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Vishay stellt mit dem Si7625DN ein 30-V-p-Kanal-Trenchfet-Gen-III-Leistungsmosfet im Power-PAK-1212-8-Gehäuse vor, der vor allem mit einer kleinen Grundfläche und einem niedrigen On-Widerstand überzeugt. Er soll als Netzadapter-, Last- oder Batterieschalter in Notebook-Computern, Netbooks und industriellen/allgemeinen Systemen Anwendung finden. Durch seinen kleineren On-Widerstand reduziert der Si7625DN den Stromverbrauch, außerdem verlängert sich dadurch die Akkulaufzeit. Zudem lassen sich dank der niedrigen Wärmeproduktion die Lötpads auf der Leiterplatte verkleinern. Bei Lastschaltern bis 24 V und Hot-Swap-Anwendungen in industriellen/allgemeinen Systemen minimieren sich durch den kleineren On-Widerstand außerdem die Spannungsabfälle. Der On-Widerstand des 3,3 x 3,3 mm großen Bausteins beträgt 7 m? bei 10 V und 11 m? bei 4,5 V Gate-Spannung. Vishay Siliconix bietet die neuen P-Kanal-Trenchfet-Gen-III-Produkte in zwei Gehäusevarianten an: Im Power-PAK-SO-8- und im Power-PAK-121-Gehäuse.

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