Gemeinsam entwickeln das A*Star Institute und STMicroelectronics Bauelemente und Module für den Aufbau einer SiC-Infrastruktur in Singapur. (Bild: STMicroelectronics)
Das Institute of Microelectronics (IME) der Agency for Science, Technology and Research (A*STAR) und STMicroelectronics (ST) haben den Beginn einer Forschungs- und Entwicklungs-Kooperation im Bereich Siliziumkarbid (SiC) zum Einsatz in Leistungselektronik-Anwendungen für den Automobil- und Industriemarkt bekanntgegeben. Die Zusammenarbeit schafft die Grundlage für eine umfassende SiC-Infrastruktur in Singapur und generiert Chancen für andere Unternehmen, sich gemeinsam mit dem IME und ST an der SiC-Forschung zu beteiligen.
SiC-Lösungen übertreffen die Leistungsfähigkeit konventioneller Silizium-Bauelemente (Si) in der Leistungselektronik für Elektrofahrzeuge (EVs) und industrielle Anwendungen und ermöglichen so Power-Module mit kleineren Abmessungen, mehr Ausgangsleistung und höheren Betriebstemperaturen. Die Kooperation zielt auf die Entwicklung und Optimierung integrierter SiC-Bauelemente und -Module.
