SiC

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "SiC".
Rohm sic mosfet
Aktive Bauelemente-Nennspannung von 650 V oder 1200 V

Rohm: SiC-MOSFETs im 4-Pin-TO-247-4L-Gehäuse

11.10.2019- ProduktberichtROHM bietet mit der SCT3xxx xR-Serie sechs SiC-MOSFETs (650V/1200V) mit Trench-Gate-Struktur an. mehr...

SiC bietet im Vergleich zu Silizium eine höhere elektrische Leitfähigkeit und ermöglicht so höhere Schaltgeschwindigkeiten in der Leistungselektronik.
Automotive-Geringeres Gewicht, mehr Effizienz

E-Mobilität: SiC-Halbleiter von Bosch erhöhen die Reichweite

07.10.2019- NewsIn seinem Werk in Reutlingen fertigt Bosch nun auch ICs auf Basis des Wide-Bandgap-Halbleiters Siliziumkarbid (SiC). Das Material bringt bei Schaltgeschwindigkeit, Wärmeverlusten und Baugröße viele Vorteile in der Elektromobilität. mehr...

Eingebettetes Silizium-Carbid
Branchenmeldungen-Projekt Sic Modul

So soll Silizium-Carbid in die Serienproduktion gelangen

01.10.2019- NewsForscher des Fraunhofer-Instituts für Zuverlässigkeit und Mikrointegration IZM wollen Halbleiter aus Silizium-Carbid in die Serienproduktion überführen. Diese könnten die Effizienz von Antriebssystemen in Elektrofahrzeugen erhöhen. mehr...

Das Easy 1B integriert eine Viererpack-Topologie für die DC/DC-Stufe der EV-Ladestation.
Automotive-Für Ladestationen und USV

Easy-Pack-Module mit SiC-MOSFETs von Infineon

26.09.2019- ProduktberichtInfineon hat mit dem Easy 1B (F4-23MR12W1M1 B11) und dem Easy 2B (F3L15MR12W2M1 B69) zwei Easy-Pack-Module der 1200-V-Familie für Ladestationen und USV auf den Markt gebracht. mehr...

Bild 1: Das OBC-Design mit einem im Bereich 500 bis 840 V variablen Zwischenkreis basiert auf 1200-V-SiC-MOSFETs.
Automotive-Referenzdesign eines bidirektionalen OBC

SiC-MOSFET erhöht Leistungsdichte und Effizienz im On-Board Charger

09.09.2019- FachartikelElektrofahrzeuge (EV) lassen sich zur Ergänzung des Stromnetzes (V2G) einsetzen. Folglich geht der Entwicklungstrend beim On-Board Charger in Richtung eines bidirektionalen Betriebs. mehr...

Bild 3: Der kritische Gate-Widerstand für das parasitäre Einschalten wird als der Wert definiert, der einen Anstieg von 10 Prozent für Q*rr im Vergleich zum Referenz-Signalverlauf mit 0 Ω liefert.
Leistungselektronik-Vereinfachtes Gatetreiber-Design

Cool-SiC-MOSFETs: Ist parasitäres Einschalten ein Schwachpunkt?

03.09.2019- FachartikelDas von der Miller-Kapazität verursachte parasitäre Einschalten wird oftmals als Schwachpunkt heutiger Siliziumkarbid-MOSFETs angesehen. Ist das auch für Cool-SiC-MOSFETs der Fall? mehr...

Bild 2: Querschnitt eines SiC-MOSFETs.
Leistungselektronik-Das Wide-Bandgap-Ökosystem

Wide-Bandgap-Halbleiter erfordern disruptive Simulationsumgebungen

20.08.2019- FachartikelWide-Bandgap-Halbleiter sind herkömmlichen Siliziumhalbleitern in vielerlei Hinsicht überlegen, weshalb die Nachfrage steigt. Dabei ist die Modellierung solcher Halbleiter anspruchsvoll und nicht jede Entwicklungsumgebung liefert zuverlässige Ergebnisse. mehr...

Karsten Penno, ON Semiconductor, und Alfred Vollmer, Chefredakteur AUTOMOBIL-ELEKTRONIK
Automotive-Interview mit Karsten Penno von ON Semiconductor

Von Power bis ADAS: Diese Aktivitäten hat ON Semiconductor bei Automotive

30.07.2019- FachartikelDer Halbleiterhersteller ON Semiconductor hat eine bewegte Geschichte hinter sich und mittlerweile auch (durch diverse Zukäufe) ein breites Portfolio an automotive-relevanten Halbleiterprodukten in seinem Produkt-Portfolio. AUTOMOBIL-ELEKTRONIK sprach mit Karsten Penno, Automotive Sales Director EMEA bei ON Semiconductor, über diverse Themen von der Marktsituation über Cybersecurity bis Formel E, von Niedervolt über 48 V und Hochvolt bis zu Bildsensoren. mehr...

Emtron_Titelseite-Motiv_elektronik-industrie neu
Stromversorgungen-Einsatzbereiche von SiC und Standard-Silizium

Ist Silizium-Karbid die bessere Alternative?

09.07.2019- FachartikelMit Silizium-Karbid und Gallium-Nitrid hat der Schaltnetzteilentwickler zwei neue Technologien. Handelt es sich nur um neue Zutaten in der Netzteil-Küche oder um eine Komplett-Renovierung, wie sie in den 1980er bei der Umstellung von linearen auf getaktete Stromversorgungen stattfand? mehr...

Die SiC-FETs der UJ3C- und UF3C-Serie von United SiC können als direkter Ersatz vorheriger Bausteine dienen, ohne dass die Gate-Treiberspannung geändert werden muss.
Automotive-SiC-Leistungshalbleiter

United SiC erweitert sein 650-V-Angebot um 7 SiC-FETs

20.05.2019- ProduktberichtUnited SiC ergänzt die UJ3C- (universal) und UF3C- (hart geschaltet) Serien seiner 650-V-SiC-FETs um sieben neue Varianten in TO220-3L- und D2PAK-3L-Gehäusen. mehr...

Auch für Anwendungen im Automobilbereich geeignet: 1200-V-Schottky-Diode von Mitsubishi Electric auf Basis der SIC-Technologie.
Leistungselektronik-Für das Laden in der E-Mobilität

Mitsubishi Electric erweitert Angebot um 1200-V-Schottky-Dioden

07.05.2019- FachartikelIm Rahmen der PCIM 2019 kündigte der Halbleiterhersteller die Produkteinführung von Schottky-Dioden (1200 V) auf Basis der Siliziumcarbid-Technologie an. mehr...

Setzt auf E-Mobilität und Kommunikationstechnologie: Cree investiert eine Milliarde US-Dollar in sein SiC-Fertigungsanlagen.
Branchenmeldungen-Ausbau des Fertigungscampus

Cree investiert Milliardensumme in SiC-Produktion

07.05.2019- NewsDie Investitionssumme fließt vor allem in einen Fertigungscampus für Siliziumkarbid. Cree reagiert damit auf starke Nachfrage im E-Auto- und 5G-Markt. mehr...

Die isolierten Gatetreiber von Texas Instruments bieten integrierte Sensing-Funktionen für IGBTs und SiC-MOSFETs.
Automotive-Für Automotive- und Industrieanwendungen

Isolierte Gatetreiber von TI schützen Hochspannungssysteme

03.05.2019- ProduktberichtDie Gatetreiber von Texas Instruments ermöglichen Entwicklern die Realisierung kompakterer und leistungsfähigerer Designs in Traktionswechselrichtern, Bord-Ladegeräten oder PV-Wechselrichtern. mehr...

Der SiC-MOSFET NVHL080N120SC1 von ON Semiconductor ist mit einer maximalen Betriebstemperatur von +175 °C für den Einsatz im Fahrzeug geeignet.
Leistungselektronik-Robuste Bausteine

SiC-MOSFETs von On eignen sich für Industrie sowie Automotive

01.04.2019- ProduktberichtMit der Ankündigung der beiden SiC-MOSFETs will On Semiconductor sein wachsendes SiC-Ökosystem stärken, das daneben SiC-Dioden und -Treibern Ressourcen wie Simulationswerkzeuge umfasst. mehr...

Bild 1: Die Bauelementestrukturen Superjunction-Transistor, GaN-HEMT und SiC-MOSFET im Vergleich. Alle drei Konzepte treten im 600-V-Bereich an.
Leistungselektronik-Der Königsweg der Leistungshalbleiter

Das unterscheidet die Bauelementekonzepte GaN, SiC, Superjunction

25.03.2019- FachartikelWide-Bandgap-Leistungshalbleiter treten in der 600-V-Klasse mit der Superjunction-Technologie, den GaN-HEMTs und SiC-MOSFETs an. Welches Bauelement dabei für welche Schlüsselapplikation überzeugt. mehr...

Bild 3: Das TO-263-7L-SMD-Gehäuse mit Kelvin-Source und seine parasitären Induktivitäten.
Automotive-Volles Potenzial von Wide-Bandgap-Bauteilen ausschöpfen

Wie SiC-MOSFETs in SMD-Gehäusen Wandler-Verluste reduzieren

07.03.2019- FachartikelSiC-MOSFETs erreichen hohe Schaltgeschwindigkeiten und reduzieren Verluste leistungselektronischer Wandler, traditionelle Gehäuse limitieren dies jedoch. Welche Vorteile geeignete Gehäuse bringen, zeigt ein Praxis-Beispiel. mehr...

Bild 3: Die Pebble-Laptop-PSU ist nur 115 x 52 x 36 mm3 groß und wiegt gerade mal 180 g.
Stromversorgungen- Hohe Zuverlässigkeitsforderungen

So entwickeln Sie Schaltnetzteile für extreme Umgebungen

04.03.2019- FachartikelDie Anforderungen an Stromversorgungen in rauen Umgebungen sind hoch. Grundvoraussetzung für ihre Entwicklung sind die besten Materialien, Technologien und Topologien. Der Beitrag zeigt, wo Leistungsverluste schaltender Stromversorgungen auftreten und erläutert Verbesserungen. mehr...

Bild 1: Leistungselektronik in einem Elektrofahrzeug: während heute noch IGBTs im großen Stil zum Einsatz kommen, sollen SiC-Bauelemente in Zukunft dominieren.
Automotive-Leistungsfähig und robust in anspruchsvollen Umgebungen

Wie SiC-FETs in Zukunft den Antriebsstrang in E-Fahrzeugen dominieren

19.02.2019- FachartikelSiC-FETs der aktuellsten Generation eignen sich im Vergleich zu IGBTs ideal für neue Wechselrichterdesigns in der Elektromobilität, da er ohne Vorspannung ausgeschaltet ist und innerhalb von Nanosekunden schaltet. mehr...

Hauptaugenmerk des Liefervertrags für Wafer von Wolfspeed liegt auf dem Automotive-Markt.
Branchenmeldungen-Langfristiger Liefervertrag für 150-mm-SiC-Wafer

Cree und ST Microelectronics schließen Wafer-Deal

09.01.2019- NewsFür mehrere Jahre soll Cree SiC-Wafer im Wert von 250 Millionen US-Dollar an ST Microelectronics liefern, die dadurch ihr Automotive- und Industrialgeschäft ausbauen wollen. Bereits 2018 konnte Cree einen Halbleiterhersteller für sich gewinnen. mehr...

Bild 1: Der verschachtelte 60-kW-Aufwärtswandler von Wolfspeed mit 4 Treiber-Boards arbeitet mit einem SiC-MOSFET (1200 V, 75 mΩ).
Stromversorgungen-Haltbarkeit trotz Feuchtigkeit

TBH-80 eignet sich für reelle Prüfung von SiC-Bauelementen für Solarwechselrichter

09.01.2019- FachartikelIngenieure, die Hochspannungs- und Hochfrequenz-Solarwechselrichter entwerfen, sehen sich mit einem Problem bei der Systementwicklung konfrontiert: Wie lassen sich die gewünschte Leistungsdichte als auch die Haltbarkeit bei feuchten Außenumgebungen erzielen? Der Beitrag zeigt, wie verbesserte SiC-MOSFETs und -Dioden es ermöglichen, die Vorteile des Wide-Bandgap-Halbleiters auch unter extremen Umgebungsbedingungen zu nutzen. mehr...

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