CoolGaN-600V

(Bild: Infineon)

Die aktive Region des Transistors besteht aus einem kostengünstigen Si-Substrat, auf welchem GaN- und AlGaN-Halbleitermaterialien aufgewachsen sind.

Die aktive Region des Transistors besteht aus einem kostengünstigen Si-Substrat, auf welchem GaN- und AlGaN-Halbleitermaterialien aufgewachsen sind. Infineon

Die laterale Transistorstruktur ohne Body-Diode verursacht keine Reverse-Recovery-Ströme, hat eine sehr geringe Gate- und Ausgangskapazität und ermöglicht ein sehr schnelles Schalten. In einem Applikationspapier erklärt Infineon die Hauptmerkmale des 600-V-GaN-Anreicherungstyps und erörtert außerdem die Unterschiede zu herkömmlichen Superjunction-MOSFETs auf Silizium-Basis. Entwickler, die bereits mit Infineons CoolMOS vertraut sind, finden hier Anwendungshinweise für ihr neues Leistungselektronikdesign mit CoolGaN-Transistoren und erzielen damit bestmögliche Leistung beispielsweise in Anwendungen wie Hochleistungsnetzteilen für Rechenzentren und Telekommunikationsanwendungen. Weitere Informationen finden Sie auch über die Infineon-Webseite.

(jwa)

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