Nexperia investiert groß in Produktion & F&E: Der Hersteller von Halbleiter-Bauelementen stellt Dioden, Bipolar-Transistoren, ESD-Schutzbausteine, Mosfets, GaN-FETs sowie Analog- und Logik-ICs her. Nexperia

Nexperia investiert groß in Produktion & F&E: Der Hersteller von Halbleiter-Bauelementen stellt Dioden, Bipolar-Transistoren, ESD-Schutzbausteine, Mosfets, GaN-FETs sowie Analog- und Logik-ICs her. (Bild: Nexperia)

Nexperia mit Sitz im niederländischen Nijmegen plant für dieses Jahr unter anderem Effizienzsteigerungen bei der Produktion sowie die Einführung neuer 200 mm-Technologien in den europäischen Wafer-Fabriken in Hamburg und Manchester. Im Nexperia-Werk Hamburg wird außerdem in neue Technologien für die Fertigung von ‚Wide Bandgap‘–Halbleitern investiert. Die chinesische Muttergesellschaft von Nexperia, Wingtech Technology, wird zudem umgerechnet 1,85 Milliarden US-Dollar für den Bau einer neuen 300 mm-Leistungshalbleiter-Waferfabrik in Lingang, Shanghai, bereitstellen. Sie soll bereits 2022 in Betrieb gehen und ist für eine Jahresproduktion von 400.000 Wafern ausgelegt.

Die Entwicklung neuer Produkte will der Bauelemente-Hersteller durch eine Erhöhung der F&E-Investitionen auf etwa 9 % des Gesamtumsatzes unterstützen. Nexperia eröffnete kürzlich neue globale F&E-Zentren in Penang (Malaysia) und Shanghai (China) und erweiterte die bestehenden F&E-Standorte in Hongkong, Hamburg und Manchester. Darüber hinaus wird das Unternehmen die Test- und Montagekapazitäten seiner Fabriken in Guangdong (China), Seremban (Malaysia) und Cabuyao (Philippinen) erweitern, unter anderem durch die Einführung von Automatisierungs- und System-in-Package (SIP)-Prozessen.

Grund für die Investionen ist nach den Worten von Achim Kempe, Chief Operating Officer von Nexperia, „die zunehmende Elektrifizierung von Fahrzeugen sowie 5G-Kommunikation, Industrie 4.0 und die vielfache Einführung von GaN-basierten Designs“. Dies werde die Nachfrage nach Leistungshalbleitern im Jahr 2021 und darüber hinaus weiter erhöhen.

(dw)

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