Die ESD5V3L1B-Dioden sind speziell für integrierte Schaltungen entwickelt und treten unmittelbar mit externen Verbindungselementen in Kontakt. Sie bieten, in der Nähe der externen Schnittstelle eingesetzt, bei elektrostatischen Entladungen einen geringen Widerstandspfad und leiten die Überspannungsenergie vom IC-System weg. Die TSV-Bausteine arbeiten bidirektional und sind ausgelegt, eine einzelne Leitung mit Betriebsspannungen bis zu ±5,3 V zu schützen.
Mit ihrer niedrigen Klemmspannung und einem dynamischen Widerstand von 0,22 Ω bietet die ESD5V3L1B-Serie eine effiziente Schutzleistung für alle ESD-Schutzniveaus. Die ESD-Absorptionsfähigkeit von ±20.000 V Kontaktentladung liegt höher als es der Industriestandard IEC61000-4-2 fordert. Die Dioden weisen kurze Reaktionszeiten auf, bei Spannungsspitzen mit stabiler Klemmspannung von 10 V für Überspannungsstöße mit Level-4-Entladung nach IEC61000-4-2. Ihr geringer Leckstromverlust ermöglicht es, die TVS-Dioden in batteriebetriebenen Anwendungen einzusetzen. Infineon liefert die Dioden in den zwei Gehäusegrößen-Abmessungen: 0,62 x 0,32 x 0,31 mm (TSSLP-2-1) und 1,0 x 0,6 x 0,39 mm (TSLP-2). Die Höhe der Gehäuse entspricht den Vorgaben für mobile elektronische Geräte wie Smartphones, Tablet-Computer oder E-Books.
(rao)