Rohm sic mosfet

(Bild: Rohm)

Die Bauelemente sind in einem TO-247-4L-Gehäuse mit vier Anschlüssen untergebracht, das die Schaltleistung verbessert und die Schaltverluste gegenüber herkömmlichen Gehäusetypen mit drei Anschlüssen (TO-247N) um bis zu 35 Prozent reduziert.

Die SCT3xxx xR-Serie umfasst sechs Modelle, die eine Nennspannung von entweder 650 V oder 1200 V aufweisen. Die drei 650-V-Versionen bieten bei 25 °C RDS(on)-Widerstände von 30, 60 oder 80 mΩ, Nennströme von 70, 39 oder 30 A, die 1200-V-Varianten besitzen RDS(on)-Widerstände von 40, 80, oder 105 mΩ, Nennströme von 55, 31 oder 24 A. Beide Varianten haben eine maximale Verlustleistungen PD von 262, 165 oder 134 W. Die Bauelemente arbeiten im Temperaturbereich von –55 °C bis +175 °C. Die Bauelemente eignen sich für Server-Netzteile, USV-Anwendungen, Solarwechselrichter, Energie-Speichersysteme und Ladestationen für Elektrofahrzeuge, die einen hohen Wirkungsgrad erfordern.

(aok)

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