Die Familie von Hochgeschwindigkeits-CMOS-Pseudo-SRAMs (PSRAMs) kombiniert die Vorteile von SRAM und DRAM, um Designern benutzerfreundliche, stromsparende und kostengünstige Speicherlösungen für drahtlose, Automotive-, Netzwerk- und Industrieanwendungen zur Verfügung zu stellen. Erhältlich sind die Bausteine mit Speicherdichten von 8 Mbit bis 128 Mbit in 6,0 mm × 7,0 mm × 1,0 mm großen 48-Ball-FPBGA- und im 4,0 mm × 4,0 mm × 1,0 mm großen 49-Ball-FPBGA-Gehäuse. Ausgelegt sind die Bauelemente für industrielle Temperaturbereiche und arbeiten mit Betriebsspannungen von 1,7 V bis 1,95 V oder 2,6 V bis 3,3 V. Zu den Energiesparfunktionen der SRAMs gehören die atuomatische, temperaturkompensierte Selbstauffrischung, die partielle Selbstauffrischung und ein Deep-Power-Down-Modus (DPD).

Zu den Highlights am Stand von Alliance Memory zählen neben den Pseudo-SRAMs die Low-Power-SDRAM-Bausteine für batteriebetriebene Mobilgeräte.

Zu den Highlights am Stand von Alliance Memory zählen neben den Pseudo-SRAMs die Low-Power-SDRAM-Bausteine für batteriebetriebene Mobilgeräte. Alliance Memory

Darüber hinaus stellt das Unternehmen seine Low-Power-SDRAM-Portfolioerweiterung für mobile, batteriebetriebene Geräte vor. Dazu gehören LPSDR-, LPDDR- und LPDDR2-Speicher.