IGBT-Modul im 62-mm-Gehäuse

IGBT-Modul im 62-mm-Gehäuse Infineon

Bei einer Sperrspannung von 1200 V erreicht das Modul einen maximalen Nennstrom von 600 A, mit 1700 V sind es max. 500 A. Das Gehäuse ist mit Bodenplatte ausgestattet und entspricht bei der Bemaßung dem Industriestandard. Das Portfolio nutzt den IGBT4. Zwei Varianten der Leistungsmodule stehen auch in der Ausführung als Common Emitter zur Verfügung, mit der sich eine 3-Level-Topologie (NPC2) aufbauen lässt. Das ermöglicht den Einsatz in leistungsstarken Solar- und USV-Anwendungen. Die Module sind in Volumenproduktion und auch mit thermischem Interface Material (TIM) lieferbar. Passend dazu gibt es für den Eingangsgleichrichter neue Thyristoren-/Dioden-Module in 34- und 50-mm-Gehäusen mit Löt-Bond-Technologie.