Der Baustein erweitert die 5. Generation des Optimos-Portfolios und ist als neue 150-V-Klasse speziell für Hochleistungsanwendungen vorgesehen, die niedrige Gate-Ladeströme und hohe Leistungsdichte bei gleichzeitig großer Robustheit erfordern. So senkt der Mosfet beispielsweise den Stromverbrauch in Telekommunikationsanwendungen oder erhöht die Leistung von Elektrofahrzeugen und damit deren Reichweite.
Weitere Merkmale sind das verbesserte EMI-Verhalten und der deutlich reduzierte Durchlasswiderstand, der im Super-SO8-Gehäuse um 25 % unter dem der nächstbesten Alternative liegt. Des Weiteren hat sich bei gleichem Durchlasswiderstand die Gate-Gesamtladung der neuen Familie um bis zu 29 % gegenüber der vorherigen Generation verbessert. Die Sperrerholladung ist im Super-SO8 sogar um 72 % niedriger als beim besten Vergleichsprodukt, das erhöht die Robustheit bei harten Kommutierungsvorgängen. Optimos 5 150 V gehört zu den Systemlösungen von Infineon für Niederspannungsantriebe, Synchrongleichrichter in Telekommunikationsanwendungen, Wandler im Brick-Format und Leistungsoptimierer bei Solaranwendungen.
electronica 2016: Halle A5, Stand 506
(mou)