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Verglichen mit existierenden planaren SiC-MOSFETs ist sein Einschaltwiderstand bei gleicher Chipgröße um 50 % geringer. Hierdurch lassen sich die Verluste in den unterschiedlichsten Anwendungen deutlich verringern. Da auch die Eingangskapazität etwa 35 % kleiner ist als bei einem planaren 80-Milliohm-MOSFET, verbessern sich bei dem SiC-Trench-MOSFET auch die Schalteigenschaften.

(av)

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