Die ICs erreichen einen Wirkungsgrad von bis zu 95 Prozent über den vollen Lastbereich und ermöglichen Netzadapter in geschlossener Bauweise mit Ausgangsleistungen bis 100 W, die keinen Kühlkörper erfordern. Die quasi-resonant arbeitenden ICs Innoswitch3-CP, Innoswitch3-EP und Innoswitch3-Pro vereinen in einem einzigen SMD-Gehäuse die primären und sekundären Funktionsblöcke sowie den Regelkreis.

Die Speerwandler der Innoswitch3-Familie von Power Integrations eignen sich etwa für USB-PDs und Hochstrom-Ladeschaltungen sowie für Netzadapter für mobile Geräte, Netzwerk- und Gaming-Produkte.

Die Speerwandler der Innoswitch3-Familie von Power Integrations eignen sich etwa für USB-PDs und Hochstrom-Ladeschaltungen sowie für Netzadapter für mobile Geräte, Netzwerk- und Gaming-Produkte. Power Integrations

Bei den neuen Typen ersetzen GaN-Schalter die herkömmlichen Silizium-Hochspannungstransistoren auf der Primärseite des ICs, das führt zu geringeren Durchlassverlusten im leitenden Zustand und zu geringeren Schaltverlusten während des Schaltvorgangs. Durch die Reduktion der Energieverluste erhöht sich der Wirkungsgrad entsprechend. Die ICs sind vorgesehen für energieeffiziente Sperrwandlerschaltungen und lassen sich mit Controller-ICs für Schnellladeprotokolle kombinieren.