Toshiba stellt 1200-V-Siliziumkarbid (SiC-) -MOSFET vor

Der neue Leistungs-MOSFET TW070J120B von Toshiba basiert auf Siliziumkarbid (SiC), einem Material mit großer Bandlücke (WBG; Wide-Bandgap), das im Vergleich zu herkömmlichen MOSFETs und IGBTs auf Silizium-/Si-Basis eine höhere Spannungsfestigkeit, schnelleres Schalten und einen geringeren Durchlasswiderstand bietet. Daher wird der neue MOSFET den Stromverbrauch erheblich verringern und die Leistungsdichte erhöhen, um kleinere Systeme zu ermöglichen.

Hergestellt wird der neue SiC-MOSFET in Toshibas Halbleiterfertigungsprozess der zweiten Generation und er bietet eine höhere Zuverlässigkeit. Zudem bietet der er eine Eingangskapazität (C_ISS) von 1680 pF (typisch), eine Gate-Eingangsladung (Q_g) von 67 nC (typisch) und einen Drain-Source-Durchlasswiderstand (R_DS(ON)) von 70 mΩ (typisch).

Im Vergleich zu einem 1200-V-Silizium-IGBT wie dem GT40QR21 von Toshiba reduziert der neue Baustein die Ausschaltverluste um etwa 80 Prozent und die Schaltzeit (Abfallzeit) um zirka 70 Prozent, während er bei einem Drainstrom (I_D) bis zu 20 A eine niedrige Durchlass (ON) -Spannungscharakteristik bietet.

Die Gate-Schwellenspannung (U_th) ist hoch eingestellt (im Bereich von 4,2 bis 5,8 V), was unbeabsichtigtes oder unerwünschtes Ein-/Ausschalten vermeiden kann. Darüber hinaus trägt die integrierte SiC-Schottky-Barrierediode (SBD) mit einer Durchlassspannung (U_DSF) von nur -1,35V (typisch) dazu bei, Verluste zu verringern.

Der neue MOSFET TW070J120B ist ab sofort im TO-3P(N)-Gehäuse erhältlich und ermöglicht Stromversorgungen mit höherem Wirkungsgrad, insbesondere in industriellen Anwendungen, wo eine höhere Leistungsdichte auch zu einer kleineren Baugröße und zu einem geringeren Gewicht beiträgt.

(neu)