Siliziumkarbid (SiC)

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "Siliziumkarbid (SiC)".
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Leistungselektronik-Siliziumkarbid oder Silizium – wer macht das Rennen?

Verbesserte Stromtragfähigkeit durch SiC-MOS-Module

05.04.2013- FachartikelEine Anforderung an SiC-Halbleiterbausteine neben ihren thermischen Eigenschaften, kurzen Sperrverzögerungszeiten, Spannungsfestigkeit und geringer Leistungsaufnahme ist die hohe Stromtragefähigkeit. Rohm zeigt im folgenden Beitrag worauf es dabei ankommt. mehr...

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Leistungselektronik-Siliziumkarbid

Semisouth zeigt Demo-Board mit SiC-JFETs

24.04.2012- ProduktberichtSemisouth Laboratories präsentiert seine SiC-JFETs in einer Kaskaden-Halbbrücken-Anwendung. mehr...

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Leistungselektronik-Schaltverluste mit 1200-Volt-SiC-Leistungsmosfet reduzieren

SiC transit glora Silizium

01.06.2011- FachartikelSilizium adieu? Es scheint zumindest so, denn Cree hat den CMF20120D vorgestellt – einen Siliziumkarbid-Mosfet, mit dem sich im Leistungselektronikbereich ganz neue Türen auftun könnten. Denn das vielver­sprechende Halbleitermaterial SiC punktet mit hohen Schaltfrequenzen, so dass sich Platzbedarf, Gewicht und Kosten in der Applikation reduzieren. mehr...

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