3-Phasen-IGBT-Module
Semikron präsentiert mit der SKiM-Familie (Semikron integrated Module) eine neue Generation von 3-Phasen-IGBT-Modulen. Die Familie besteht aus den Versionen SKiM 3, SKiM 4 und SKiM 5. Die SKiM-Module wurden auf Basis der von Semikron entwickelten und bewährten SKiiP-Technologie implementiert. Dadurch ergeben sich für diese neue Modul-Familie folgenden Vorteile:
• die Module benötigen keine Grundplatte;
• Aufbau mit thermischen Druckkontakten;
• Federkontaktsysteme;
• integrierter Temperatursensor;
• sehr flaches, kompaktes Gehäuse;
Die SKiM-Module sind jeweils als Six- oder als Dual-Pack zu betreiben und decken dabei einen Bereich von 75 bis 1.200 A, bei 1.200-V-Bauelementen ab. Durch den internen Aufbau kann das Six-Pack-Modul in einer Dual-Pack-Konfiguration ohne Derating des Ausgangsstromes betrieben werden. Die Anschlusshöhe beträgt 17,5 mm.
Der SKiM 3 wird zunächst mit einem Standard-1.200-V-NPT-IGBT in zwei Varianten (85 A und 125 A, bei THS=25 °C) erhältlich sein. Beim SKiM 4 und SKiM 5 kommen bei 1.200 V zwei unterschiedliche Chipvarianten zum Einsatz: Zum einen der neue IGBT3 von Infineon, der durch sein Trenchzellen-Konzept in Kombination mit der Dünnwafer-Technologie und eine optimierte NPT-Struktur gekennzeichnet ist. Zum anderen der 1.200-V-IGBT von ABB Semiconductors, wobei es sich hierbei um einen sogenannten SPT-IGBT (Soft Punch Through) handelt. Der Chip ist planar in Dünnwafer-Technologie aufgebaut. Nach den 1.200-V-Versionen wird die SKiM-Modulfamilie auch in 600 und 1.700 V erhältlich sein.
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