SiC-Leistungshalbleiter machen den Inverter des Venturi-Boliden 2 kg leichter, steigern die elektrische Effizienz um und verringern das Volumen des Kühlsystems.

SiC-Leistungshalbleiter machen den Inverter des Venturi-Boliden 2 kg leichter, steigern die elektrische Effizienz um und verringern das Volumen des Kühlsystems. Rohm

Im Rahmen der kürzlich bekanntgegebenen technischen Partnerschaft mit der Firma Venturi, die sich mit vollelektrischen Antriebssträngen für Einsitzer-Rennwagen an der Formel E der FIA beteiligt, präsentiert Rohm auf der Electronica 2016 das Fahrzeug und den Wechselrichter als ein Anwendungsbeispiel für die Weiterentwicklung im Bereich der Elektromobilität. Das Elektrofahrzeug von Venturi wird im Zuge dieses Abkommens mit SiC-Bauelementen ausgestattet. Ziel ist eine entscheidende Leistungssteigerung des Antriebsstrangs mithilfe von Siliziumkarbid-Leistungshalbleitern (SiC), die mehr Energieeffizienz und Leistungsdichte ermöglichen.

Pünktlich zum Serienstart feierte der japanische Halbleiterhersteller sein Debüt als Sponsor und offizieller Technologiepartner des Venturi Formel-E-Teams beim ersten Rennen der neuen Formel-E-Saison 2016/2017 in Hongkong. Das Besondere dieser Partnerschaft verbirgt sich hinter dem entscheidenden Erfolgsfaktor der vollelektrischen Rennserie – dem Energiemanagement. Die Herausforderung für Teams und Fahrer liegt zum einen im effizienten Einsatz der zur Verfügung stehenden Energie und zum anderen darin, die Batterieleistung bestmöglich auf die Rennstrecke zu bringen. Hier kommt die von Rohm neu entwickelte SiC-Halbleitertechnologie zum Einsatz.  Durch den Einsatz von SiC als Kernelement der Partnerschaft erhoffen sich Venturi und Rohm deutliche Wettbewerbsvorteile.

Der Inverter im Venturi-Boliden für die 3. Saison enthält SiC-Schottoky-Dioden und ist insgesamt 2 Kilogramm leichter als das Einheitsmodell der Vorsaison. Die elektrische Effizienz konnte um 1,7% gesteigert und das Volumen des Kühlsystems um 30 % reduziert werden. Doch das ist erst der Anfang. Für die 4. Saison werden durch den Einbau von SiC-MOSFETs weitere große Entwicklungsschritte und entsprechend deutliche Verbesserungen erwartet.

Electronica 2016, Halle A5, Stand 542