| von d.boenning

Diese Application Note befasst sich auf drei Seiten in englischer Sprache mit der Gate-Ansteuerung von MOSFETs mit bipolaren Transistoren, wobei sich Vorteile bei der Schaltgeschwindigkeit, den Kosten, der Stromverstärkung und den Abmessungen ergeben. Eine Tabelle hilft bei der Auswahl geeigneter Transistoren.

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