wenn es um die Optimierung von Gleichrichtern und die Korrektur des Leistungsfaktors (PFC) in Stromversorgungen geht, sind Q-Speed-Dioden als Hybrid aus PIN- und Schottky-Diode eine kostengünstige Alternative. mehr...

Das Power-Lab von Rohm Semiconductor in Willich-Münchheide soll Entwicklern leistungselektronischer Systeme technischen Support auf der Applikationsebene direkt vor Ort bieten.
Leistungselektronik-Technischer Support auf der Applikationsebene

Power-Lab unterstützt Entwickler beim Test von Leistungs-Komponenten

03.05.2018- FachartikelIn seinem europäischen Standort Willich-Münchheide bei Düsseldorf bietet Rohm Semiconductor in seinem Power-Lab umfangreichen Support und eine State-of-the-Art-Testumgebung für die Analyse von leistungselektronischen Komponenten. Das 300 m² große Labor soll dabei helfen, Produkte und Systeme einfacher ihrer Nutzung zuzuführen und an die Bedürfnisse und Anforderungen der Kunden anzupassen. mehr...

Bild 1: Der Markt für Leistungsgeräte wächst beständig, wobei die Fahrzeug-Elektrifizierung für einen massiven Schub sorgt.
Leistungselektronik-Strahlende Zukunft für Leistungselektronik

EV/HEV treibt Innovationen und Markt-Wachstum in der Leistungsbranche

02.05.2018- Fachartikel2017 ist der gesamte Markt für Leistungshalbleiter auf einen Wert von 32,4 Milliarden US-Dollar gewachsen. Kein System kann ohne Energie existieren und mit Zunahme innovativer Technologien ist es notwendig, die Evolution der Leistungshalbleiterbranche auf Kurs zu halten. Der Beitrag beleuchtet die Hauptursachen hinter diesem Marktwachstum und konzentriert sich dabei vor allem auf das EV/HEV-Segment – spielt es doch zunehmend eine Schlüsselrolle auf dem Markt für Leistungshalbleiter. mehr...

Aufmacher
Automotive-Halbleiter als Schlüssel für die mobile Zukunft

SiC, DNN, Lidar, Radar – Automotive-Highlights von der ISSCC 2018

12.04.2018- FachartikelDie ISSCC (International Solid-State Circuits Conference) bietet jährlich einen Überblick über die aktuellsten Innovationen und Strategien der Halbleiterindustrie. Im Beitrag stellen wir die Trends aus den Bereichen Leistungselektronik, Deep-Neural-Networks sowie Lidar und Radar für den Einsatz im Fahrzeug vor. mehr...

Siliziumkarbid-basierte (SiC) Halbleiter eignen sich für den Einsatz im Bereich der Leistungsumwandlung sowie in Elektrofahrzeugen.
Branchenmeldungen-Langfristiger, strategischer Liefervertrag

Cree liefert SiC-Wafer an Infineon

26.02.2018- NewsDie Vereinbarung zwischen Infineon und Cree sieht die Lieferung von 150-mm-SiC-Wafern vor. Damit will Infineon seine Aktivitäten in diversen Marktsegmenten wie etwa der Elektromobilität oder der Robotik ausbauen. mehr...

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Leistungselektronik-Vorteile von Wide-Bandgap-Halbleitern voll ausschöpfen

Design kompakter 250-kW-Dreiphasen-Wechselrichter mit SiC-MOSFETs

13.12.2017- FachartikelSowohl Entwicklung, Marktakzeptanz als auch die Anwendung von Leistungselektronik-Komponenten mit breiter Bandlücke wie SiC sind in den vergangenen Jahren rapide gewachsen. Merkmale wie hohe Elektrononenbeweglichkeiten, Sättigungsgeschwindigkeiten und Rückwärts-Durchschlagspannung lassen schnellere PWM-Schaltfrequenzen zu. Welche fundamentalen Änderungen am Systemdesign der Endanwendungsdesigner kennen muss, um vollständigen Nutzen aus den Vorteilen von SiC-Bauteilen ziehen zu können, beschreibt dieser Beitrag. mehr...

Leserfavoriten-im-September-2017
Branchenmeldungen-Leserfavoriten im September 2017

Von E-Achsen über elektronikaffine Schweizer bis zu kosmischem Beschuss

29.09.2017- BildergalerieUnsere Leser haben entschieden: Das sind die wichtigsten Neuigkeiten des Monats September 2017. In unserer Elektronik-Bildergalerie bringen wir die News und Highlights aus dem letzten Monat noch einmal auf den Punkt. mehr...

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