Rohm präsentiert Power-Management-Lösungen für den Automotive- und Industriebereich. (Bild: Rohm Semiconductor)
Im Mittelpunkt steht die SiC-Technologie. Auf Basis einer proprietären Double-Trench-Gatestruktur senkt die neue Generation der SiC-MOSFETs laut Angaben von Rohm bei gleicher Chipfläche den Einschaltwiderstand um 50 % und die Eingangskapazität um 35 % gegenüber planaren SiC-MOSFETs. Die neuen Full-SiC-Module zu denen ein Chopper-Modul für Spannungswandler gehört, enthalten sowohl Trench-SiC-MOSFETs als auch SiC-Schottkydioden.Die Einsatzmöglichkeiten seiner LED-Treiber zeigt das Unternehmen anhand der Demonstration eines Scheinwerfers für Abblend- und Fernlicht, einer exemplarischen Tagfahrlicht-Lösung, eines Matrix-Frontscheinwerfers sowie zweier Matrixtreiber für sequenzielle Blinkleuchten.
Ein weiteres Messe-Highlight ist ein neues Design-Kit, das Rohm zusammen mit Würth Elektronik entwickelte. Damit erhalten Ingenieure die Möglichkeit, kontaktlose Leistungsübertragung zu testen, um so einen einfachen Zugang bei der Integration in ihre Applikationen zu ermöglichen. Die Lösung deckt den Leistungsbedarf mit bis zu 15 W ab. Das Design Kit entspricht der Qi-Spezifikation 1.2 des Wireless Power Consortium (WPC. Im Rahmen der kürzlich bekanntgegebenen technischen Partnerschaft mit der Firma Venturi, die sich mit vollelektrischen Antriebssträngen für Einsitzer-Rennwagen an der Formel E der FIA beteiligt, präsentiert Rohm das Fahrzeug und den Wechselrichter als ein Anwendungsbeispiel für die Weiterentwicklung im Bereich der Elektromobilität.
Electronica Halle A5, Stand 542
(ah)
