Der Gate-Treiber TLP5231 liefert als Quelle und Senke Spitzenströme bis izu 2,5 A. (Bild: Toshiba)
Der Gate-Treiber TLP5231 (Pre-Driver) verfügt über zwei Ausgänge, mit denen sich externe p- und n-Kanal-MOSFETs für Strompuffer ansteuern lassen. Dies ermöglicht den Einsatz verschiedener MOSFETs mit unterschiedlichen Nennströmen, sodass sich der IGBT von einer Rail-to-Rail-Gate-Spannung steuern lässt.
Der Treiber kann als Quelle und Senke Spitzenströme bis zu 2,5 A liefern beziehungsweise ableiten und ist für dauerhaft 1 A ausgelegt. Der Baustein bietet eine Überstromerkennung durch Erfassung von UCE(sat) sowie eine Unterspannungssperre, die beide ein Open-Collector-Fehlersignal an die Primärseite liefern. Zusätzlich lässt sich die Gate-Spannungs-Soft-Turn-Off-Zeit nach der Überstromerkennung durch einen externen n-Kanal-MOSFET einstellen. Die Ausbreitungsverzögerungen betragen nur 100 ns.
Untergebracht ist der Baustein in einem kompakten SO16L-Gehäuse für die SMD-Bestückung. Die Isolationsspannung beträgt mindestens 5000 Veff bei einer internen Isolationsdicke von mehr als 0,4 mm. Kriech- und Luftstrecken betragen mindestens 8 mm.
(na)
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