Glänzt im thermisch optimierten kompakten Power-Pak-SC-70-Gehäuse: der SiA923EDJ (Bildquelle: Vishay)

Glänzt im thermisch optimierten kompakten Power-Pak-SC-70-Gehäuse: der SiA923EDJ (Bildquelle: Vishay)

Vorteil der Komponente: durch den niedrigen On-Widerstand werden die Durchlassverluste reduziert; das spart Strom und kommt der Akkulaufzeit zugute. Beispielsweise ist der Mosfet aufgrund seines niedrigen On-Widerstands bei 1,5 Volt Gate-Source-Spannung mit den in Handheld-Geräten üblichen Niederspannungs-Gate-Treibern und -Bussen kompatibel. Dadurch fällt eine Pegelverschiebungsschaltung weg, was Platz und Kosten spart.

Der niedrige On-Widerstand bedeutet auch einen kleineren Spannungsabfall bei Spitzenströmen, was das Risiko von Unterspannungs-Lockout-Bedingungen verkleinert. Das kompakte Power-PAK-SC-70-Gehäuse ist halb so groß wie ein TSOP-6-Gehäuse und kann unter den gleichen Umgebungsbedingungen 65 Prozent mehr Wärme abführen.

Der SiA923EDJ ist gegen elektrostatische Entladungen bis 2500 Volt geschützt und ergänzt den kürzlich vorgestellten 20-Volt-P-Kanal-Mosfet SiA921EDJ, der für eine maximale Gate-Source-Spannung von 12 Volt spezifiziert ist. Damit hat der Entwickler jetzt die Wahl zwischen höherer Gate-Treiber-Spannung (SiA921EDJ) oder niedrigerer Schwellenspannung und kleinerem On-Widerstand (SiA923EDJ).