Die Gate-Treiber-Platine CMT-TIT0697 wurde von Cissoid für die direkte Montage auf SiC-MOSFET-Leistungsmodule des Typs CAB450M12XM3 von Wolfspeed entwickelt.

Die Gate-Treiber-Platine CMT-TIT0697 wurde für die direkte Montage auf SiC-MOSFET-Leistungsmodule des Typs CAB450M12XM3 von Wolfspeed entwickelt. (Bild: Cissoid)

| von Gunnar Knuepffer

Die neue Gate-Treiberplatine, die auf Wandler mit hoher Leistungsdichte abzielt, treibt die schnell schaltenden SiC-Leistungsmodule sicher an, um niedrige Verluste zu erzielen, und arbeitet in Hochtemperaturumgebungen, die in Motorantrieben mit begrenztem Platzangebot, kompakten Netzteilen oder schnellen Batterieladegeräten zu finden sind.

Die Gate-Treiber-Platine CMT-TIT0697 wurde für die direkte Montage auf die SiC-MOSFET-Leistungsmodule CAB450M12XM3 (1200 V/450 A) von Wolfspeed entwickelt. Mit einer isolierten On-Board-Stromversorgung, die bis zu 2,5 W pro Kanal ohne Derating bei bis zu 125 °C (Ta) liefert, kann der Gate-Treiber XM3-Module mit bis zu 100 kHz antreiben, was eine hohe Leistungsdichte ermöglicht. Ein Spitzen-Gate-Strom von bis zu 10 A und eine Immunität gegen hohes dV/dt (>50 kV/µs) ermöglichen die Ansteuerung des Leistungsmoduls mit einem vernachlässigbar kleinen Gate-Widerstand von, wodurch minimale Schaltverluste erzielbar sind. Das Board widersteht Isolationsspannungen von bis zu 3600 V (5 0Hz, 1 min) und bietet Kriechstrecken von 14 mm. Schutzfunktionen wie Unterspannungs-Lockout (UVLO), Active Miller Clamping (AMC), Entsättigungserkennung und Soft-Shutdown (SSD) ermöglichen eine sichere Ansteuerung und den zuverlässigen Schutz des Leistungsmoduls im Fehlerfall.

Das SM3-Leistungsmodul von Wolfspeed mit hoher Leistsungsdichte und gleichzeitig niedriger Schleifeninduktivität verfügt über ein für SiC optimiertes Gehäuse. Es ermöglicht einen kontinuierlichen Sperrschichtbetrieb bei +175 °C. Um die mechanische Robustheit unter extremen Bedingungen zu gewährleisten verfügt es über ein zuverlässiges Siliziumnitrid-Leistungssubstrat.

(na)

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