PESD2V8R1BSF ist besonders für Ingenieure interessant, die USB4- und Thunderbolt-Schnittstellen entwerfen. Die Diode verwendet die TrEOS-ESD-Schutztechnologie von Nexperia mit aktiver siliziumgesteuerter Gleichrichtung. Sie bietet eine Kombination aus niedriger Kapazität (bis hinunter zu 0,1 pF), geringem Clamping (dynamischer Widerstand bis hinunter zu 0,1 Ω) und hoher Robustheit gegenüber Überspannungen und ESD-Impulsen (bis zu 20 A 8/20 µs für sehr schnelle Datenleitungen).

Die ESD-Schutzdiode PESD2V8R1BSF ist besonders für Entwickler von USB4- und Thunderbolt-Schnittstellen interessant.

Die ESD-Schutzdiode PESD2V8R1BSF ist besonders für Entwickler von USB4- und Thunderbolt-Schnittstellen interessant. Nexperia

Untergebracht ist der Baustien in einem SOD962-Gehäuse. Die Vorteile dieses 0603-Formfaktors sind die niedrige Induktivität für schnellen Schutz und eine Reduzierung der mechanischen und thermischen Belastung, da die Bonddrähte durch die Integration in die monolithische Schaltung ersetzt werden. Um Probleme mit der Signalintegrität zu vermeiden, bietet die ESD-Schutzdiode eine niedrige Einfügedämpfung von -0,21 dB bei 10 GHz und eine entsprechend niedrige Rückflussdämpfung von -17,4 dB bei 10 GHz. Die Diode ist für die höheren Spannungsanforderungen von USB 3.2 geeignet.