ON Semiconductor wird Danfoss Silicon Power zukünftig mit IGBTs und Dioden für Leistungsmodule in Elektrofahrzeugen beliefern. (Bild: Danfoss)
Mit seiner 300-mm-Halbleiterfertigung in East Fishkill ist ON gut positioniert, Leistungsbauelemente in entsprechender Größenordnung für den entstehenden Massenmarkt der Fahrzeugelektrifizierung zu liefern.
„Die Chip-Unabhängigkeit ist ein wichtiges und grundlegendes Element der Markteinführungsstrategie von Danfoss Silicon Power. Mit der Auswahl von IGBT-Chips von ON Semiconductor tragen wir den hohen Wachstumserwartungen unserer Automobilkunden Rechnung“, sagte Claus A. Petersen, Senior Vice President und General Manager, Danfoss Silicon Power. Ziel von Danfoss sei es, auf die jeweilige Anwendung optimal zugeschnittene Leistungsmodule zu liefern.
ON erwartet laut Asif Jakwani, Senior Vice President der Advance Power Devision, dass mit der Zusammenarbeit mit Danfoss eine schnellere Durchdringung des Fahrzeugelektrifizierungsmarktes möglich wird. Die Leistungsbauelemente wird ON in seinen Fertigungsstätten in East Fishkill (New York) und Bucheon (Südkorea) herstellen. Danfoss‘ Leistungsmodule entstehen in Flensburg (Deutschland) und Utica (New York).
(na)
