Die SiC-FETs der UJ3C- und UF3C-Serie von United SiC können als direkter Ersatz vorheriger Bausteine dienen, ohne dass die Gate-Treiberspannung geändert werden muss.

Die SiC-FETs der UJ3C- und UF3C-Serie von United SiC können als direkter Ersatz vorheriger Bausteine dienen, ohne dass die Gate-Treiberspannung geändert werden muss. (Bild: United SiC)

Die vorgestellten Bausteine bieten eine bessere High-Voltage-Leistungsfähigkeit in Märkten wie Server für Rechenzentren und Elektrofahrzeugen. Zum Einsatz kommen Sie biespielsweise in Stromversorgungen und On-Board-Ladegeräten. Die SiC-FETs sollen Entwickler ansprechen, die 3-polige TO220- oder D2PAK-Gehäuse bevorzugen, um die Leistungsfähigkeit bei der Leistungsfaktorkorrektur (PFC), in LLC-Resonanzwandlern und phasenverschobenen Vollbrückenwandlern weiter zu verbessern. Das EJ3C- und UF3C-FET-Angebot kann als direkter Ersatz vorheriger Bausteine dienen. Damit können Entwickler die Systemleistungsfähigkeit verbessern, ohne die Gate-Treiberspannung ändern zu müssen.

Beide SiC-FET-Serien basieren auf der Kaskodenschaltungskonfiguration von United SiC, bei der ein Normal-Ein-SiC-JFET gemeinsam mit einem Si-MOSFET verbaut wird, um einen Normal-Aus-SiC-FET mit Standard-Gate-Ansteuerung zu erzeugen. Ausgewählte Bausteine sind als Automotive-Versionen entsprechend AEC-Q101 erhältlich.

(na)

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