DEK hat mit der Entwicklung eines Hochgeschwindigkeitsverfahrens für die Beschichtung von Wafer-Rückseiten eine kostengünstige Methode zur Nutzung mit einem Schablonendrucksystem entwickelt. Die Ergebnisse liegen innerhalb der geforderte Gesamt-Schichtdickenabweichung von maximal ±12,5 µm. Das Verfahren ist kompatibel zu Underfill- oder Klebe-Beschichtungstechniken. Normalerweise wird dabei vor dem Vereinzeln des Halbleiterwafers eine Schicht mit einer Nominalstärke von 50 µm auf dessen Rückseite aufgebracht. Das Verfahren ist kompatibel zur DEK-Metallschablonen und Emulsionssieb-Technologie.


DEK Kennziffer 545