Mit der EZ-GaN-Plattform lassen sich die Größe von Stromversorgungssystemen verringern, die Energiedichte erhöhen und hohe Wirkungsgrade im gesamten Netz erreichen.

Mit der EZ-GaN-Plattform lassen sich die Größe von Stromversorgungssystemen verringern, die Energiedichte erhöhen und hohe Wirkungsgrade im gesamten Netz erreichen.Transphorm

Transphorm hat eine 48-VDC-Offline-Stromversorgung mit 1 kW und einem Wirkungsgrad von 97,5 Prozent angekündigt. Das Netzteil verwendet die nach JEDEC qualifizierten 600-V-High-Electron-Mobility-Transistoren (HEMTs) von Transphorm in GaN auf Silizium-Technologie für eine vorgeschaltete Gegentakt-Leistungsfaktor-Korrekturstufe (PFC) mit einem Wirkungsgrad von 99 Prozent in Kombination mit einem LLC-Wandler mit einem Wirkungsgrad von 98,6 Prozent. Der HEMT TPH3006PS basiert auf Transphorms patentierter, EZ-GaN-Technologie. Seine geringen Schalt- und Leitungsverluste senken den Energieverlust gegenüber herkömmlichen Umformern auf Siliziumbasis um 50 Prozent. Der GaN-Transistor im TO 220-Gehäuse besitzt einen geringen On-Widerstand (RDS(on)) von 150 mΩ, eine niedrige Speicherladung (Qrr) von 54 Nanocoulomb (nC) und kann hohe Betriebsfrequenzen schalten. Diese Eigenschaften verringern Verluste und ermöglichen kompaktere, preiswertere Systeme.