Laut Hersteller ist der SMT-V in der Lage bei einer Kontaktstellentemperatur von 120 °C und einer Anzahl von 50 Pulsen über Lebensdauer mit entsprechender Gap-Time eine Pulsenergie von 2,5 J bei einer Pulsdauer von 0,1 s zu absorbieren.

Laut Hersteller ist der SMT-V in der Lage bei einer Kontaktstellentemperatur von 120 °C und einer Anzahl von 50 Pulsen über Lebensdauer mit entsprechender Gap-Time eine Pulsenergie von 2,5 J bei einer Pulsdauer von 0,1 s zu absorbieren. (Bild: Isabellenhütte)

Laut Hersteller ist der SMT-V in der Lage bei einer Kontaktstellentemperatur von 120 °C und einer Anzahl von 50 Pulsen über Lebensdauer mit entsprechender Gap-Time eine Pulsenergie von 2,5 J bei einer Pulsdauer von 0,1 s zu absorbieren. Dies entspricht einer Verlustleistung pro Puls von 25 W. Als Widerstandsmaterial wird Noventin verwendet, das laut Hersteller einen fast doppelt so hohen spezifischen Widerstand wie das bei Strommesswiderständen eingesetzte Manganin aufweist.  Der SMT-V soll gezielt hohe Impulsbelastungen abfangen. Die Bauelemente lassen sich z.B. als Teil einer Schutzbeschaltung für Halbleiter in einem AC/DC-Wandler eines 48-V-Mild-Hybridfahrzeugs (MHEV) einsetzen. Weitere Widerstandswerte und Baugrößen (wie Baugröße 2512) sind auf Anfrage verfügbar.

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