Toshiba investiert in sein teilweise zum Verkauf stehendes Speichergeschäft und startet den Bau der Fab 6 und eines Forschungs- und Entwicklungszentrums in Yokkaichi.

Toshiba investiert in sein teilweise zum Verkauf stehendes Speichergeschäft und startet den Bau der Fab 6 und eines Forschungs- und Entwicklungszentrums in Yokkaichi. Toshiba

Die Halbleiterfabrik Fab 6 und das Memory-R&D-Center entstehen an Toshibas Hauptproduktionsstandort für Speicherprodukte Yokkaichi in der Mie-Präfektur. Die Fab 6 soll hauptsächlich BiCS- und 3D-Flashspeicher-Bausteine herstellen. Wie auch bei der Fab 5 soll der Bau in zwei Phasen erfolgen, um die Investition an die Entwicklungen auf dem Halbleitermarkt anzupassen. Die erste Phase des Baus soll bis zum Sommer 2018 abgeschlossen sein.

Das Forschungs-und Entwicklungszentrum entsteht in der Nähe der Fab 6 und soll bis Dezember 2017 fertiggestellt sein. Sinn und und Zweck der Einrichtung sind die Weiterentwicklung des BiCS-Flashspeichers und neuer Speichertechnologien .

Kapital bis Ende März dringend benötigt

Toshiba verkauft etwa 20 Prozent seines Speichergeschäfts, um Verluste aus dem Atomenergiesektor auszugleichen. Laut Berichten des Handelsblatts und der Nachrichtenagentur Reuters liegen einem Insider zufolge mehrere Angebote in Höhe von umgerechnet 1,7 bis 3,3 Milliarden Euro vor. Zu den Bietern sollen die Halbleiterkonzerne SK Hynix und Micron Technology sowie Finanzinvestoren wie Bain Capital gehören.

Das Unternehmen bevorzugt Bieter wie Bain Capital, da der Verkauf an einen Rivalen aus der Branche einerseits die Gefahr birgt, die eigene Technologie preiszugeben und andererseits wegen notwendiger kartellrechtlicher Freigaben zu lange dauern könnte. Auf Grund der Milliardenabschreibungen aus dem US-Atomgeschäft benötigt Toshiba das Kapital dringend bis Ende März 2017.