Die nichtflüchtige Speichertechnologie von FMC basiert auf kristallinem, ferroelektrischem Hafniumoxid. FMC hat einen Prozess entwickelt, mit dem sich amorphes Hafniumoxid in eine kristalline Phase überführen lässt. Auf diese Weise lässt sich jeder Standard-CMOS-Transistor und -Kondensator in eine nichtflüchtige Speicherzelle, also einen ferroelektrischen Feldeffekttransistor (FeFET) oder Kondensator (FeCAP) umwandeln.

Mit der erfolgreichen zweiten Finanzierungsrunde möchte FMC-CEO Ali Pourkermarati die ferroelektrische Speichertechnologie seines Unternehmens schneller auf den Markt bringen.

Mit der erfolgreichen zweiten Finanzierungsrunde möchte FMC-CEO Ali Pourkermarati die ferroelektrische Speichertechnologie seines Unternehmens schneller auf den Markt bringen. FMC

Die nun abgeschlossene Finanzierungsrunde wird angeführt von den neuen Investoren M Ventures und imec.xpand unter Beteiligung von SK Hynix, Robert Bosch Venture Capital und TEL Venture Capital. eCAPITAL, Leadinvestor der Series-A-Finanzierung, beteiligte sich ebenfalls an dieser Runde. Ziel der neuen Investorengruppe ist es, FMC entlang der gesamten Halbleiter-Wertschöpfungskette zu unterstützen, um die fortschrittliche ferroelektrische Speichertechnologie des Unternehmens auf den Markt zu bringen. FMC plant die Erweiterung seines Teams in Dresden sowie den Beginn der internationalen Expansion, auch auf den US-amerikanischen und asiatischen Märkten. Derzeit arbeitet das Unternehmen eng mit großen Halbleiterunternehmen sowie mit Halbleiterfertigern in den USA, Europa und Asien zusammen.

„Der Aufstieg von KI, IoT, Big Data und 5G erfordert Speicherlösungen der nächsten Generation, die eine überlegene Geschwindigkeit und einen extrem niedrigen Energieverbrauch ermöglichen. Gleichzeitig müssen sie mit den modernsten CMOS-Logikprozessen kompatibel sein, die eine Senkung der Fertigungskosten garantieren“, sagte Ali Pourkeramati, CEO von FMC. „Wir sehen ein großes Interesse auf Seiten von Kunden und Entwicklungspartnern an unseren Vorteilen in Bezug auf schnellen Datenzugriff, höchstmögliche Programmier- und Löschgeschwindigkeit, branchenführende Energieeffizienz, einfache Integration in bestehende Fertigungsprozesse und niedrige Fertigungskosten. Diese Finanzierungsrunde wird die Kommerzialisierung unserer ferroelektrischen Feldeffekttransistor- (FeFET) und Kondensator- (FeCAP) Technologie in exponentiell wachsenden Märkten in den Bereichen KI, IoT, Embedded-Speicher und Hochleistungsrechenzentren beschleunigen.“