Die 650-V-MOSFET-Bausteine der Coolsic-Reihe haben einen Einschaltwiderstand von 27 mΩ bis 107 mΩ und sind sowohl im klassischen TO-247 3-Pin- erhältlich als auch im TO-247 4-Pin-Gehäuse erhältlich. Wie alle zuvor eingeführten Coolsic-MOSFET-Produkte basiert auch die neue 650-V-Familie auf der Trench-Technologie von Infineon. Sie ermöglicht einen hohen Verstärkungsfaktor und eine Schwellenspannung (Vth) von 4 V sowie eine hohe Kurzschlussrobustheit.

MOSFET von Infineon

Die CoolSiC MOSFET 650 V-Bausteine haben einen Einschaltwiderstand von 27 mΩ bis 107 mΩ. Infineon

650-V-Coolsic-MOSFETs von Infineon bieten eine gute Schalteffizienz bei höheren Frequenzen und arbeiten zudem zuverlässig. Sie weisen ein gutes thermisches Verhalten und eine geringe Abhängigkeit des Einschaltwiderstandes (R DS(on)) von der Temperatur auf. Bei den Bauelementen handelt es sich um robuste und stabile Body-Dioden, die ein sehr niedriges Niveau der Reverse-Recovery-Ladung (Q rr) haben. Sie liegt etwa 80 Prozent niedriger als bei den Superjunction-Coolmos-MOSFETs. Die Robustheit bei der Kommutierung trägt dazu bei, einen Wirkungsgrad des Gesamtsystems von 98 Prozent zu erreichen.

Um das Design mit den 650-V-Coolsic-MOSFETs in Anwendungen zu vereinfachen und einen Betrieb der Bauteile zu ermöglichen, bietet Infineon galvanisch isolierte 1- und 2-kanalige Gate-Treiber-ICs der Eice-Driver-Reihe an. Diese Lösung – eine Kombination aus Coolsic-Schaltern und dedizierten Gate-Treiber-ICs – hilft dabei, sowohl die Systemkosten als auch die Gesamtbetriebskosten zu senken und ermöglicht eine Steigerung der Energieeffizienz. Die Coolsic-MOSFETs arbeiten darüber hinaus unkompliziert mit anderen ICs aus der Eice-Driver-Gate-Treiber-Familie von Infineon zusammen.

Mit den neu eingeführten Coolsic-MOSFETs reagiert Infineon auf eine wachsende Nachfrage nach Energieeffizienz, Leistungsdichte und Robustheit für eine Vielzahl von Anwendungen. Von den neuen Bauteilen profitieren Server-, Telekommunikations- und Industrie-Schaltnetzteile, Solarenergie-Systeme, Energiespeicher und Anlagen für die Batterieformation, USV, Motorantriebe sowie Ladesysteme für Elektroautos.