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SiC

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "SiC".
Auch für Anwendungen im Automobilbereich geeignet: 1200-V-Schottky-Diode von Mitsubishi Electric auf Basis der SIC-Technologie.
Leistungselektronik-Für das Laden in der E-Mobilität

Mitsubishi Electric erweitert Angebot um 1200-V-Schottky-Dioden

07.05.2019- FachartikelIm Rahmen der PCIM 2019 kündigte der Halbleiterhersteller die Produkteinführung von Schottky-Dioden (1200 V) auf Basis der Siliziumcarbid-Technologie an. mehr...

Setzt auf E-Mobilität und Kommunikationstechnologie: Cree investiert eine Milliarde US-Dollar in sein SiC-Fertigungsanlagen.
Branchenmeldungen-Ausbau des Fertigungscampus

Cree investiert Milliardensumme in SiC-Produktion

07.05.2019- NewsDie Investitionssumme fließt vor allem in einen Fertigungscampus für Siliziumkarbid. Cree reagiert damit auf starke Nachfrage im E-Auto- und 5G-Markt. mehr...

Die isolierten Gatetreiber von Texas Instruments bieten integrierte Sensing-Funktionen für IGBTs und SiC-MOSFETs.
Automotive-Für Automotive- und Industrieanwendungen

Isolierte Gatetreiber von TI schützen Hochspannungssysteme

03.05.2019- ProduktberichtDie Gatetreiber von Texas Instruments ermöglichen Entwicklern die Realisierung kompakterer und leistungsfähigerer Designs in Traktionswechselrichtern, Bord-Ladegeräten oder PV-Wechselrichtern. mehr...

Der SiC-MOSFET NVHL080N120SC1 von ON Semiconductor ist mit einer maximalen Betriebstemperatur von +175 °C für den Einsatz im Fahrzeug geeignet.
Leistungselektronik-Robuste Bausteine

SiC-MOSFETs von On eignen sich für Industrie sowie Automotive

01.04.2019- ProduktberichtMit der Ankündigung der beiden SiC-MOSFETs will On Semiconductor sein wachsendes SiC-Ökosystem stärken, das daneben SiC-Dioden und -Treibern Ressourcen wie Simulationswerkzeuge umfasst. mehr...

Bild 1: Die Bauelementestrukturen Superjunction-Transistor, GaN-HEMT und SiC-MOSFET im Vergleich. Alle drei Konzepte treten im 600-V-Bereich an.
Leistungselektronik-Der Königsweg der Leistungshalbleiter

Das unterscheidet die Bauelementekonzepte GaN, SiC, Superjunction

25.03.2019- FachartikelWide-Bandgap-Leistungshalbleiter treten in der 600-V-Klasse mit der Superjunction-Technologie, den GaN-HEMTs und SiC-MOSFETs an. Welches Bauelement dabei für welche Schlüsselapplikation überzeugt. mehr...

Bild 3: Das TO-263-7L-SMD-Gehäuse mit Kelvin-Source und seine parasitären Induktivitäten.
Automotive-Volles Potenzial von Wide-Bandgap-Bauteilen ausschöpfen

Wie SiC-MOSFETs in SMD-Gehäusen Wandler-Verluste reduzieren

07.03.2019- FachartikelSiC-MOSFETs erreichen hohe Schaltgeschwindigkeiten und reduzieren Verluste leistungselektronischer Wandler, traditionelle Gehäuse limitieren dies jedoch. Welche Vorteile geeignete Gehäuse bringen, zeigt ein Praxis-Beispiel. mehr...

Bild 3: Die Pebble-Laptop-PSU ist nur 115 x 52 x 36 mm3 groß und wiegt gerade mal 180 g.
Stromversorgungen- Hohe Zuverlässigkeitsforderungen

So entwickeln Sie Schaltnetzteile für extreme Umgebungen

04.03.2019- FachartikelDie Anforderungen an Stromversorgungen in rauen Umgebungen sind hoch. Grundvoraussetzung für ihre Entwicklung sind die besten Materialien, Technologien und Topologien. Der Beitrag zeigt, wo Leistungsverluste schaltender Stromversorgungen auftreten und erläutert Verbesserungen. mehr...

Bild 1: Leistungselektronik in einem Elektrofahrzeug: während heute noch IGBTs im großen Stil zum Einsatz kommen, sollen SiC-Bauelemente in Zukunft dominieren.
Automotive-Leistungsfähig und robust in anspruchsvollen Umgebungen

Wie SiC-FETs in Zukunft den Antriebsstrang in E-Fahrzeugen dominieren

19.02.2019- FachartikelSiC-FETs der aktuellsten Generation eignen sich im Vergleich zu IGBTs ideal für neue Wechselrichterdesigns in der Elektromobilität, da er ohne Vorspannung ausgeschaltet ist und innerhalb von Nanosekunden schaltet. mehr...

Hauptaugenmerk des Liefervertrags für Wafer von Wolfspeed liegt auf dem Automotive-Markt.
Branchenmeldungen-Langfristiger Liefervertrag für 150-mm-SiC-Wafer

Cree und ST Microelectronics schließen Wafer-Deal

09.01.2019- NewsFür mehrere Jahre soll Cree SiC-Wafer im Wert von 250 Millionen US-Dollar an ST Microelectronics liefern, die dadurch ihr Automotive- und Industrialgeschäft ausbauen wollen. Bereits 2018 konnte Cree einen Halbleiterhersteller für sich gewinnen. mehr...

Bild 1: Der verschachtelte 60-kW-Aufwärtswandler von Wolfspeed mit 4 Treiber-Boards arbeitet mit einem SiC-MOSFET (1200 V, 75 mΩ).
Stromversorgungen-Haltbarkeit trotz Feuchtigkeit

TBH-80 eignet sich für reelle Prüfung von SiC-Bauelementen für Solarwechselrichter

09.01.2019- FachartikelIngenieure, die Hochspannungs- und Hochfrequenz-Solarwechselrichter entwerfen, sehen sich mit einem Problem bei der Systementwicklung konfrontiert: Wie lassen sich die gewünschte Leistungsdichte als auch die Haltbarkeit bei feuchten Außenumgebungen erzielen? Der Beitrag zeigt, wie verbesserte SiC-MOSFETs und -Dioden es ermöglichen, die Vorteile des Wide-Bandgap-Halbleiters auch unter extremen Umgebungsbedingungen zu nutzen. mehr...

Topilogie eines 3-Phasen-Traktionsinverters.
Automotive-Ein Fall für effiziente und wärmetolerante Wide-Bandgap-Halbleiter

Neue SiC-Hochspannungskomponenten für Elektrofahrzeuge

06.12.2018- Application NoteIn einem Whitepaper diskutiert TI die Vorteile von SiC-Breitbandhalbleitern in den zwei Subsystemen Onboard-Ladegerät (OBC) und Traktionswechselrichter. mehr...

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Leistungselektronik-Leistungselektronik im E-Fahrzeug

Isolierte Treiber für Schaltanwendungen der Elektromobilität

04.12.2018- FachartikelLeistungselektronik-Komponenten im Automobilbereich erfordern eine hohe Zuverlässigkeit und hohe Leistungen beim Laden verlangen einen hohen Wirkungsgrad im gesamten Antriebsstrang. Der Beitrag beschreibt, was optimierte SiC-, MOSFET- und IGBT-Treiber sowie robuste Kommunikationstechnologien leisten können, um die Systemlebensdauer zu verlängern. mehr...

Der SiC-MOSFET LSIC1MO170E1000 von Littelfuse punktet mit niedriger Gate-Ladung und kleiner Output-Kapazität.
Leistungselektronik-Für EV, HEVs, Datencenter und Stromversorgungen

SiC-MOSFET für effiziente Hochfrequenzanwendungen

30.10.2018- ProduktberichtLittelfuse stellt mit dem LSIC1MO170E1000 einen SiC-MOSFET mit 1700 V und 1 Ω vor, der das Portfolio an 1200-SiC-MOSFETs und Schottky-Dioden ergänzt. mehr...

Rohm Semiconductor präsentiert am Stand die aktuellsten SiC-Powermodule für Automotive- und Industrieanwendungen und sein Engagement für die Formel E.
Leistungselektronik-Für Automotive und Industrial

Full-SiC-Powermodule und Gate-Driver-ICs

30.10.2018- ProduktberichtRohm Semiconductor präsentiert Lösungen für das Power- und Energiemanagement im Automotive- und Industriebereich und zeigt sein Engagement in der elektrischen Rennserie Formel E. mehr...

Im Bereich der Automobilelektronik zeigt ON Lösungen für Radar, Lidar und autonomes Fahren.
Automotive-Energieeffiziente Halbleiterlösungen

Neuerungen bei Automobilelektronik, Leistungswandlung und IoT

30.10.2018- ProduktberichtON Semiconductor zeigt an seinem 400 m² großen Stand Produkte und Demos aus den aufstrebenden Märkten Automobil, Leistungstungswandlung und IoT und ist mit Präsentationen auf der Automotive Conference vertreten. mehr...

Bild 1: SiC-JFET mit vertikaler Trench-Zelle, der im Vergleich zu einer lateralen GaN-HEMT-Zelle (High Electron Mobility Transistor) einen sehr geringen Durchlasswiderstand aufweist.
Leistungselektronik-Ein starkes Gespann in der Leistungselektronik

Kaskodenbausteine aus Si-MOSFET und SiC-JFET

09.08.2018- FachartikelWenn die physikalischen Eigenschaften einzelner Halbleiterwerkstoffe den schaltungstechnischen Anforderungen nicht genügen, kann eine Kombination wie die Kaskode aus Si-MOSFET und SiC-JFET die optimale Lösung für Hochleistungsanwendungen sein. United SiC erörtert die Problemsituation und stellt einen passenden Kaskodenbaustein vor. mehr...

Bild 4: Treiberkonzept mit De-Sat-Überwachung. Für einen ströungsfreien Betrieb ist es hier notwendig, die Schaltflanke "auszublenden".
Leistungselektronik-Den Kurzschlussfall beherrschen

Gatetreiber für die Kurzschlussfestigkeit von SiC-MOSFETs auslegen

09.08.2018- FachartikelVerbesserte Materialeigenschaften von SiC-Leistungshalbleitern lassen sich vorteilhaft nutzen um die Geräteleistung zu steigern und durch Optimierungsmöglichkeiten im Gerätedesign die Systemkosten zu reduzieren. Doch bislang stand die Kurzschlussfestigkeit von SiC-MOSFETs in Frage. Aktuelle Untersuchungen zeigen, dass derzeitige Lösungen mit entsprechenden Gatetreibern eine ausreichende Robustheit zur Verfügung stellen. mehr...

Typischer Aufbau einer SiC- und einer GaN-JFET-Zelle von United-SiC.
Stromversorgungen-Direkter Austausch möglich

1200-V-SiC-FETs als Ersatz für IGBTs und MOSFETs

26.06.2018- ProduktberichtAufgrund hoher Nennspannnung und geringem Durchlasswiderstand können SiC-JFET-Kaskoden von United SiC IGBTs und MOSFETs ersetzen. Design-Upgrades sind so einfacher möglich. mehr...

Rohm
Leistungselektronik-Leistungshalbleiter

Rohm kooperiert zu GaN und baut SiC-Produktionskapazitäten aus

05.06.2018- NewsMehrere Neuigkeiten bei Rohm: Der Leistungshalbleiteranbieter plant zum einen eine Zusammenarbeit mit GaN Systems zur Entwicklung von Galliumnitrid-basierter (GaN) Leistungselektronik. Auf der anderen Seite sollen im japanischen Chikugo die Kapazitäten für die Produktion von SiC-Power-Bauteilen erweitert werden. mehr...

Bild 1: Mit WBG-Halbleitern werden leistungselektronische Systeme effizienter und sorgen damit für Fortschritte im Transportwesen sowie in der Energie- und Kommunikationsbranche.
Leistungselektronik-Wide-Bandgap-Bauteile besser verstehen

Herausforderungen bei parametrischen Messungen an WBG-Halbleitern

09.05.2018- FachartikelHalbleiterbauelemente auf der Basis von Materialien mit großer Bandlücke versprechen höhere Energieeffizienz, Sicherheit und Zuverlässigkeit in einsatzkritischen Anwendungen – deshalb wächst die Nachfrage danach beständig. Für ein besseres Verständnis des Verhaltens dieser Bauteile ist eine umfassende Charakterisierung sowohl der Fertigungsprozesse als auch der Bauteilarchitekturen notwendig. mehr...

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